一种存储系统包括处理电路，所述处理电路被配置为：将来自多个主机的提交队列划分为相应的单主机流，获得单主机流被勒索软件感染的概率，并响应于单主机流被勒索软件感染的概率生成警告信号。

提供了用于与空间对象交互的视频透视（VST）装置和VST装置的操作方法。VST装置接收用户的用户手势，其中，用户手势用于选择用户的视场内的空间感兴趣区域（ROI）；识别空间ROI和位于选择的空间ROI内的对象；生成包围位于选择的空间RO...

根据本公开的实施例，电子装置可以包括壳体、声音壳体、声音输出模块或密封结构。壳体可以包括至少一个声音孔。声音壳体可以包括管道。声音输出模块可以被配置为通过管道和至少一个声音孔将声音输出到电子装置的外部。密封结构可以包括弹性构件、网状构件...

提供了一种接口芯片和包括接口芯片的测试系统。所述接口芯片包括：第一接口电路，连接到测试装置，第一接口电路针对测试装置提供用于第一不归零（NRZ）信号和边带信号的接口；第二接口电路，连接到被测装置（DUT），第二接口电路针对DUT提供用于...

一种存储设备包括被配置为存储数据的非易失性存储器（NVM）设备和被配置为控制NVM设备的存储控制器，其中该存储控制器还被配置为：向NVM设备发送访问命令以访问存储在NVM设备中的数据；从NVM设备接收与访问命令相对应的第一访问数据；对第...

一种存储系统，包括处理电路，该处理电路被配置为：针对发送读/写命令的多个主机中的每个主机在第一模式下维护缓冲区，响应于指示多个主机中的第一主机可能被勒索软件恶意软件感染的警告，在不同于第一模式的第二模式下维护缓冲区，以及响应于确定第一主...

根据本公开的实施例的印刷电路板组装件可以包括：印刷电路板（PCB）；多个电子组件，被构造为安装在PCB的第一表面上；第一屏蔽构件，被构造为覆盖所述多个电子组件；以及传热构件，容纳在屏蔽构件内，传热构件的至少一部分设置在形成在所述多个电子...

本公开提供了存储设备和用于将数据写入存储设备的方法。用于将数据写入存储设备的方法包括：响应于写入请求，由存储设备确定与存储设备相关联的写入放大因子（WAF）值和填充因子值；由存储设备获取存储设备的当前奇偶校验模式值；由存储设备确定与当前...

一种磁存储器件，包括：衬底；基底绝缘膜，在衬底上；磁隧道结元件，包括在基底绝缘膜上的第一磁性图案和第二磁性图案以及位于第一磁性图案与第二磁性图案之间的隧道势垒图案；上电极图案，在磁隧道结元件的上表面上；封盖结构，包括顺序堆叠在磁隧道结元...

提供了一种半导体器件，包括：第一场效应晶体管（FET），包括第一源极/漏极图案；第二FET，包括第二源极/漏极图案，在第一FET的垂直上方；第一侧间隔物，在第一源极/漏极图案的右侧表面上，第一侧间隔物包括隔离材料；以及前侧接触结构，在第...

一种存储器装置包括：位线，其在第一水平方向上延伸；竖直沟道层，其在位线上在竖直方向上延伸；均在竖直方向上延伸的第一介电层和第二介电层，且竖直沟道层位于第一介电层与第二介电层之间；彼此面对的一对字线，且竖直沟道层、第一介电层和第二介电层位...

一种半导体器件包括：第一下外延图案，在栅极结构的一侧，其中，第一下外延图案连接到下有源图案；第一上外延图案，在栅极结构的另一侧，其中，第一上外延图案连接到上有源图案；切割图案，与下有源图案和上有源图案间隔开，与栅极结构相邻，并且沿第一方...

提供了一种使用基于脉冲信号的可变电容调谐频率和校正相位误差的数字锁相环。该数字锁相环包括：相位检测器，用于将参考信号的相位与反馈信号的相位进行比较；数字环路滤波器，用于基于相位检测器的升降信号输出用于调整第一时间段的占空比的调整信号；可...

一种制造半导体器件的方法包括：形成被配置为第一基层、包括硅锗的第一蚀刻停止层、第二基层、包括硅锗的第二蚀刻停止层和第三基层的衬底叠层。通过蚀刻所述衬底叠层中的部分区域在所述衬底叠层中形成开口。在所述开口内生长单晶硅。形成在所述衬底叠层上...

本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。本公开涉及无线通信系统中的终端和基站的操作。具体而言，本公开涉及用于在无线通信系统中使用空间复用进行发送和接收的方法以及能够执行该方法的装置。本公开提供了能够在移动通信系统中高效提...

这里的实施例处理LTM。目标网络节点（203）从源网络节点（201）接收用于发起LTM准备的第一消息。第一消息包括关于要由目标网络节点（203）配置的一个或多个LTM候选小区的第一信息。此外，目标网络节点（203）创建用于LTM的第二消...

一种非易失性存储设备包括：单元阵列，包括连接到字线的存储单元；电压生成器，生成字线电压并将字线电压提供给字线；字线接合，电连接电压生成器和字线；以及接合缺陷检测电路，连接到电压生成器和字线接合之间的第一节点，并且检测在字线的预充电部分或...

公开了一种存储装置，包括：第一封装件，包括第一裸片；第二封装件，包括第二裸片；第一芯片使能（CE）信号线，被第一封装件和第二封装件共同连接到；第一命令信号线，被第一封装件和第二封装件共同连接到；以及控制器，被配置为：通过将CE信号施加到...

一种半导体装置可包括：多个沟道，在基底的第一区域上，所述多个沟道在与基底的上表面垂直的竖直方向上彼此间隔开，并且基底包括第一区域和第二区域；栅极结构，至少部分地围绕所述多个沟道中的每个；位线，与所述多个沟道中的每个的第一端部接触，位线在...

提供半导体封装件、制造半导体封装件的方法和光致抗蚀剂膜。所述方法包括：在封装基底上堆叠多个半导体芯片；用光致抗蚀剂膜覆盖封装基底，以围绕所述多个半导体芯片的侧表面和顶表面；将光致抗蚀剂膜曝光和显影，以在所述多个半导体芯片中的对应半导体芯...