本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该方法包括：提供第一衬底，第一衬底的第一表面上依次形成有第一绝缘层和敏感膜层，敏感膜层上形成有介质层，介质层中形成有与敏感膜层贴合的第一电极，介质层上形成有第一键合金属环结构；提供第二衬底...

本申请提供了一种MEMS器件的制作方法以及MEMS器件，该方法包括：提供基底，基底包括衬底、阻挡层、牺牲层以及导电结构，其中，阻挡层包括本体部以及多个凸出部，本体部位于衬底上，多个凸出部间隔的位于本体部远离衬底的表面上，导电结构位于阻挡...

本申请提供了一种微流控器件的制作方法以及微机电系统，该方法包括：第一提供步骤，提供第一衬底；第二提供步骤，提供待键合结构，待键合结构包括基底以及位于基底中的腔体，基底具有相对的正面以及背面，腔体位于基底的背面所在的一侧；键合步骤，以背面...

本发明提供了一种半导体器件的临时键合与解键合的方法及半导体器件。该方法包括以下步骤：提供第一预键合单元，第一预键合单元具有相对的第一表面和第二表面；提供第二预键合单元，第二预键合单元具有第三表面；通过光敏树脂将第三表面与第二表面临时键合...

本申请提供了一种微流控器件的制作方法以及微机电系统，该方法包括：提供基底，基底包括衬底、第一介电层、第二介电层以及电极层，其中，衬底具有相对的第一表面和第二表面，第一介电层位于第一表面上，第二介电层位于第二表面上，且使得部分第二表面裸露...

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；在半导体衬底的第一表面上依次形成隔离层和牺牲层，牺牲层用于形成空腔；在牺牲层中形成隔离结构，隔离结构包围牺牲层中用于形成空...

一种溅射装置及使用其形成半导体结构的方法，所述溅射装置包括至少一个溅射腔室，且每个溅射腔室包括承载台和靶材结构。承载台被配置为承载待镀膜的基板，且可绕沿第一方向的旋转轴旋转，第一方向垂直于承载台配置为承载基板的主表面，其中承载台包括被配...

本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括衬底基板、压电层、第一电极、阻挡结构、空腔以及支撑层；压电层位于衬底基板的一侧；第一电极位于压电层的靠近衬底基板的一侧；阻挡结构在垂直于衬底基板主表面的第一方向上位于压电层和...

一种图案化方法和半导体结构的制造方法，所述图案化方法包括：在衬底基板上形成第一掩膜材料层和第二掩膜材料层；移除第二掩膜材料层的一部分，以形成第二掩膜层；移除第一掩膜材料层的一部分，以形成第一掩膜层，并在第一掩膜层的侧边在第二掩膜层的屋檐...