提供了储存装置和数据中心。该储存装置包括至少一个非易失性存储器装置、易失性存储器装置、储存控制器、辅助电源和掉电保护(PLP)集成电路(IC)。PLP IC提供内部电源电压和外部电源电压中的一者。储存控制器响应于储存控制器在第一时间间隔...

提供了一种评估集成电路的方法、一种对集成电路进行仿真的方法、以及一种评估集成电路的系统。该评估集成电路的方法包括：获得代表集成电路的布局的多个图案；基于以下各项将多个图案聚类到多个簇中：多个图案的几何特征，以及通过对多个图案的性质进行仿...

提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底；有源区域，所述有源区域设置在所述衬底上或设置在所述衬底中；栅极界面膜，所述栅极界面膜与所述有源区域接触；电介质膜结构，所述电介质膜结构设置在所述栅极界面膜上，并且包括金属硅氧化物；栅电极，...

一种半导体装置，包括：器件隔离区域，其在衬底上限定单元有源区域和外围有源区域；栅极结构，其在水平方向上跨越单元有源区域延伸，延伸到器件隔离区域中，并且具有在器件隔离区域内的端部表面；以及栅极接触插塞，其在单元有源区域和外围有源区域之间接...

提供了半导体封装件和存储器系统。所述半导体封装件包括：第一装置，包括多个存储器芯片；以及第二装置，被配置为：将通过第一通道从第一装置接收的信号通过第二通道提供到外部装置；以及将通过第二通道从外部装置接收的信号通过第一通道提供到第一装置，...

提供一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件可以包括：第一再分布基板；安装在第一再分布基板上并且彼此水平间隔开的第一和第二半导体芯片；第一模制层，其被设置为围绕第一和第二半导体芯片并且暴露第一和第二半导体芯片的底表面；桥接芯片，其安装...

一种半导体装置可包括：下有源图案，在第一方向上延伸并且包括下沟道图案和在下沟道图案的侧面上的下源极/漏极图案。所述半导体装置还可包括：上有源图案，在第二方向上与下有源图案间隔开并且包括上沟道图案和在上沟道图案的侧面上的上源极/漏极图案。...

一种冰箱包括：主体，具有上壁；储物间室，形成在所述主体中；门，用于打开和关闭所述储物间室；热电元件，设置在所述上壁上并且包括产生热量并且面向上的制热部和吸收热量并且面向下的制冷部；冷却沉，包括与所述制冷部接触的冷却沉基座以及多个冷却翅片...

根据本公开的实施例的半导体封装件包括：第一再分布衬底；第一再分布衬底上的半导体芯片和连接支承结构，其中，半导体芯片是逻辑芯片或存储器芯片；以及第一再分布衬底上方的模制膜。连接支承结构与半导体芯片水平地间隔开并且与半导体芯片水平地重叠。连...

本公开涉及用于支持超过4G通信系统（诸如长期演进（LTE））的更高数据速率的5G通信系统或6G通信系统。用于增强SSB覆盖的装置和方法。一种由基站执行的方法包括在同步信号块（SSB）突发中发送第一SSB信号和第一SSB信号的一个或更多个...

提供了一种电子设备。所述电子设备包括可折叠壳体、柔性显示器和铰链结构。所述铰链结构包括：第一轴；第二轴；第一臂部，与第一轴可旋转地耦接并且包括第一凸轮结构和第二凸轮结构；第二臂部，与第二轴可旋转地耦接并且包括第三凸轮结构和第四凸轮结构；...

根据本公开的一个实施例，能够提供一种电子装置。该电子装置可以包括：壳体，该壳体包括第一扬声器孔；以及扬声器组件，该扬声器组件布置在壳体中并且通过第一扬声器孔向电子装置的外部发出声音。该扬声器组件包括：扬声器，该扬声器包括隔膜；第一扬声器...

一种半导体装置，包括：包括单元阵列区和外围电路区的衬底；形成在衬底的单元阵列区上的电容器结构；在平面图中围绕电容器结构的坝结构；设置在衬底的外围电路区上和坝结构的侧壁上并且包括第一模制绝缘层的外围电路绝缘层；设置在第一模制绝缘层上的第一...

提供了控制包括多个芯片的存储器装置的存储器控制器、存储器控制器的操作方法、非暂时性计算机可读记录介质和存储器系统。存储器控制器的操作方法包括：生成第一编程命令，该第一编程命令包括关于在与多个芯片对应的多个目标块中的不同的位置处的多条起始...

本公开涉及支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。一种用户设备（UE）报告信道状态信息（CSI）的方法，包括：接收以下信息：第一信息，与CSI参考信号（CSI‑RS）资源集相关，CSI‑RS资源集包括小区上的一个或多个非零功率CSI‑...

公开了一种用于获得具有改变的采样周期的数据的电子设备及其控制方法。根据本文件的一个实施例的电子设备包括至少一个传感器，存储器和至少一个处理器，其中存储器可以包括指令，指令在被执行时致使至少一个处理器：生成第二数据，第二数据包括第一采样周...

提供一种半导体装置和一种该半导体装置的制造方法。在一个方面，半导体装置包括：第一晶体管，其中，第一晶体管包括以第一沟道长度堆叠在第一有源图案上的第一沟道图案、以及第一源极和漏极图案；以及第二晶体管，其中，第二晶体管包括以大于第一沟道长度...

本文的实施例公开了电感电容压控振荡器（LC‑VCO）电路。所述LC‑VCO电路包括：LC槽路电路，所述LC槽路电路包括与无变容二极管的电容器组并联连接的中心抽头电感器，其中，所述LC槽路电路谐振产生振荡电压；以及控制电路，所述控制电路连...

根据实施方式的电子装置包括：框架，包括第一框架部和第二框架部，第二框架部联接到第一框架部并且包括音频孔；显示器，包括由所述第一框架部支撑的第一部分和在第一方向上从第一部分延伸并被第二框架部覆盖的第二部分；布置在框架上的扬声器；以及声学管...

本公开涉及用于支持超越诸如长期演进（LTE）等4G通信系统的更高数据速率的5G通信系统或6G通信系统。用于无线通信系统中高级用户设备（UE）波束报告的方法和装置。一种操作UE的方法包括：接收参考信号（RS）集合；基于RS集合中的RS的质...