多个匹配选择电路被连接到用于连接与多个字线相关的ＣＡＭ单元相应行的相应一些匹配线上。输入是所述字线的匹配选择控制电路在ＣＡＭ中执行数据检索时产生禁止检索的匹配线禁止信号。在来自控制电路的预充电信号和来自匹配选择控制电路的匹配线禁止信号的...

一种非逸失性半导体存储器，包括：含有由电阻器和二极管组成的串联电路的参考电压产生电路，和用于给该串联电路提供具有与二极管的温度相关性不同的温度相关性的恒定电流的恒定电流电路，以便在串联电路的一端产生具有与被擦除的存储单元的阈值电压的温度...

在冗余方法中，冗余开关被多个冗余目标共用。冗余开关通过冗余开关中的多个冗余部分分开地、独立地连接到冗余目标中的恢复线。冗余目标中产生的故障用与冗余开关连接的冗余目标中的恢复线的信息代替，由此恢复故障。本发明还公开了采用上述方法的半导体电路。

提供一种具有ＥＣＣ电路的半导体存储器件，其用户区域和ＥＣＣ区域中的存储单元的检验器－数据检测可以一次进行，ＥＣＣ代码产生电路产生六位ＥＣＣ代码，其每位具有３２位数据组的１５位的六个不同的组合的每个的ＸＯＲ逻辑，位列的每个用户区域中的地址...

在由通过字线和公共连线彼此公共连接的一组ＳＲＡＭ单元构成的半导体存储器件中，衬底电势产生电路与字线连接，以通过公共连接线给ＳＲＡＭ单元提供由所选择的或未选择的字线所确定的电势。衬底电势在选择状态中等于地电势或在非选择状态中处于负电势。衬...

一种半导体存储器件，具有选择读出放大器列的较少逻辑门。读出放大器列（１０２－０至１０２－２）根据块地址值被选择。对应两个低位地址值Ｘ５至Ｘ０中的格雷码选择读出放大器列的顺序。Ｘ１可被作为预解码信号Ｃ１而被提供到读出放大器选择电路中的与非...

一种半导体集成电路的输入缓冲电路，其具有：差分放大电路；当加入的测试使能信号为开状态时切断差分放大电路短路电流的电流切断电路；在测试使能信号为关状态时选择差分放大电路的输出并且在该信号为开状态时输出选择的输入信号的选择装置。其还具有一控...

一种由字线置换兼顾不良补救效率和低耗电的半导体存储装置是由多个存储单元阵列ＭＡＲ０～ＭＡＲ３构成的，在激活为不良副字线的置换而使用的冗余字线时，激活的副字线的个数在数据输入输出时和更新动作时不同，同时在数据输入输出时，根据比较由外部输入...

双向移位寄存器由与第一开关和第二开关相连的触发器组成。第三开关在相应的触发器之间顺序连接。按照ＣＬＫ信号实现对第三开关的通－断控制，以进行从低到高或从高到低的周期性跃变。当ＲＥＶ信号处于低电平期间，移位寄存器断开第二开关，而第一开关的通...

一种半导体存储器包括存储器单元阵列，读出／写入控制电路，信号发生器，和写入错误防止电路。在存储器单元阵列中，在多个字线和位线的交点上形成多个存储器单元。根据表示读出／写入模式的模式设定信号、数据输入信号和地址信号，读出／写入控制电路控制...

一个半导体存储器件包括一个常规单元阵列和一个冗余单元阵列。当一个常规单元阵列将要被选中的冗余单元阵列取代时，一个第一电路向一个冗余块选择电路输出一个单触发信号。冗余块选择电路在不等待一个冗余单元解码器解码结果的情况下激活一个冗余预充电停...

本发明提供一种以低耗电、高速化为存储器设计的重要的因素，仅切换延迟电路的门电路段数，可容易调整.最佳化的存储器读出电路。该存储器读出电路，在通过差动放大位线对的电位振幅的读出放大器２４读出矩阵状排列的ＳＲＡＭ单元１２的ＳＲＡＭ中，具有以...

一个快速ＥＥＰＲＯＭ包括非易失存储单元阵列，每个存储单元都具有一个双栅极结构的单元晶体管和一个用于单元晶体管的浮置栅极的编程区。该快速ＥＥＰＲＯＭ是属于编程，快速擦除和读模式，每个是一种字节接字节模式。该快速ＥＥＰＲＯＭ包括第一到第三选...

用于闪速存储器的电源电路，包括：一个正电路部分，用于产生正电压源；一个源极跟随晶体管，用于转换第一电压源的阻抗；一个负电路部分，用于产生负电压源，同时把在源极跟随晶体管的输出和负电压源之间的电压差维持在第一参考电压。正电路部分包括阈值电...

电压转换缓冲电路包括：一个反相器，接收输入数据信号并输出反相数据信号；一个触发器，它有接收输入数据信号和反相数据信号的第一和第二支路；一个牵引晶体管，当驱动能力较小的晶体管产生触发动作时，它在输出节点上辅助触发动作；牵引晶体管的导通过能...

在半导体存储装置中包括：一对数据输入／输出线（ＧＩＯ，／ＧＩＯ），用来放大数据输入／输出线上的电压的数据放大器电路（１１，１２），和用来保持数据放大器电路的输出信号（Ｄ１，／Ｄ１）的数据保持电路（１７，１８）。数据确定电路（１９）在数据...

一可在一宽范围的电源电压下操作，且能够稳定地检测数据的半导体存储器件，包括：一电势检测器，用于检测一哑位线的电势，该哑位线具有等位线的寄生电容的寄生电容；和相应于各位线提供的多个第二预充电电路，用于响应于一预充电信号对各位线预充电，并响...

一种非易失半导体存储器件包括：一用于输出用于执行快速编程或快速擦除的模式信号的模式信号输出装置；一组选择信号输出装置，它用于输出用于选择一个行解码组的组选择信号；一用于选择根据该组选择控制字线的行解码组的第一选择装置；及一第二选择装置，...

提供一种半导体存储器件、以及检验该半导体存储器件的一种方法和使用它的方法，它简化了操作的普通模式和操作测试模式之间的转换，缩短了用于错误检测和错误校正的测试时间。根据本发明的半导体存储器件包括：存储电路，代码标识单元（写数据寄存器和错误...

在此公开一种具有用于实现快速读／写操作的脉冲方式的半导体存储器件（１１００）。其中包括一个具有锁存并增加一个包括ｍ个位的起始地址的ｎ个最低有效位的地址计数器（１０２）的存储器地址发生电路（１００），该地址计数器（１０２）产生一计数数值。...