R-T-B系烧结磁体的制造方法技术

技术编号:16049413 阅读:74 留言:0更新日期:2017-08-20 09:15
准备R‑T‑B系烧结磁体原材料和Pr‑Ga合金。烧结磁体原材料含有R:27.5~35.0质量%(R为稀土元素中的至少一种,必包含Nd)、B:0.80~0.99质量%、Ga:0~0.8质量%、M:0~2质量%(M为Cu、Al、Nb、Zr中的至少一种)、剩余部分T(T为过渡金属元素的至少一种,必含有Fe,Fe的10%以下可以被Co置换)和不可避免的杂质。将T的含量(质量%)设为[T]、B的含量(质量%)设为[B]时,满足[T]/55.85>14[B]/10.8。使烧结磁体原材料表面的至少一部分与Pr‑Ga合金的至少一部分接触,在超过600℃、950℃以下的温度实施第一热处理。在低于第一热处理温度的温度、且450℃以上750℃以下的温度实施第二热处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】R-T-B系烧结磁体的制造方法
本专利技术涉及一种R-T-B系烧结磁体的制造方法。
技术介绍
R-T-B系烧结磁体(R为稀土元素中的至少一种,必包含Nd。T为Fe或者Fe和Co,B为硼)作为永磁体中最高性能的磁体已知,被用于硬盘驱动器的音圈电动机(VCM),电动汽车用(EV、HV、PHV等)电动机,产业机器用电动机等的各种电动机或家电制品等。R-T-B系烧结磁体是由以R2T14B化合物为主的主相、和位于该主相的晶界部分的晶界相构成。作为主相的R2T14B化合物是具有高饱和磁化和各向异性磁场的强磁性材料,成为R-T-B系烧结磁体的特性的根本。在高温中,由于R-T-B系烧结磁体的顽磁力HcJ(以下,有时简单地称为“HcJ”)降低,所以发生不可逆的热退磁。因此,特别是对电动汽车用电动机中使用的R-T-B系烧结磁体要求具有高的HcJ。已知在R-T-B系烧结磁体中,如果用重稀土元素RH(Dy、Tb)置换R2T14B化合物中的R中所包含的轻稀土元素RL(例如,Nd、Pr)的一部分,则HcJ提高。伴随RH的置换量的增加,HcJ提高。然而,用RH置换R2T14B化合物中的RL时,R-T-B系烧结磁体本文档来自技高网...
R-T-B系烧结磁体的制造方法

【技术保护点】
一种R‑T‑B系烧结磁体的制造方法,其特征在于,包括:准备R‑T‑B系烧结磁体原材料的工序;准备Pr‑Ga合金的工序;使所述R‑T‑B系烧结磁体原材料表面的至少一部分与所述Pr‑Ga合金的至少一部分接触,在真空或者非活性气体气氛中,在超过600℃、950℃以下的温度实施第一热处理的工序;和对于实施了所述第一热处理的R‑T‑B系烧结磁体原材料,在真空或者非活性气体气氛中,在比实施所述第一热处理的工序中所实施的温度更低的温度、且450℃以上750℃以下的温度实施第二热处理的工序,所述R‑T‑B系烧结磁体原材料含有:R:27.5~35.0质量%、B:0.80~0.99质量%、Ga:0~0.8质量%、...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.30 JP 2015-150585;2016.02.16 JP 2016-026581.一种R-T-B系烧结磁体的制造方法,其特征在于,包括:准备R-T-B系烧结磁体原材料的工序;准备Pr-Ga合金的工序;使所述R-T-B系烧结磁体原材料表面的至少一部分与所述Pr-Ga合金的至少一部分接触,在真空或者非活性气体气氛中,在超过600℃、950℃以下的温度实施第一热处理的工序;和对于实施了所述第一热处理的R-T-B系烧结磁体原材料,在真空或者非活性气体气氛中,在比实施所述第一热处理的工序中所实施的温度更低的温度、且450℃以上750℃以下的温度实施第二热处理的工序,所述R-T-B系烧结磁体原材料含有:R:27.5~35.0质量%、B:0.80~0.99质量%、Ga:0~0.8质量%、M:0~2质量%,剩余部分包含T和不可避免的杂质,其中,R为稀土元素中的至少一种且必包含Nd,M为Cu、Al、Nb、Zr的至少一种,T为Fe或者Fe和Co,并且,所述R-T-...

【专利技术属性】
技术研发人员:国吉太
申请(专利权)人:日立金属株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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