提供了一种在诸如长期演进（LTE）的第四代（4G）通信系统之后的用于支持更高数据速率的第五代（5G）或第六代（6G）通信系统。在通信系统中，提供了集中式单元（CU）。CU向分布式单元（DU）发送请求用于确定体验质量（QoE）瓶颈的信息的...

根据各种实施例，一种电子设备可以包括：第一壳体；第二壳体；铰链模块，被构造为使得第一壳体和第二壳体能够相对于彼此折叠；柔性显示面板，设置在第一壳体和第二壳体处；以及板，设置在柔性显示面板下方以支撑柔性显示面板，板包括第一平坦部分、第二平...

一种半导体存储器件，可以包括：垂直半导体图案，垂直半导体图案在第一方向上延伸；多条位线，多条位线位于垂直半导体图案的下表面上，位线中的每一者在垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及多个第一栅极结构，多个第一栅极结构位于垂直半导体图案的第一...

一种半导体装置包括：基底；下沟道堆叠件，在基底上；上沟道堆叠件，在下沟道堆叠件上；栅电极，在下沟道堆叠件和上沟道堆叠件周围延伸；栅极切口区域，在基底上并且包括绝缘材料；半导体材料层，在上沟道堆叠件与栅极切口区域之间；以及绝缘层，在半导体...

一种半导体装置可以包括：位线，其在第一方向上延伸；第一半导体竖直部分，其位于位线上并在竖直方向上延伸；第一字线，其与第一半导体竖直部分相邻；栅极绝缘图案，其在第一半导体竖直部分和第一字线之间；以及接触图案，其位于第一半导体竖直部分的上表...

提供了一种易失性存储器装置、存储器控制器和存储器系统。一种存储器装置，包括：存储器单元阵列，其包括第一空间和第二空间；控制逻辑电路，其被配置为控制存储器单元阵列的操作，其中，控制逻辑电路被配置为响应于接收到以第一空间为目标的第一读取控制...

提供了执行动态电压和频率缩放操作的集成电路及其操作方法。在一个方面，一种集成电路包括：多个知识产权（IP）块；存储器，存储器被配置成存储动态电压和频率缩放（DVFS）表，在DVFS表中，操作电压和操作频率基于多个IP块的功率特性而被分类...

本公开提供了存储控制器、存储系统及存储控制器的操作方法。所述存储系统可以包括：非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个块；以及存储控制器，所述存储控制器电连接到所述非易失性存储器件并且被配置为控制...

本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。用户设备（UE）向基站发送指示UE是否支持基于UE的定时提前测量的能力信息，并且从基站接收指示是否针对用于层1/层2触发的移动性（LTM）的候选小区启用基于UE的定时提前测量的指示...

本公开内容涉及在显示面板的一个表面上的具有自修复特性和形状记忆特性的保护层。为此，保护层可由以可确保预定的光学透明度、预定的刚性或预定的针对塑性变形的恢复性的预定的比例混合的甲基丙烯酸甲酯(MMA)、甲基丙烯酸己酯(HMA)和肉桂酰(C...

公开了一种用于控制物联网（IoT）装置的电子装置及其存储介质。该电子装置可以包括：用于存储指令的存储器；通信电路；显示模块；和至少一个处理器。该指令可以使得电子装置：基于在通过显示模块显示与IoT装置相对应的装置小组件的小组件屏幕时、通...

该相机模块可包括：第一透镜；第二透镜；透镜保持件，被构造为支撑第一透镜；反射件，设置在第一透镜与第二透镜之间，并且被构造为将穿过第一透镜的光反射到第二透镜；以及阻挡壁，被构造为阻挡所述反射件与所述透镜保持件之间的光路。

提供了半导体纳米颗粒、用于制造半导体纳米颗粒的方法、包括半导体纳米颗粒的墨组合物、包括半导体纳米颗粒的半导体纳米颗粒复合物、包括半导体纳米颗粒的显示装置以及包括半导体纳米颗粒的电子装置。在所述半导体纳米颗粒中，镓与铟的摩尔比（Ga:In...

示例半导体存储器装置可包括：第一导线，在与基底垂直的第一方向上延伸；第一栅电极，在基底上在与第一方向交叉的第二方向上延伸；第一半导体图案，从第一导线延伸到第一栅电极；第二栅电极，在基底上与第一栅电极间隔开，并且在第二方向上延伸；以及接触...

提供了一种图像传感器，其包括多个像素和连接到多个像素的外围电路，外围电路被配置为驱动多个像素，其中，多个像素中的每一个包括光电二极管和被配置为输出与由光电二极管生成的电荷对应的信号的像素电路，并且像素电路包括被配置为存储电荷的浮置扩散节...

一种半导体器件，包括：存储单元阵列区域，包括与字线和位线连接的存储单元；以及外围电路区域，包括第一半导体元件和第二半导体元件。第一半导体元件和第二半导体元件中的每一个包括：鳍结构，在衬底上沿第一方向延伸；栅极结构，沿垂直于第一方向的第二...

提供了一种存储器件，其中串选择线的接地晶体管连接到虚设字线以减小芯片尺寸。在一方面中，存储器件包括：存储块，包括分别由串选择线选择的单元串，其中每个单元串连接到在竖直方向上堆叠的字线；传输晶体管电路，包括分别连接到多条串选择线和多条字线...

一种半导体器件包括：衬底，包括在第一方向上延伸的有源区域；栅极结构，在衬底上在第二方向上延伸并与有源区域重叠，并且在第一方向上彼此间隔开；阻挡栅极结构，在栅极结构之间与有源区域重叠，并且在第二方向上延伸；源/漏区，在阻挡栅极结构的两侧设...

一种制造半导体器件的方法可以包括：在衬底上形成下模制结构；在下模制结构上形成第一模制结构，第一模制结构包括沿竖直方向交替堆叠的第一层间绝缘层和第一牺牲层；形成第一竖直沟道孔以穿透第一模制结构、下模制结构、以及衬底的一部分；以及形成有源层...

本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。本公开涉及无线通信系统中的终端和基站的操作，并且更具体地，涉及无线通信系统中的上行链路参考信号发送和接收方法以及能够执行该方法的装置。本公开提供了一种能够在移动通信系统中高效地提供...