本申请提供一种晶圆对准装置及其控制方法和半导体设备，晶圆对准装置包括对位件、覆盖部和驱动装置，对位件设置于承载台的边缘，适于对准置于承载台上的晶圆的平边；覆盖部包围对位件的部分外周面；驱动装置传动连接对位件和覆盖部中的至少一者，驱动装置...

本公开实施例提供一种晶圆测试方法和晶圆测试设备，所述方法包括：提供具有晶圆装置区和晶圆边缘区的晶圆，晶圆边缘区环绕晶圆装置区；提供具有测试台盘的晶圆测试设备，测试台盘包括主体承载部和边缘承载部，边缘承载部环绕主体承载部，且包括真空吸附通...

一种半导体加工工艺方法和半导体器件，半导体加工工艺方法包括：在衬底上形成具有掩膜开口的图案化的掩膜层；进行蒸发工艺，以在衬底和图案化的掩膜层上形成金属材料层，金属材料层包括形成在被掩膜开口暴露出的衬底上的金属图案以及形成在图案化的掩膜层...

一种半导体结构的制造方法，包括：提供第一衬底基板和第二衬底基板；进行键合工艺，以将第一衬底基板和第二衬底基板彼此键合，并形成键合结构，键合工艺包括在多个工站中使用多个彼此独立的机台进行的多个工艺步骤，且包括：使用膜层形成设备在第一衬底基...

本公开实施例提供一种电容式压力传感器及其制造方法、电子装置，所述制造方法包括：在衬底的第一侧上形成第一介质层、第一电极层、第二介质层和第二电极层；在第二电极层中形成第一电极过孔和第二电极过孔；移除第二介质层的被第二电极过孔暴露出的部分，...

一种半导体衬底的制备方法，包括：提供第一衬底和第二衬底；对所述第一衬底的相对的第一表面和第二表面进行氧化处理以形成第一氧化层和第二氧化层；对所述第一衬底的所述第一表面进行刻蚀处理以形成凹槽结构，并保留部分所述第一氧化层；将所述第二衬底和...

一种封装结构及其制作方法和电子产品。该封装结构包括衬底、电路板、衬底焊盘、电路板焊盘和导电球；电路板与衬底相对间隔设置，衬底焊盘位于衬底上，电路板焊盘位于所述电路板上，导电球位于衬底焊盘和电路板焊盘之间；衬底包括焊盘区域，衬底焊盘位于焊...

一种半导体结构的制造方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆包括第一晶圆主体部和第一晶圆边缘部，第二晶圆包括第二晶圆主体部和第二晶圆边缘部；在第一晶圆和第二晶圆的至少一者上形成键合层；进行键合工艺，以将第一晶圆和第二晶圆通过键合层彼...

一种半导体加工托盘和半导体器件的制作方法。该半导体加工托盘包括托盘底板和托盘侧壁；托盘侧壁围绕托盘底板，并与托盘底板的边缘相连；托盘底板包括承载部和防粘连部，承载部被配置为承载半导体器件，防粘连部围绕承载部，且位于承载部与托盘侧壁之间，...

本公开实施例提供一种晶圆加工方法和半导体结构，晶圆加工方法包括：提供待加工的晶圆和工艺机台，工艺机台包括具有卡槽的承载盘及包括弹性部件和卡持部件的弹性紧固件；将晶圆垫片置于承载盘上；将待加工的晶圆置于晶圆垫片的远离承载盘的一侧；将卡持部...

一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成敏感材料层；在所述敏感材料层上形成牺牲层，所述牺牲层中形成有贯穿所述牺牲层的沟槽，所述沟槽用于定义空腔结构的边界；刻蚀所述沟槽底部露出的所述敏感材料层，以在...

本申请提供一种晶圆对准装置和半导体设备，晶圆对准装置包括对位件、覆盖部和驱动装置，对位件设置于承载台的边缘，适于对准置于承载台上的晶圆的平边；覆盖部包围对位件的部分外周面；驱动装置传动连接对位件和覆盖部中的至少一者，驱动装置配置为：驱动...

一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供敏感材料层；在敏感材料层的第二表面上形成牺牲层和包围牺牲层的边墙层，边墙层的顶部形成有连接牺牲层的释放孔，边墙层的底部与敏感材料层的第二表面之间形成有界面层；自敏感材料层的第一表面起对敏感材...

一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成敏感材料层；在敏感材料层上形成第一牺牲层和环绕所述第一牺牲层的第一边墙层，所述第一边墙层具有第一宽度；在所述第一牺牲层和所述第一边墙层上方形成第二牺牲层和包围所...

一种半导体加工工艺方法和半导体器件，所述半导体加工工艺方法包括：形成包括衬底、金属结构和图案化的掩膜层的中间结构；将中间结构置于刻蚀机台的刻蚀腔室中，并在刻蚀腔室中使用刻蚀物质对金属结构进行刻蚀工艺，刻蚀工艺以图案化的掩膜层作为刻蚀掩膜...

本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该方法包括：第一衬底上形成有第一绝缘层和敏感膜层，敏感膜层上形成有介质层，介质层中形成有第一电极，介质层露出第一电极的部分表面，第一电极引出结构与露出的第一电极的表面贴合并延伸至介质层的表...

本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该方法包括：提供第一衬底，第一衬底的第一表面上依次形成有第一绝缘层和敏感膜层，敏感膜层上形成有介质层，介质层中形成有与敏感膜层贴合的第一电极，介质层上形成有第一键合金属环结构；提供第二衬底...

本申请提供了一种MEMS器件的制作方法以及MEMS器件，该方法包括：提供基底，基底包括衬底、阻挡层、牺牲层以及导电结构，其中，阻挡层包括本体部以及多个凸出部，本体部位于衬底上，多个凸出部间隔的位于本体部远离衬底的表面上，导电结构位于阻挡...

本申请提供了一种微流控器件的制作方法以及微机电系统，该方法包括：第一提供步骤，提供第一衬底；第二提供步骤，提供待键合结构，待键合结构包括基底以及位于基底中的腔体，基底具有相对的正面以及背面，腔体位于基底的背面所在的一侧；键合步骤，以背面...

本发明提供了一种半导体器件的临时键合与解键合的方法及半导体器件。该方法包括以下步骤：提供第一预键合单元，第一预键合单元具有相对的第一表面和第二表面；提供第二预键合单元，第二预键合单元具有第三表面；通过光敏树脂将第三表面与第二表面临时键合...