本发明的实施例包括用于高密度安装的集成电路模块结构。一实施例包括：一个布线板，在它的至少一个表面上具有一安装空间，该空间具有在第一方向中确定的安装长度和在第二方向中确定的安装宽度；以及多个集成电路封装，其具有的封装安装组合长度长于布线板...

一种至少五侧面沟道型ＦｉｎＦＥＴ晶体管（鳍式场效应晶体管），其可以包括：基底；形成在所述基底上的半导体主体，所述主体的设置在长向具有其间夹一沟道区的源／漏极区域，至少所述沟道在基底上方在横贯长向的截面内具有至少五个平面表面；所述主体的沟...

电子束发生器具有宽区域与定向射束生成能力。发生器包括以相互间隔和对置的关系设置的阳极电极和阴极电极。提供簇形碳纳米管阵列以支持宽区域与定向射束生成。簇形纳米管阵列在阳极电极和阴极电极之间伸展。纳米管阵列在其上也有在与阴极电极的主平面对置...

公开了一种半导体器件的测试图案及利用其的测试方法。半导体器件的测试图案包括位于半导体衬底上的导电图案，并且导电图案包括多个线路区和多个连接区，多个线路区平行排列并间隔一均匀间距，多个连接区用于按锯齿形连接多个线路区。测试图案包括电开关对...

本发明提供了一种栅极布线和沿横向延伸的存储电极布线，并且沿纵向延伸的数据布线与栅极布线和存储布线交叉。将多个像素电极和多个薄膜晶体管设置在由数据布线和栅极布线的交叉限定的像素区域上。存储电极布线通过设置在像素区域上的多个存储电极连接器相...

本发明公开了用于形成互连线的方法和互连线结构。该方法包括：在半导体衬底上形成层间绝缘层，其中该层间绝缘层由掺碳的低ｋ值介电层形成；在该层间绝缘层上形成氧化阻挡层；在该氧化阻挡层上形成氧化物覆盖层；在该氧化物覆盖层、氧化阻挡层和层间绝缘层...

公开了占空比校正电路，其具有增益调节电路，增益调节电路根据输入信号的频率从占空比校正电路的多个增益中选择一个增益。输出电路根据输入信号和从多个增益中选择的一个增益，输出占空比经过校正的输出信号。输入信号可以是输入时钟信号，而输出信号可以...

本发明公开了一种半导体衬底中的自对准内栅凹陷沟道，包括：形成在衬底有源区中的凹槽；形成在凹槽底部上的栅极电介质层；形成在凹槽侧壁上的凹槽内侧壁隔离壁；形成在凹槽内的栅极使得栅极的上部伸出衬底的上表面之上，其中凹槽内侧壁隔离壁的厚度使栅极...

提供了一种磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括开关装置和连接到该开关装置上的ＭＴＪ单元，其中ＭＴＪ单元包括连接到开关装置的下电极以及依次堆叠在该下电极上的下磁层、包含氟的隧穿膜、上磁层和盖帽层。还提供了一种用于制造该磁存储器件的等离...

提供了一磁阻器件，其中，依次形成了一钉扎层、一被钉扎层、一反铁磁层和一自由层，并且，所述自由层是由金属间化合物形成的。所述磁阻器件提供了高ＭＲ比，因而，提高了灵敏度裕量。

提供了镍－自对准硅化物工艺和利用该工艺的制造半导体器件的方法。镍－自对准硅化物工艺包括制备具有硅区和包含硅的绝缘区的衬底。镍沉积在衬底上，并且在３００℃至３８０℃的第一温度下退火镍以在硅区上选择性地形成单镍单硅化物层，并且在绝缘区上仅剩...

公开了一种半导体芯片，该半导体芯片包括用来接收电源的电源焊垫、根据每个焊垫组包括至少一个输入／输出焊垫的功能分组的多个焊垫组、连接至每个焊垫组并且将由电源焊垫供给的电源传输到每个焊垫组的分离电源环、和一开关控制单元，该开关控制单元用于确...

本发明涉及引线框架、半导体芯片封装和制造该半导体芯片封装的方法。其中半导体芯片封装具有：引线框架，其具有沿该引线框架的四边形成的多条引线、以及自该四边中的每一边的边缘延伸的连接条，其中该连接条的底表面是凹陷的；半导体芯片，其粘接在该连接...

本发明公开一种制造多层封装件的方法，该方法确保易于敷设焊膏或焊剂。所述方法包括形成第一封装件，其包括在其上设置有突起的第一基板，以及形成第二封装件，其包括设置在其上对应于所述突起的第二基板，将焊膏或焊剂敷设在第一封装件的突起上，并且将第...

本发明公开了一种利用自对准工艺制造具有场效应晶体管（ＦＥＴ）沟道结构的扫描探针显微镜（ＳＰＭ）的探针的方法。所提供的方法包括：第一步骤，在衬底上形成第一形状的掩膜层，并在衬底中的除了由掩膜层所遮盖的区域以外的区域中形成源极区和漏极区；第...

一种制造具有非易失性存储单元的半导体器件的方法，其包括形成作为存储单元的最上面／最外面部分的绝缘层，以提高存储单元的充电保持能力。绝缘层是在非易失性存储单元的栅极结构和栅极间电介质，以及逻辑晶体管的栅极形成之后形成的。因此，绝缘层增强了...

本发明提供了一种电容器、包括该电容器的存储器件，以及制造该电容器和该存储器件的方法。该电容器包括下电极，形成在下电极上的介质膜，以及形成在介质膜上的上电极，该下电极是由贵金属合金构成的单层。

提出一种具有电阻尖端的半导体探针、制作半导体探针的方法以及使用半导体探针来记录和复制信息的方法。半导体探针包括尖端和悬臂梁。尖端掺杂有第一杂质。尖端位于悬臂梁的端部上。尖端包括电阻区域和第一、第二半导体电极区域。电阻区域位于尖端顶点，且...

提供一种制造纳米尺寸磁性隧道结单元的方法，其中在磁性隧道结单元中的接触不需要形成接触孔而形成。形成磁性隧道结单元的方法包括在衬底上形成一磁性隧道结层，通过构图磁性隧道结层形成磁性隧道结单元区域，在磁性隧道结层上依次沉积一绝缘层和一掩模层...

公开了一种用于使非晶硅结晶的光学掩模，其包括第一狭缝区域，所述第一狭缝区域包括规则排布以用于限定激光束入射区域的多个狭缝，其中在结晶工艺中第一狭缝区域的狭缝形成为与光学掩模的移动方向倾斜成预定角度，并且其中第一狭缝区域的狭缝包括具有第一...