三星电子株式会社专利技术

三星电子株式会社共有56795项专利

  • 提供一种薄膜晶体管阵列面板,其中包括:一基板;一栅电极;一形成在栅电极上的栅绝缘层;一形成在栅绝缘层上并且包括一对注入了杂质的欧姆接触区的多晶硅层;至少部分形成在欧姆接触区的源和漏极;一形成在源极和漏极上并且有至少部分地曝光漏极的接触孔...
  • 本发明公开了一种液晶显示器、所用的薄膜晶体管阵列板及其制造方法,该薄膜晶体管阵列板包括:形成在绝缘衬底上的栅极线;在栅极线上的栅极绝缘层;在栅极绝缘层上的半导体层;形成在栅极绝缘层上的数据线;至少部分地形成在半导体层上的漏极电极;形成在...
  • 改进的有机光感受器包括导电基底和位于导电基底上的光电导元件,该光电导元件包含:(a)具有以下通式的电荷传输材料如右式其中R↓[1]、R↓[2]、R↓[3]、R↓[4]、R↓[5]、R↓[6]、R↓[7]和R↓[8]独立为烷基、烷芳基、芳...
  • 本发明公开了一种字节操作非易失性半导体存储装置,其能够一次擦除一个字节的已存储的数据。字节存储单元可包括多个1字节存储晶体管的存储单元阵列。该些1字节存储晶体管可以沿一个方向排列,其每一个包括形成在有源区中的结区和沟道区。字节存储单元可...
  • 公开一种使用碳纳米管来形成用于半导体装置的导电线的方法以及用该方法制造的半导体装置。该方法包括:采用表面预处理法活化半导体装置的电极的表面;在电极表面上形成一绝缘层并在该绝缘层中形成一接触孔,以使得电极的部分活化表面暴露在外;通过接触孔...
  • 提供一种对封装时所产生的冲击具有较强的抗冲击性的半导体装置及其制造方法。在焊盘部A和电路部B的整个衬底(1)上形成低介电常数膜(11)。在低介电常数膜(11)上形成光致抗蚀剂图形(13),将该光致抗蚀剂图形(13)作为掩膜在焊盘部A的低...
  • 一种集成电路器件包括衬底。外延图形在衬底上,且其中形成有一对杂质扩散区和布置在一对杂质扩散区和衬底之间的一对空隙区。一对杂质扩散区的各个至少部分地重叠一对空隙区的各个。栅电极在一对杂质扩散区的各个之间的外延图形上。
  • 一种MOSFET器件结构和制造该器件结构的方法,其中,为了避免在层间介电层的高密度等离子体沉积过程中对栅极氧化物的等离子诱导损害,在栅极结构和衬底上面形成一光子吸收层。该器件结构可以包括在光子吸收层下面的蚀刻停止层。该光子吸收层整体上都...
  • 一种液晶显示装置,包括:    液晶显示面板,包括具有第一电极的第一衬底、具有第二电极的第二衬底、以及插入第一衬底与第二衬底之间的液晶,当没有电场施加在第一电极与第二电极之间时,液晶垂直地排列;    c板单轴补偿膜,设置在第一衬底上;...
  • 本发明提供一种驱动显示器的驱动电路及具有该驱动电路的液晶显示器,该驱动电路包括驱动段和虚拟段。驱动段包括输出和控制端子。当前段的输出端子与前一状态的控制端子连接以彼此形成串联连接。驱动段输出驱动信号用于通过输出端控制设置在显示器上的开关...
  • 提供一种MRAM及其制造方法。MRAM包括半导体基板、形成在半导体基板上的晶体管、在半导体基板上形成以便覆盖晶体管的层间介电层、和在层间介电层中形成与晶体管的漏区并联连接的第一MTJ单元和第二MTJ单元。第一MTJ单元连接到在层间介电层...
  • 本发明涉及一种用于MMN(多个微型喷嘴)涂布机的光致抗蚀剂组合物,更具体地,本发明涉及一种用于液晶显示器电路的光致抗蚀剂组合物,其包含分子量为2000~12000的酚醛清漆树脂、二叠氮光活性化合物、有机溶剂和硅基表面活性剂。本发明的用于...
  • 在使用选择性外延生长(SEG)工艺的具有抬高的源极/漏极结构的金属氧化物半导体(MOS)晶体管中,以及在制造具有抬高的源极/漏极结构的MOS晶体管的方法中,在形成外延层后形成源极/漏极扩展结,由此防止源极/漏极结区的恶化。此外,由于采用...
  • 本发明涉及一种液晶显示器,包括:第一衬底;形成在第一衬底上的第一信号线;形成在第一衬底上并与第一信号线交叉的第二信号线;包括多个分区的像素电极;连接到栅极线、数据线和像素电极的薄膜晶体管;面向第一衬底的第二衬底;形成在第二衬底上并具有面...
  • 本发明公开了一种包括金属互连和金属电阻器的半导体器件及其制造方法,使得金属电阻器可靠地电连接于金属互连。该制造方法包括步骤:在绝缘层中形成铜的下部互连,在绝缘层上形成帽盖层以覆盖并保护下部互连,在帽盖层中形成窗口以选择性地露出下部互连的...
  • 提供一种包含由不同的方法形成的中间氧化层的磁性随机存取存储器(MRAM)及其制造方法。MRAM包含由一下磁性层,一防氧化层,一隧穿氧化层,及一上磁性层形成的一磁性隧道结(MTJ)。隧穿氧化层由原子层淀积(ALD)法形成,其它材料层,尤其...
  • 本发明公开了一种多芯片封装和制备方法。多芯片封装包括上面设有键合指的封装衬底。第一芯片具有大体形成在中心部分上的中心焊盘。在封装衬底上设置第一芯片。在位于焊盘外侧的第一芯片上形成绝缘支撑结构。在一个键合指和至少一个中心焊盘之间连有连接导...
  • 一种液晶显示装置及其制造方法和驱动方法,液晶显示装置包括:一绝缘衬底;第一金属图案,形成于衬底上;第二金属图案,由与第一金属图案相同的层制成,并且与第一金属图案隔开;一硅层,形成于第一金属图案和第二金属图案之上,包括分别接至第一金属图案...
  • 一种液晶显示装置及其制造方法和驱动方法,液晶显示装置包括:一绝缘衬底;一硅层,形成于衬底上,并且包括一源极区和一漏极区以及位于源极区与漏极区之间的沟道区;一栅极绝缘膜,覆盖硅层;一栅电极和一存储电极,它们形成于栅极绝缘膜上;一个层间绝缘...
  • 一种液晶显示装置及其制造方法和驱动方法,液晶显示装置包括:一绝缘衬底;一硅层,形成于衬底上;一栅极绝缘膜,覆盖硅层;一栅电极,形成于栅极绝缘膜上;和一存储电极,形成于栅极绝缘膜上,其中硅层包括一掺杂的源极区、一掺杂的漏极区、位于源极区和...