三星电子株式会社专利技术

三星电子株式会社共有64087项专利

  • 用于电极‑固体电解质的子组件、包括其的全固态电池、以及制备全固态电池的方法。所述电极‑固体电解质子组件包括:电极,所述电极包括具有第一侧和相反的第二侧的多孔集流体;弹性层,所述弹性层包括弹性聚合物并设置在所述多孔集流体的所述第一侧上;和...
  • 提供一种放大装置以及操作放大装置的方法。所述放大装置包括:脉冲生成电路,被配置为从输入信号和三角波信号生成脉冲信号;驱动器电路,被配置为基于多个操作电压之中的第一对操作电压来输出与脉冲信号对应的输出信号;以及三角波生成电路,被配置为生成...
  • 提供蚀刻组合物、使用其蚀刻含金属的层的方法、以及使用其制造半导体器件的方法,所述蚀刻组合物包括含高价碘的化合物。
  • 提供存储器装置及其操作方法和电子装置。所述存储器装置包括存储器阵列、地址生成器、数据寄存器和处理单元。地址生成器被配置为从主机接收指令和所述指令的基地址,并且通过顺序地将偏移与基地址相加来顺序地生成用于执行所述指令的操作的目标地址。数据...
  • 提供了一种电子设备和电源管理设备的操作方法,该电子设备包括:被配置为接收输入电压并基于输入电压输出第一电压的第一电源管理设备,以及被配置为从第一电源管理设备接收第一电压并基于第一电压进行操作的至少一个消耗者。第一电源管理设备包括:开关调...
  • 提供了用户设备、操作基站的方法和操作无线通信系统的方法,所述用户设备允许通过基于所述用户设备的能力信息确定所述用户设备的噪声分量之中的内部噪声是否是主要因子,并且在内部噪声是主要因子时执行调整将要发送到用户设备的信号和信道中的至少一个的...
  • 提供一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括:半导体图案,在第一方向上延伸;位线,在与第一方向垂直的第二方向上延伸并且连接到半导体图案在第一方向上的第一端;单元电容器,在第一方向上延伸并且连接到半导体图案在第一方向上的第二端;栅极...
  • 一种半导体器件包括:第一芯片结构;以及在第一芯片结构上的第二芯片结构。第一芯片结构包括:基底基板;在基底基板上的存储结构;在存储结构上的第一基板;穿透第一基板的第一贯穿通路;设置在第一基板上的第一布线结构;在第一布线结构的上表面上的第一...
  • 一种多位运算装置包括:多个多位单元;以及转换器,被配置为将第二求和数据转换为数字数据,并且所述多个多位单元中的每个多位单元包括:存储器,被配置为存储与多位权重对应的权重电阻;电流源,被配置为将电流施加到存储器;多个复用器,彼此并联连接并...
  • 提供了一种相位插值器和包括相位插值器的存储器装置。所述相位插值器根据具有多个相位的多个输入提供一对差分输出,所述相位插值器包括:主数模转换器(DAC)电路,被配置为:根据主码对所述多个输入之中的具有正交相位的第一输入和第二输入进行相位插...
  • 集成电路装置可以包括:半导体区域;绝缘壁,在第一横向方向上延伸并且在垂直方向上穿过半导体区域之中的在第二横向方向上彼此邻近的一对半导体区域之间;一对纳米片堆叠件,在垂直方向上与所述一对半导体区域叠置并且面对所述一对半导体区域的前侧表面;...
  • 本公开提供了一种显示系统及其控制方法。根据本公开的一个实施例的显示系统包括:至少一个源装置;以及至少一个模块化显示装置,包括多个机柜,并且连接到至少一个源装置,其中,至少一个源装置中的每一个包括:输出接口;通信接口,连接到至少一个模块化...
  • 提供了包括屏蔽线的存储器装置和控制其屏蔽电压的方法。所述存储器装置包括:存储器单元阵列,包括多个存储器单元;多条位线,连接到所述多个存储器单元;多条屏蔽线,各自布置在所述多条位线之间;以及屏蔽线控制电路,被配置为基于从所述存储器装置的外...
  • 提供了制造器件隔离层的方法和使用其制造半导体器件的方法。制造器件隔离层的方法包括:在衬底中形成沟槽;通过热氧化工艺在衬底的顶表面上和沟槽的内壁上共形地形成第一绝缘层;通过原子层沉积工艺在第一绝缘层上形成第二绝缘层,使得第二绝缘层的一部分...
  • 一种半导体器件,包括:外围电路结构;以及单元结构,包括:栅电极,在第一方向上延伸,并且在第二方向上彼此间隔开,其中,栅电极限定在第二方向上延伸的沟道孔;沟道层,包括第一区域和第二区域;公共源极层,电连接到沟道层的第二区域;上绝缘层,在公...
  • 半导体器件包括:第一半导体芯片,所述第一半导体芯片包括半导体基板和设置在所述半导体基板上的布线结构体,所述半导体基板包括多个电路元件,并且所述布线结构体包括多个布线层和设置在所述多个布线层中的一个或多个电源门控元件,并且所述电源门控元件...
  • 公开存储器内计算(IMC)装置和操作IMC装置的方法。所述IMC装置具有在第一模式与第二模式之间交替的模式,并且所述IMC装置包括:输入控制电路,被配置为根据操作模式,将预定义模式应用于输入信号和/或发送作为反馈的先前运算结果的处理后的...
  • 一种半导体器件包括:第一有源图案和第二有源图案,所述第一有源图案和所述第二有源图案在第一方向上彼此相邻,并且均包括彼此间隔开的第一边缘部分和第二边缘部分;字线,所述字线在所述第一有源图案和所述第二有源图案中的每一者的所述第一边缘部分与所...
  • 提供了制造半导体封装件的方法。所述方法可使用载体基底,并且可包括:在器件基底上形成第一胶层;在第一胶层上形成第二胶层;通过将第二胶层接合到载体基底来将器件基底结合到载体基底;通过研磨器件基底来减薄器件基底;在减薄器件基底之后,在器件基底...
  • 公开了一种集成电路装置和一种电子系统。该集成电路装置包括:基板;沟道区域,其布置在基板中;栅极结构,其布置在沟道区域上,并且包括顺序地堆叠的栅极介电层、栅电极和栅极封盖层、以及在栅极介电层、栅电极和栅极封盖层的第一相应的相对侧壁和第二相...