用于铸造单晶硅的籽晶铺设方法、单晶硅锭及其铸造方法技术

本发明专利技术提供了一种铸造单晶硅的籽晶铺设方法，包括：提供坩埚，在所述坩埚底部间隔铺设上下表面平整的垫片，形成垫片层；在所述垫片层上铺设至少一个支撑片，以形成覆盖所述垫片及其之间空隙的支撑片层；依次交替设置所述垫片层和支撑片层，以形成(AB)

【技术实现步骤摘要】
用于铸造单晶硅的籽晶铺设方法、单晶硅锭及其铸造方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，具体涉及一种用于铸造单晶硅的籽晶铺设方法、单晶硅锭及其铸造方法。

技术介绍

[0002]自进入本世纪以来，光伏产业成为了世界上增长最快的高新技术产业。在各类太阳能电池中，晶体硅(单晶、多晶)太阳能电池占有极其重要的地位。其中，作为生产太阳能电池的主要原料之一，单晶硅的制造方法包括直拉法和铸造法，其中，铸造法因单次投料量大、生产成本低而成为单晶硅的主流制造方法。
[0003]目前单晶硅的铸造方法是将单晶籽晶铺设在石英坩埚底部，在熔化阶段保持籽晶不完全熔化，在单晶籽晶上进行引晶生长，得到的硅锭可以叫单晶硅锭，或类单晶硅锭。但目前铸锭单晶硅所使用的籽晶厚度通常大于30mm，这在一定程度上增加了铸锭单晶硅的成本；此外，单晶硅籽晶是与石英坩埚直接接触，在高温条件下石英坩埚中的杂质容易扩散到单晶硅籽晶中，增加了铸锭单晶硅锭中的底部寿命不良区(即，尾部红区)的长度。

技术实现思路

[0004]鉴于此，本专利技术提供了一种单晶硅锭的铸造方法及铸本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于铸造单晶硅的籽晶铺设方法，其特征在于，包括：提供坩埚，在所述坩埚底部间隔铺设上下表面平整的垫片，形成垫片层；在所述垫片层上铺设至少一个支撑片，以形成覆盖所述垫片及所述垫片之间空隙的支撑片层；其中，所述垫片和所述支撑片独立地选自熔点在1400℃以上且纯度在99.99％以上的高纯薄片；依次交替设置所述垫片层和支撑片层，以形成(AB)
n
排布形式的架空结构，其中，A为垫片层，B为支撑片层，n为大于或等于1的整数；在所述架空结构上铺设单晶硅籽晶，形成籽晶层。2.如权利要求1所述的籽晶铺设方法，其特征在于，所述n为1-4的整数。3.如权利要求1或2所述的籽晶铺设方法，其特征在于，所述架空结构的高度为10-120mm。4.如权利要求3所述的籽晶铺设方法，其特征在于，所述垫片层的厚度为5-15mm；所述支撑片层的厚度为5-15mm。5.如权利要求1所述的籽晶铺设方法，其特征在于，相邻两个所述垫片之间的间距小于所述支撑片的宽度。6.如权利要求5所述的籽晶铺设方法，其特征在于，相邻两个所述垫片之间的间距为50mm-150mm；所述支撑片的宽度为100-200m...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷琦，何亮，李建敏，程小娟，邹贵付，甘胜泉，陈仙辉，
申请(专利权)人：赛维LDK太阳能高科技新余有限公司，
类型：发明
国别省市：