半导体装置包括基底绝缘层。栅极结构在基底绝缘层上在第一方向上延伸。第一源极/漏极结构和第二源极/漏极结构布置在栅极结构的一侧上，并且在第一方向上彼此间隔开。蚀刻停止层设置在第二源极/漏极结构的第二外围源极/漏极区域与第二模制层之间。蚀刻...

提供一种半导体装置和操作半导体装置的方法。所述半导体装置包括：保持电路，被配置为在电源门控操作期间保持数据值；非保持电路，被配置为在电源门控操作期间不保持数据值；时钟管理单元（CMU），被配置为将第一操作时钟提供给保持电路并将第二操作时...

公开了一种包括第一抓取器和第二抓取器的机器人手以及用于控制机器人手的方法。本文公开的用于控制机器人手的方法可包括以下步骤：通过使用相机识别对象的形状；基于识别的对象的形状，改变第一抓取器和第二抓取器的抓取朝向；通过使用第一抓取器和第二抓...

公开了存储装置、电子装置以及存储装置的操作方法。一些示例实施例提供电子装置，所述电子装置包括：多个处理器；以及存储装置。存储装置包括第一存储接口、第二存储接口、非易失性存储器以及接口控制器，第一存储接口连接到多个处理器之中的第一处理器，...

提供了载体基底和通过使用载体基底制造半导体封装件的方法。所述载体基底包括：主层，包括彼此相对的第一表面和第二表面，并且在彼此相对的第一表面与第二表面之间延伸；第一沟槽，从载体基底的第一表面延伸到主层中；以及第一有机图案，在第一沟槽内部。...

公开了存储装置及其操作方法。所述存储装置包括多个存储器装置和存储控制器，存储控制器从外部主机装置接收操作多个存储器装置的多个命令。存储装置可基于功耗配置文件表，根据多个命令来确定所述多个存储器装置的操作顺序，功耗配置文件表包括表示所述多...

本发明涉及含有发光部分的组合物；和用于制造该组合物的方法。

一种用于获得具有可由用户选择的质量指标的输出图像的系统，包括包含至少一个处理器和存储输入图像和一组生成式人工神经网络(GAN)的存储器的电子设备，该至少一个处理器被配置为执行人工神经网络操作。每个GAN可由用户从存储在存储器中的GAN组...

一种存储设备，包括：主存储模块；以及扩展存储模块，包括：基板；功能块，在基板上，其中，功能块被配置为为主存储模块提供第一功能；控制电路，在基板上，其中，控制电路被配置为控制功能块；壳体，围绕基板、功能块和控制电路延伸；以及连接器，连接到...

半导体装置包括：沟道层；势垒层，其位于沟道层上方并且包括具有与沟道层的能带隙不同的能带隙的材料；栅电极，其位于势垒层上方；栅极半导体层，其位于势垒层与栅电极之间；第一源电极，其位于栅电极的第一侧上；以及第一漏电极，其位于作为栅电极的相对...

一种用于广义Reed‑Solomon(RS)纠错码的软解码的方法包括：通过数字电子通信信道接收码字；验证HD错误和擦除解码已经失败；找到负责固定擦除集的Groebner基；在Chase坐标集和GMD坐标集上构建Chase和GMD解码树；...

一种半导体测试装置包括：托盘收容部，包括装载堆叠机、第一卸载堆叠机和第二卸载堆叠机，装载堆叠机配置为接收用于测试的多个半导体芯片，第一卸载堆叠机配置为接收所述多个半导体芯片之中的任何有缺陷的半导体芯片，第二卸载堆叠机配置为接收所述多个半...

提供了一种存储器装置和一种用于该存储器装置的刷新操作的方法。所述存储器装置包括：多个存储器单元；以及刷新控制电路，生成刷新行地址并且对与所述刷新行地址对应的行的存储器单元执行刷新操作。所述刷新控制电路包括行锤击管理电路，所述行锤击管理电...

公开了一种机器人装置。所述机器人装置包括：插入单元，将放了气的气囊插入衣物的内部；膨胀单元，向气囊送入气体以膨胀气囊并因此使衣物膨胀；放气单元，从气囊排出气体以使气囊放气；以及抽出单元，将放了气的气囊从衣物的内部抽出。

公开了电子设备和用于控制电子设备的方法。特别地，根据本公开的电子设备包括：通信器单元；存储器，其中存储了关于编码器的信息和用于训练编码器的训练数据；以及处理器，当获得关于第一语言的原始文本的信息时，将关于原始文本的信息输入到编码器中，以...

一种方法包括获得具有多个视频帧和音频数据的视频序列。该方法还包括提取与视频帧中的至少一个面部相关联的视频特征和与音频数据相关联的音频特征。该方法还包括使用经训练的机器学习模型来处理视频特征和音频特征。经训练的机器学习模型执行视频特征和音...

线性调节器包括补偿电路、自适应增益控制电路、缓冲器电路、驱动器电路和反馈电路。补偿电路基于反馈电压产生补偿电压。基于由输出电压产生并流过输出端子的负载电流来改变补偿电压的电压电平。自适应增益控制电路基于补偿电压跟踪负载电流，并通过基于负...

根据本发明构思的一个方面的操作计算设备的方法可以包括访问第二层存储器的页，检查访问所花费的时间，基于访问所花费的时间检查页的访问总数，以及基于页的访问总数确定是否终止将页升级到第一层存储器和升级的时机。

提供半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：包括硅的半导体层、在所述半导体层上的第一硅化物层、和设置在所述第一硅化物层上的第二硅化物层。所述第一硅化物层包括不同于钛的金属，并且所述第二硅化物层包括具有C54结晶结构的TiSi<...

公开了电子装置。所述电子装置包括：多个第一晶体管，被包括在正常模式下的第一电源节点与第二电源节点之间的第一电流路径中，正电源电压被配置为被施加至第一电源节点，负电源电压被配置为被施加至第二电源节点；以及第一保护晶体管，连接到第一节点，所...