本发明公开一种判断单晶硅片侧面晶向偏转角度的方法，涉及晶体生长技术领域，包括：将单晶硅片按照其解理面破裂；选择破碎的单晶硅片的断裂面，断裂面包含至少一个直角的端面角度，且断裂面的一个边缘面为单晶硅片的边缘面；量测断裂面中单晶硅片的边缘面...

本实用新型提供了一种可抗PID的硅片表面镀膜的臭氧喷淋系统，包括支撑钢架和臭氧电柜，支撑钢架的上方固定安装有臭氧电柜，臭氧电柜内壁的的上方固定安装有蜂鸣器，臭氧电柜内部的左侧固定安装有臭氧发生器，臭氧发生器右侧的排气端固定安装有排气管，...

本发明公开了一种铸锭炉、铸锭晶体硅及其制备方法，铸锭炉包括炉体顶部，中部和底部，炉体内部为炉腔，炉腔内设有隔热笼，隔热笼内设有保温组件，保温组件由护板和底板形成一个容纳空间承载坩埚，保温组件还包括封盖在坩埚上的盖板，其中，炉体中部开设有...

本实用新型提供了一种太阳能硅片、电池输送带硅微粉处理装置，包括外箱体和输送带，外箱体的上方通过输送轮转动连接有输送带，外箱体内部的左下方和右下方分别安装有真空泵和硅微粉储罐，外箱体的上方和中部分别安装有上轴承箱和下轴承箱。本实用新型可实...

本实用新型公开了一种太阳能电池烧结炉，包括炉体，加热装置，传输装置，加热装置设置在炉体的上下内壁上，传输装置设置在所述炉体内，传输装置包括传送带和传输支架，传送带沿着一个方向传输，传输支架为电池片的载体，传输支架为三角形支架，传输支架左...

本发明提供了一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法，包括：(1)将类单晶硅锭的开方尺寸相同的单晶硅籽晶拼接铺设在坩埚底部，形成籽晶层；并利用该籽晶层制得类单晶硅锭；(2)将类单晶硅锭的底面朝上，将底面上的籽晶拼接缝用缝隙标记线标出，并使其延...

本发明提供了一种铸造单晶硅的籽晶铺设方法，包括：提供坩埚，在所述坩埚底部间隔铺设上下表面平整的垫片，形成垫片层；在所述垫片层上铺设至少一个支撑片，以形成覆盖所述垫片及其之间空隙的支撑片层；依次交替设置所述垫片层和支撑片层，以形成(AB)

本实用新型公开了一种太阳能电池片色差分选系统，所述太阳能电池片为镀膜电池片，所述分选系统包括检测装置，所述检测装置包括支架、操作平台、光源，所述操作平台和所述光源都固定在所述支架上，所述操作平台用于放置所述电池片，所述操作平台呈处于水平...

本申请提供了一种叠层太阳能电池，包括层叠设置的铁电‑钙钛矿电池和晶硅电池，所述铁电‑钙钛矿电池具有铁电‑钙钛矿层。该铁电‑钙钛矿电池中具有铁电‑钙钛矿层，其结晶质量优异，减少了孔洞缺陷的产生，提高了内部的内建电场，改善载流子分离和传输效...

本技术方案公开了一种铸造单晶硅片黑丝的去除方法，HIT异质结太阳能电池及其制备方法，铸造单晶硅片黑丝的去除方法包括：高温磷扩散退火，将铸造单晶硅片放入热处理炉中，抽真空，并加热温度至不低于1200℃，在保护气氛下通三氯氧磷进行表面磷扩散...

本发明公开了一种掺镓晶体硅锅底料的回收方法，包括以下步骤：砸碎；将锅底料砸碎，制备得到一定粒度的小料；烘烤；将所述小料在一定温度下烘烤一定时间，并自然降温冷却；酸洗；将所述烘烤完的所述小料浸入酸溶液中进行一定时间的酸洗；清洗烘干；将酸洗...

本发明实施例提供了一种籽晶铺设方法，包括：提供坩埚，在所述坩埚的底部铺设籽晶层，所述籽晶层包括由若干块第一籽晶和第二籽晶拼接形成，其中，两两相邻的四块所述第一籽晶拼接的结构中部形成一镂空部，所述第二籽晶填充在所述镂空部内。由所述籽晶铺设...

本发明公开了一种铸造单晶硅用籽晶的制备方法、铸造单晶硅用籽晶和铸造单晶硅。铸造单晶硅用籽晶的制备方法的步骤为：利用定向凝固方法制备铸造单晶硅锭；将所述铸造单晶硅锭切割成原始籽晶；对所述原始籽晶进行热处理，得到所述籽晶，所述热处理的温度不...

本发明实施例提供了一种定向凝固生长晶体硅的铸锭炉，包括：炉体，所述炉体包括相互配合的上炉体和下炉体，所述下炉体底部设置一轴孔；支撑台，所述支撑台包括旋转轴和固定在所述旋转轴一端的热交换台，所述热交换台上设有坩埚；所述旋转轴的另一端穿过所...

本发明提供了一种用于铸造单晶硅的单晶籽晶铺设方法，包括：在坩埚底部将条状的边皮籽晶与厚度相等的其他条状籽晶等单晶籽晶进行夹条式铺设，形成单晶籽晶层，其中，相邻的两个单晶籽晶的侧面晶向的角度偏差在4‑30°范围。所形成的单晶籽晶层中相邻的...

本发明提供了一种边皮籽晶的制备方法，包括：在生长面晶向为(100)的单晶硅圆棒的横截面上确定四条开方标记线，将所述四条开方标记线沿背离所述单晶硅圆棒的横截面圆心的方向平移ΔL，得到四条边皮切割标记线；使用线切割切机同时沿着所述开方标记线...

本实用新型提供了一种用于半熔工艺的坩埚，包括坩埚本体和设置在所述坩埚本体内的硅板，所述坩埚本体包括底座和由所述底座向上延伸的侧壁，所述硅板设置在所述底座上，所述硅板为多晶硅薄板、切片余料板、或所述多晶硅薄板和所述切片余料板交替层叠形成的...

本实用新型提供了一种用于晶体硅铸锭炉的导流装置，包括固定套筒和至少一个中空的导流筒，所述固定套筒用于将所述导流筒固定在所述晶体硅铸锭炉上；所述导流筒两端口之间的筒壁内侧上设有螺旋凹槽，气体经所述导流装置后能形成螺旋气流。通过所述导流装置...

本实用新型提供了一种切片装置，用于对硅块进行切片处理，包括晶托、设置在所述晶托表面的树脂板和设置在所述树脂板表面的防粘层，所述树脂板表面设有多个预设区域，所述防粘层设置于相邻两个所述预设区域之间，所述预设区域用于进行所述切片处理时粘附所...

本实用新型提供了一种可调节侧部加热器，包括多块加热器单体、多个角连接件和至少两个连接吊臂，所述角连接件设置在两相邻加热器单体之间，使多个所述加热器单体首尾相连；所述角连接件包括连接设置的第一连接部和第二连接部，所述第一连接部和所述第二连...