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三井化学株式会社专利技术
三井化学株式会社共有2891项专利
半导体晶片表面保护用粘结膜及用该粘结膜的半导体晶片的保护方法技术
本发明的半导体晶片表面保护用粘结膜在基体材料膜的单侧表面上形成粘结剂层,该粘结剂层含有:100重量份的具有可与交联剂反应的官能团、动态粘弹性的tanδ成为最大的温度(Ta)在-50~5℃的聚合物(A);10~100重量份的具有可与交联剂...
半导体晶圆表面保护用粘合薄膜及使用该粘合薄膜的半导体晶圆保护方法技术
本发明涉及一种半导体晶圆表面保护用粘合薄膜及使用该粘合薄膜的半导体晶圆保护方法。所述半导体晶圆表面保护用粘合薄膜在熔点至少为200℃、厚度为10~200μm的基材薄膜表里两面形成了150℃下的储能模量至少为1×10↑[5]Pa、厚度为3...
粘合性树脂及使用该粘合性树脂的薄膜状粘合剂制造技术
粘合性树脂,由以下述式(1)的二胺成分作为必要成分的二胺成分和四羧酸二酐成分发生反应得到的聚酰亚胺系树脂构成。各成分是,在二胺成分中含有特定结构的硅氧烷系二胺,和/或四羧酸二酐成分中含有特定结构的硅氧烷系酸二酐。使用由该粘合性树脂、以及...
光聚合性组合物及其用途制造技术
一种光聚合性组合物,含有聚合性化合物和光聚合引发剂,其特征在于,作为该聚合性化合物含有(a)在分子内含有硫原子的2官能性的(甲基)丙烯酸(硫)酯化合物,和(b)用通式(1)表示的(甲基)丙烯酸酯化合物或者具有尿烷键的2官能性的(甲基)丙...
多孔质薄膜的改质方法及被改质的多孔质薄膜及其用途技术
本发明为一种主要由Si-O结合构成的多孔质薄膜的改质方法,其将具有1个或1个以上的Si-X-Si结合单元(X表示O、NR、C↓[n]H↓[2n]或C↓[6]H↓[4]、R表示C↓[m]H↓[2m+1]或C↓[6]H↓[5]、m为1~6的...
半导体晶片表面保护膜及使用该保护膜的半导体晶片的保护方法技术
本发明提供一种即使是半导体晶片被薄层化至厚度小于等于200μm的情况,也能够防止其破损的半导体晶片表面保护膜及使用该保护膜的半导体晶片的保护方法。本发明的半导体晶片表面保护用粘接膜,其为在基材膜的单表面形成有粘着剂层的半导体晶片表面保护...
环氧树脂组合物及其固化物制造技术
本发明涉及将特定的三芳基膦取代化合物用作固化促进剂的环氧树脂组合物、该环氧树脂组合物的固化物及使用该环氧树脂组合物形成的半导体装置。
薄膜状粘结剂以及使用该粘结剂的半导体封装体制造技术
本发明提供低温粘接性和埋入性优异的能够在半导体封装体内适宜地使用的具有芯片键合薄膜功能的薄膜状粘结剂,以及低温粘接性和埋入性优异的同时起到芯片键合薄膜的功能和切割胶带的功能的薄膜状粘结剂。本发明的薄膜状粘结剂,其特征在于,包括含有玻璃转...
粘接膜及使用该粘接膜的金属制膜方法技术
本发明涉及防止半导体晶片在金属制膜时的金属非制膜面的损伤,还能够减少晶片表面污染的粘接膜。通过用在至少层叠1层气体透过度小于等于5.0cc/m↑[2].day.atm的膜的基材膜的单表面形成有粘接剂层的粘接膜,保护金属非制膜面,可以省却...
研磨用浆料制造技术
本发明提供了显著抑制划伤(scratch)或碟陷(dishing)、侵蚀(erosion)发生的研磨用浆料。所述研磨用浆料为含有有机粒子(A)、氧化剂、络合剂的研磨用浆料,所述有机粒子(A)为,表面含有能够与被研磨金属反应的官能团的有机...
粘着薄膜及使用其的半导体装置的制造方法制造方法及图纸
本发明提供了在切割工艺中作为切割胶带发挥作用,切割性、拾取性优良的粘着胶带,提供了在半导体元件和支持的接合工艺中连接可靠性优良的粘接胶带。该粘着胶带包括含有烯烃系聚合物的粘着剂层(A)和粘着剂层(B)邻接层叠形成的层,其特征为所述层(A...
改性酚树脂、含有它的环氧树脂组合物及使用该组合物的预浸料坯制造技术
本发明的改性酚树脂是酚化合物和具有2价连接基团的化合物的交替共聚物,其具有羟基的芳香环的侧链被通式(1-1)所示的基团所取代。使用该改性酚树脂作为环氧树脂固化剂,能在无损于凝胶化时间、玻璃化转变温度、吸湿率和机械物性等以往酚树脂所具有的...
半导体晶片表面保护薄片及使用其的半导体晶片保护方法技术
本发明提供一种即使在半导体晶片电路形成面上有非常大的凹凸,也能够防止半导体晶片破损的半导体晶片表面保护薄片。本发明的半导体晶片表面保护用薄片的特征在于,至少含有一层具有G’(60)/G’(25)<0.1关系的树脂层(A),其中,G’(6...
研磨材料浆及使用该浆料的研磨材料制造技术
本发明提供一种可以确保良好的研磨速度的同时抑制底层的损伤的研磨材料浆。该研磨材料浆包括含有酰胺基的树脂(A)和有机树脂(B)。
正型感光性树脂组合物以及图案形成方法技术
一种正型感光性树脂组合物,其特征在于,含有100重量份具有下述式(1)所示结构单元的聚酰亚胺前体(A)、15~25重量份由下述式(2)所示的交联剂(B)和2~5重量份通过活性光线照射而产生酸的感光剂(C), *** …(1) ...
多孔质二氧化硅的制造方法及制造装置制造方法及图纸
本发明提供兼有低介电常数和高机械强度、可适用于光机能材料、电子机能材料等的多孔质二氧化硅和多孔质二氧化硅薄膜的制造方法、使用该多孔质二氧化硅薄膜的层间绝缘膜、半导体用材料、半导体装置的制造方法以及用于制造这些的制造装置。将包含烷氧基硅烷...
复合片材及其用途制造技术
本发明的课题在于提供一种具有良好生产率的密封片材,所述密封片材是能代替目前广泛使用的由EVA形成的密封膜进行使用的密封片材,透明性、耐热性以及与聚丙烯树脂的粘合性良好。一种密封片材(Ⅰ),由热塑性树脂组合物形成,所述热塑性树脂组合物由0...
太阳能电池密封材料、太阳能电池密封用片材及使用其的太阳能电池组件制造技术
[课题]本发明提供一种太阳能电池密封材料,所述太阳能电池密封材料使用烯烃类(共)聚合物,具有优异的柔软性、应力吸收能力、透明性、低温耐冲击强度等的同时,能根据需要省略交联来改善生产率。〔解决方法〕一种太阳能电池密封材料,含有1~40重量...
树脂制中空封装及其制造方法技术
本发明提供一种树脂制中空封装,该树脂制中空封装含有防湿用岛,所述防湿用岛是在树脂制中空封装的半导体元件搭载面的下部上设置的板状的结构体,半导体元件搭载面的面积为200mm↑[2]以上,并且,半导体元件搭载面的起伏曲线的最高起伏为35μm...
图像显示装置用真空封装及图像显示装置用密封材料制造方法及图纸
本发明涉及能够在未满400℃的温度范围内密封、高温下的强度良好的无铅有机系密封材料。具体涉及用于密封构成图像显示装置的真空封装的封装构件的有机系密封材料,前述有机系密封材料的焙烧体的大于等于300℃未满400℃的温度范围内的最低粘度小于...
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