日东电工株式会社专利技术

日东电工株式会社共有8967项专利

  • 本发明提供一种偏振膜,其在偏光膜的两面贴合有透明保护膜,上述偏光膜是使碘吸附于聚乙烯醇类膜并进行取向而形成的,并且碘浓度为3重量%以上且10重量%以下,上述透明保护膜中的至少一者的透湿度为200g/(m2·
  • 安装基板(1)具备:含有聚酰亚胺的基础绝缘层(4)、以及配置在基础绝缘层(4)的厚度方向的一面(4A)的第1端子(10),将基础绝缘层(4)的厚度方向的一面(4A)中的、利用ESCA测定的金属元素检出量调整为在全部检出元素中为1atom...
  • 本发明提供不需要改变该介电构件自身的设计而改善反射电波的介电构件的电波透射性的技术。本发明提供一种减反射材料,所述减反射材料层叠在反射电波的介电构件上来使用,并且用于减少所述电波的反射。所述介电构件包含基底层和层叠在该基底层上的覆盖层。...
  • 光电复合传输模块(2)具备光电混载基板(3)、印刷电路板(4)、光电转换部(5)、第1传热构件(46)和金属制的壳体(6)。光电混载基板(3)、光电转换部(5)、第1传热构件(46)、壳体(6)的第1壁(41)朝向厚度方向一侧依次配置。...
  • 提供可防止或抑制Low
  • 提供具有粘合剂层的粘合片。上述粘合片具有以下的特性(a)和特性(b)。(a)通过拉伸试验而测得的弹性模量为3.0MPa以上。(b)通过剪切冲击试验而测得的冲击耐性为2.0J/(10mm)2以上。上。上。
  • 提供可防止或抑制Low
  • 提供可防止或抑制Low
  • 结晶化铟锡复合氧化物膜1具有35nm以上的厚度。结晶化铟锡复合氧化物膜1含有平均粒径为110nm以上的晶粒。为110nm以上的晶粒。为110nm以上的晶粒。
  • 本发明的含氟共聚物含有下述式(1)所示的结构单元(A)和选自由下述式(2)所示的结构单元(B)、下述式(3)所示的结构单元(C)和下述式(4)所示的结构单元(D)组成的组中的至少1种。式(1)中,R
  • 本发明的表面改性片(X)具备脱模片(10)和其上的表面改性层(20)。表面改性层(20)含有聚合物,该聚合物具有包含烯属双键的侧链。聚合物的侧链优选包含源自含有烯属双键的异氰酸酯化合物的单元。酯化合物的单元。酯化合物的单元。
  • 提供卷曲的抑制效果优异、不易发生保护薄膜的浮起的、在粘合薄膜的基材的背面贴合有保护薄膜的层叠体。本发明的实施方式的层叠体为依次具有树脂薄膜(1)、粘合剂层(1)、树脂薄膜(2)、粘合剂层(2)、树脂薄膜(3)的5层以上的层叠体,该树脂薄...
  • 本发明的粘合片(X)具有粘合剂层(20)。粘合剂层(20)的波长550nm下的可见光透射率能因第1外部刺激而降低,并且粘合力能因第2外部刺激而上升。本发明的粘合片贴附品制造方法包括:将粘合片(X)以其粘合剂层(20)贴合于被粘物的工序;...
  • 提供一种在高温高湿环境下的耐久性优异的偏光膜。本发明的偏光膜由包含碘的聚乙烯醇系树脂薄膜构成,以60℃的温度和95%的相对湿度进行240小时耐久试验后的波长470nm处的吸光度Abs
  • 本发明提供一种具有高的单片透射率且在高温高湿环境下的耐久性优异的偏光板。本发明的偏光板具有:由包含碘的聚乙烯醇系树脂薄膜构成的偏光膜、以及在该偏光膜的至少一个面设置的包含硫的邻接层。置的包含硫的邻接层。置的包含硫的邻接层。
  • 本发明提供一种具有高的单片透射率且在高温高湿环境下的耐久性优异的偏光板。本发明的偏光板具有:由包含碘的聚乙烯醇系树脂薄膜构成的偏光膜、以及在该偏光膜的至少一个面设置的包含氯的邻接层。置的包含氯的邻接层。置的包含氯的邻接层。
  • 提供一种在高温高湿环境下的耐久性优异的偏光膜。本发明的偏光膜由包含碘的聚乙烯醇系树脂薄膜构成,以60℃的温度和95%的相对湿度进行240小时耐久试验后的波长600nm处的吸光度Abs
  • 本申请的层叠光学膜(10)在膜基材(1)上具备棒状液晶化合物水平取向而成的取向液晶层(3)。膜基材是沿至少一个方向拉伸而成的聚合物膜。膜基材与取向液晶层相接,膜基材的慢轴方向与取向液晶层的慢轴方向不平行。通过膜基材的取向调整力,能够使棒...
  • 提供一种弯曲恢复性优异、即便贴合在具备阻隔层的聚酰亚胺基板的背侧也不破坏该阻隔层、透明性优异、异物检查性优异的保护薄膜。提供具备这种保护薄膜的可折叠设备和可卷曲设备。本发明的实施方式所述的保护薄膜是直接贴合于聚酰亚胺基板的保护薄膜,其具...
  • 透明导电性薄膜1依次具备:透明基材2、固化树脂层3和透明导电层4。固化树脂层3包含二氧化硅颗粒。通过柔软性试验测定的弯曲直径为10mm以下。10mm以下。10mm以下。