本发明的气密密封用盖材(10)由包层材(20)构成，该包层材(20)包括含有Ag和Cu的银焊料层(21)和接合在银焊料层上且使用Fe或Fe合金而构成的第一Fe层(22)。气密密封用盖材通过包层材被弯曲而形成为包含凹部(13)的箱型形状。

本发明提供一种磁传感器，其具备：基板；与电源端子连接且磁敏方向相同的两个磁阻效应元件；与接地端子连接且磁敏方向相同的两个磁阻效应元件；以及包含第一偏置施加部和第二偏置施加部的偏置线圈，该第一偏置施加部向配置有与电源端子连接的磁阻效应元件...

即使在膜片采用了不锈钢的情况下，膜片和应变传感器也不会彼此剥离，不易受到使用环境温度的影响，并且，压力传感器的灵敏度不仅仅由构成膜片的材料的力学特性支配，能够提高构成压力传感器的部件的设计自由度。为解决上述技术问题，本发明的压力传感器的...

在使用于小直径的卷绕磁心等的情况下，以往的含有Co、Ni的Fe基软磁性合金薄带存在如下问题：即使进行了磁场中热处理，也难以感生出在一个方向上整齐地排列的磁各向异性，无法实现线性良好、整体上斜率不陡峭的平坦形状的B‑H曲线；剩余磁通密度B...

本发明提供氯乙烯树脂组合物以及使用其的绝缘电线和绝缘电线的制造方法。该氯乙烯树脂组合物为阻燃性以及电特性、热稳定性、耐寒性和成型加工性都优异的氯乙烯树脂组合物。所述氯乙烯树脂组合物含有氯乙烯树脂、增塑剂、非晶态二氧化硅、水滑石和烧成粘土...

本实用新型提供一种由于结构简单而不易发生故障、通用性高且量产性好的转向用开关装置以及方向盘。一种搭载在方向盘(20)上的转向用开关装置(1)，其具备：线状开关(2)，其具有复原性的中空绝缘体(4)、一边相互保持非接触状态一边沿着中空绝缘...

准备R‑T‑B系烧结磁体原材料和Pr‑Ga合金。烧结磁体原材料含有R：27.5～35.0质量％(R为稀土元素中的至少一种，必包含Nd)、B：0.80～0.99质量％、Ga：0～0.8质量％、M：0～2质量％(M为Cu、Al、Nb、Zr中...

包括在R－T－B系烧结磁体的表面存在由雾化法制作的RLM合金(RL为Nd和/或Pr，M为选自Cu、Fe、Ga、Co、Ni、Al中的1种以上的元素)的粉末和RH化合物(RH为Dy和/或Tb)的粉末的状态下，在R－T－B系烧结磁体的烧结温度...

本发明使输出电压相对于磁通密度的关系成为线性高的大致线性。对具备输出与磁通密度(B)对应的电压信号(Vout)的磁检测元件(11、12)的电流检测装置(10/10A)供给磁检测元件(11、12)可检测的范围的磁通密度(B)。取得通过以上...

一种热疲劳特性优异的奥氏体系耐热铸钢，其以质量基准计含有C：0.3～0.6％、Si：0.5～3％、Mn：0.5～2％、Cr：15～30％、Ni：6～30％、Nb：0.6～5％、N：0.01～0.5％、S：0.01～0.5％，C/N为4～...

本发明提供一种陶瓷蜂窝结构体，其特征在于，具有：陶瓷蜂窝主体，其具有由剖面四边形格子状的隔壁形成的沿轴向延伸的多个流路；以及外周壁，其设于所述陶瓷蜂窝主体的外周，构成所述陶瓷蜂窝主体的最外周的外周隔壁具有反映出所述隔壁的四边形格子状的外...

本发明提供与现有技术相比体积电阻率格外小且导电性良好、更理想为廉价的导电性颗粒、导电性粉体、导电性高分子组合物以及各向异性导电片。导电性颗粒10具有覆盖含有5～15质量％以下P的球状Ni核11的表面的第一镀层12(纯Ni镀层或含有4.0...

本实用新型提供一种复合线束以及复合电缆，能够提高复合电缆的弯曲耐久性且提高内部护套与树脂模塑件的粘接性。复合线束具有复合电缆和树脂模塑件；复合电缆具有多根第1电线、由聚氨酯系树脂形成的内部护套一并包覆直径小于多根第1电线的多根第2电线而...

本实用新型提供一种复合线束以及复合电缆，能够提高复合电缆的弯曲耐久性且提高内部护套与树脂模塑件的粘接性。复合线束具有复合电缆和树脂模塑件；复合电缆具有多根第1电线、由聚氨酯系树脂形成的内部护套一并包覆直径小于多根第1电线的多根第2电线而...

提供电子部件用多层布线膜以及覆盖层形成用溅射靶材，其具有由Al或Al合金形成的导电层以及覆盖该导电层的至少一侧的新型的覆盖层，其在确保密合性、耐腐蚀性、抗氧化性的同时，能够稳定地进行高精度的湿式蚀刻。电子部件用多层布线膜，其具有由Al或...

本发明提供一种中继装置以及中继系统，实现耐故障性的提升。具有包括激活卡以及备用卡的多个管理卡MC。激活卡根据基于环协议的事件决定环端口(Pr[1])的打开或者关闭，向线卡(LC[1])发行打开命令或者关闭命令，在发行关闭命令时还通知关闭...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置提高半导体装置(薄膜晶体管)的特性。半导体装置构成如下：具有形成在基板(SUB)上的栅电极(GE)、在其上面隔着栅绝缘膜(GI)形成的第1金属氧化物半导体膜(MO1)、形成在其上面的第2...

该气密密封用盖材(1、201、301)的制造方法包括在具有耐蚀性的金属板(40)的表面形成Ni镀层(11、12、41)而形成镀Ni金属板(70、170)的工序；和对镀Ni金属板进行冲裁加工形成气密密封用盖材的工序。

本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法，包括在R－T－B系烧结磁体的表面存在有RLM合金(RL为Nd和/或Pr，M为选自Cu、Fe、Ga、Co、Ni、Al中的1种以上的元素)粉末和RH氧化物(RH为Dy和/或Tb)粉末的状态下，在R－T...

本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法，包括在R－T－B系烧结磁体的表面存在有RLM合金(RL为Nd和/或Pr，M为选自Cu、Fe、Ga、Co、Ni、Al中的1种以上的元素)粉末和RH化合物(RH为Dy和/或Tb，RH化合物为RH氟化物...