根据实施方案的用于家用电器的外部材料可以包括塑料材料；以及形成在所述塑料材料的上表面上的涂层。所述涂层可以通过涂覆涂料溶液来获得，所述涂料溶液包含基于蜡的添加剂、基于氟的添加剂、或基于蜡的添加剂和基于氟的添加剂中的至少一种并且具有10g...

公开了一种系统。该系统可以包括处理器、连接到处理器的第一存储器、以及连接到处理器的第二存储器。数据结构可以包括条目，条目可以标识数据被存储在位置中。位置可以包括第一存储器或第二存储器中的一个。

提供了半导体存储器装置和半导体封装件。半导体存储器装置包括：存储器单元阵列；第一I/O焊盘至第四I/O焊盘，其位于存储器单元阵列下方，并被配置为与外部装置连接；以及第一I/O驱动模块至第四I/O驱动模块，其位于存储器单元阵列与第一I/O...

根据实施方式的电子设备包括：印刷电路板；第一天线模块；第二天线模块；蓝牙模块；以及至少一个处理器，其中第一天线模块包括：芯片天线；馈线；至少一个第一接地区域；第一导电图案集合；以及第一集总元件集合，该第一集总元件集合包括第一集总元件、第...

本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。用于在无线通信系统中利用多个发射和接收点进行报告的方法和设备。操作用户设备(UE)的方法包括：接收用于与第一定时提前组(TAG)相关联的同步信号/物理广播信道(SS/PBCH)块索...

公开了一种编码方法及其设备、解码方法及其设备。提供了一种视频解码方法，包括以下步骤：从比特流获取指示当前块的预测运动矢量的预测运动矢量信息和指示当前块的差分运动矢量的差分运动矢量信息；根据与当前块相邻的块是否已经被解码以及所述预测运动矢...

提供了存储系统、降低其待机功率的方法和车辆存储系统。所述存储系统包括：易失性存储器件，当检测到主机装置不值班时，所述易失性存储器件执行自刷新；非易失性存储器件；以及处理器，所述处理器控制所述易失性存储器件和所述非易失性存储器件的读取操作...

提供了一种空间和功率域适配的增强型多CSI报告的方法和电子设备。该方法包括：接收信道状态信息(CSI)报告配置信息，其中，所述CSI报告配置信息具有用于CSI报告的多个子配置；以及基于所述CSI报告配置信息来确定针对多个空间适配模式的C...

公开了一种图像传感器和一种制造图像传感器的方法。该图像传感器包括半导体衬底，半导体衬底包括像素、第一表面和与第一表面相对的第二表面。沟槽隔离层设置在穿透半导体衬底的第一表面和第二表面的沟槽中，并且将像素彼此分离。微透镜设置在第二表面上，...

公开了一种设备。该设备可以包括用于存储内容流的存储设备，以及用于发送过滤的内容流的网络接口设备。处理电路可以连接到存储设备和网络接口设备。处理电路可以将过滤策略应用于内容流以产生过滤的内容流。

一种表面处理的方法包括：在第一工艺室中提供部件；利用连接到所述第一工艺室的远程等离子体源生成氟等离子体；以及通过向所述第一工艺室提供所述氟等离子体在所述部件的表面上形成保护层，其中所述保护层包括氟化镁，其中所述部件的镁含量为约0.5wt...

提供了一种集成电路器件和包括该集成电路器件的电子系统。所述集成电路器件包括：半导体衬底；栅极堆叠，其包括多个栅极层和多个绝缘层，多个栅极层和多个绝缘层交替堆叠在半导体衬底上；多个沟道结构，其在垂直方向上延伸以穿过栅极堆叠；字线切口，其在...

提供了一种图像传感器测试装置、由其执行的方法以及图像传感器。所述图像传感器测试装置包括：接口，被配置为：将控制信号发送到将被测试的图像传感器；以及主机装置，被配置为：将命令对关于基于所述图像传感器的输出信号确定的坏像素的信息进行存储的存...

一种半导体存储器件包括：位线，所述位线在衬底上并且在平行于所述衬底的顶表面的第一方向上延伸；沟道图案，所述沟道图案连接到所述位线的顶表面并且在垂直于所述衬底的顶表面的第二方向上延伸；在所述沟道图案上的第一漏极图案；第一字线，所述第一字线...

一种半导体装置，包括：数据存储图案，其设置在衬底上，并且在与衬底的顶表面平行的第一方向和第二方向上彼此间隔开；第一单元导电线，其设置在数据存储图案上，在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此间隔开，第一单元导电线中的每一条连接到数据存储图...

提供了一种半导体器件，包括：半导体衬底；源/漏图案，在半导体衬底上沿第一方向间隔开；以及沟道图案，在半导体衬底上，其中，沟道图案中的至少一个沟道图案在源/漏图案中的相邻的源/漏图案之间，其中，沟道图案中的至少一个沟道图案包括多个半导体图...

可以提供一种半导体装置，其包括：字线，其与有源区交叉并重叠并且在第一方向上延伸；字线封盖层，其在字线上；位线，其与有源区交叉并重叠，并且在第二方向上延伸；掩埋接触件，每个掩埋接触件连接到有源区；直接接触件，每个直接接触件将有源区连接到位...

一种半导体器件，包括：衬底，具有单元阵列区域和接触区域；栅极堆叠结构，位于单元阵列区域中，并且包括交替地堆叠在衬底上的多个层间绝缘层和多个栅电极；栅极图案堆叠结构，位于接触区域中，并且包括从多个栅电极延伸的多个栅极图案、以及与多个栅极图...

一种半导体器件包括：第一电力线，在衬底上沿第一方向延伸，并且在第二方向上彼此间隔开；背面电力结构，在衬底的下表面上；标准单元，各自包括有源图案、与有源图案相交的栅图案、以及接触部；电力抽头单元，在至少一些标准单元之间，并且各自包括竖直电...

本公开提供了一种半导体器件制造方法，包括：形成下芯片和上芯片；以及将下芯片和上芯片彼此接合。形成下芯片包括：提供下衬底；顺序地形成下层间绝缘膜和预下粘合膜；蚀刻预下粘合膜和下层间绝缘膜的部分以形成下沟槽；使用溅射工艺来形成第一下籽晶膜和...