半导体装置制造方法及图纸

半导体装置包括：沟道层；势垒层，其位于沟道层上方并且包括具有与沟道层的能带隙不同的能带隙的材料；栅电极，其位于势垒层上方；栅极半导体层，其位于势垒层与栅电极之间；第一源电极，其位于栅电极的第一侧上；以及第一漏电极，其位于作为栅电极的相对侧的第二侧上，第一源电极和第一漏电极各自连接到沟道层；下保护层，其覆盖势垒层和栅电极；第一场分散板，其连接到第一源电极并且位于下保护层上方；以及第一层间绝缘层，其位于第一场分散板和下保护层上方并且包括相对于整个第一层间绝缘层的第一含量(at％)的第一元素。下保护层包括第一元素，相对于整个下保护层的第一元素的第二含量(at％)小于第一含量(at％)。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体装置。

技术介绍

1、在现代社会中，半导体装置与日常生活密切相关。具体地，在诸如交通领域(诸如电动汽车、铁路、电车)、可再生能源系统(诸如太阳能发电和风力发电)和移动装置的各种领域中使用的电力半导体装置的重要性逐渐提高。电力半导体装置是用于处理高电压或高电流的半导体装置，并且在大型电力系统或高电力电子装置中执行诸如电力转换和控制的功能。电力半导体装置具有处理高电力的能力和耐用性，从而处理大量电流并承受高电压。例如，电力半导体装置可以处理数百伏至数千伏的电压和数十安培至数千安培的电流。电力半导体装置可以通过最小化电力损失来改善电能使用的效率。此外，即使在诸如高温的环境中，电力半导体装置也可以稳定操作。

2、这些电力半导体装置可以根据材料进行分类，并且示例包括sic电力半导体装置和gan电力半导体装置。通过使用sic或gan而不是传统的硅晶片(si晶片)制造电力半导体装置，可以补偿硅在高温下具有不稳定特性的缺点。sic电力半导体装置耐高温并且具有低电力损耗，并且可以适用于电动汽车、可再生能源系统等。gan电力半导体装置需要高成本，但本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中：

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中：

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中：

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

9.根据权利要求所8述的半导体装置，其中：

10.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中：...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中：

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中：

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中：

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

9.根据权利要求所8述的半导体装置，其中：

10.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

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【专利技术属性】
技术研发人员：朴俊赫，金钟燮，梁成锡，吴在浚，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：