本申请提供了一种微流控器件的制作方法以及微机电系统，该方法包括：提供基底，基底包括衬底、第一介电层、第二介电层以及电极层，其中，衬底具有相对的第一表面和第二表面，第一介电层位于第一表面上，第二介电层位于第二表面上，且使得部分第二表面裸露...

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；在半导体衬底的第一表面上依次形成隔离层和牺牲层，牺牲层用于形成空腔；在牺牲层中形成隔离结构，隔离结构包围牺牲层中用于形成空...

一种溅射装置及使用其形成半导体结构的方法，所述溅射装置包括至少一个溅射腔室，且每个溅射腔室包括承载台和靶材结构。承载台被配置为承载待镀膜的基板，且可绕沿第一方向的旋转轴旋转，第一方向垂直于承载台配置为承载基板的主表面，其中承载台包括被配...

本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括衬底基板、压电层、第一电极、阻挡结构、空腔以及支撑层；压电层位于衬底基板的一侧；第一电极位于压电层的靠近衬底基板的一侧；阻挡结构在垂直于衬底基板主表面的第一方向上位于压电层和...

一种图案化方法和半导体结构的制造方法，所述图案化方法包括：在衬底基板上形成第一掩膜材料层和第二掩膜材料层；移除第二掩膜材料层的一部分，以形成第二掩膜层；移除第一掩膜材料层的一部分，以形成第一掩膜层，并在第一掩膜层的侧边在第二掩膜层的屋檐...