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RF三六零新加坡私人有限公司专利技术
RF三六零新加坡私人有限公司共有54项专利
具有包含腔体的层布置的微声滤波器制造技术
公开了一种用于实现具有腔体叠层的微声滤波器的装置。在示例方面,该装置包括具有电极结构(310)、腔体叠层(126)、缓冲层(128)和压电层(130)的微声滤波器。该腔体叠层包括导电层(312)、基底层(316)和至少两个柱(314),...
电声谐振器制造技术
本公开的各方面涉及无线通信,以及具有谐振器的高频滤波器。一个方面是一种设备,该设备包括第一母线和第二母线,以及电极指状件,该电极指状件耦合在该母线之间,其中电极指状件朝向相对母线延伸不同距离,使得该电极指状件中的每个电极指状件的第二端部...
用于更高谐振频率的具有夹层电极的体声波器件及相关制造方法技术
体声波BAW器件包括设置在第一电极层(104A)与夹层电极(106A)之间的压电层(330)。夹层电极包括:具有第一声阻抗的第一材料的第一层(114)和具有比第一层的第一声阻抗小的第二声阻抗的第二材料的第二层(116)。夹层电极的具有较...
RF滤波器装置制造方法及图纸
本公开的实施例涉及一种RF滤波器装置,包括:包括体声波BAW谐振器的谐振器结构,所述谐振器结构包括有源结构和声镜,其中所述有源结构包括底部电极、顶部电极和位于所述底部电极和所述顶部电极之间的压电材料;以及另一电路,所述另一电路包括LC电...
用于较高阶谐振的具有相反极化压电层的体声波(BAW)器件及制造方法技术
一种体声波(BAW)器件包括层堆叠(102),层堆叠包括第一电极(104A)和第二电极(104B),电极之间的第一压电层(106A),以及第一压电层与第二电极之间的第二压电层(106B)。第二压电层的晶体结构的极化(P2)与第一压电层的...
具有减少的反射体波激发的堆叠式声波(AW)封装件制造技术
本公开的各方面涉及在堆叠式电声设备中实现体波抑制的设备、无线通信装置、方法和电路。一个方面包括:第一基板(420),该第一基板包括第一表面和第二表面,其中该第二表面与该第一表面相对;第一AW谐振器电路(450),该第一AW谐振器电路定位...
具有调谐共振叠层的声波器件及其制造方法技术
公开了一种具有调谐共振叠层的体声波(BAW)(100)器件。BAW器件包括在压电层(110)的顶侧(S<subgt;TOP</subgt;)上的不同区域(108(A)、108(B))中具有顶部电极(104(A)、104(B)...
具有设置在压电层中的电介质材料的表面声波(SAW)滤波器制造技术
公开了一种实现表面声波SAW滤波器的装置,该表面声波滤波器具有设置在压电层(132)中的电介质材料(134)。在示例方面,该装置包括表面声波滤波器,该表面声波滤波器具有压电层(132)、电极结构(306‑1,306‑2)和电介质材料(1...
使用电介质部分地悬置压电层制造技术
公开了一种用于使用电介质部分地悬置压电层的装置。在示例方面,该装置包括具有基底层(126)、压电层(128)、与该压电层接触的电极结构(310)以及电介质(130)的微声滤波器。该电极结构包括多个指状物,该多个指状物跨具有垂直于该多个指...
桥滤波器制造技术
公开了一种用于桥滤波器的装置。在示例方面,该装置包括具有电流平衡‑不平衡转换器(134)和滤波器芯(136)的滤波器电路。该电流平衡‑不平衡转换器包括耦合到该滤波器电路的第一端口(132)的第一端子(404‑1)、第二端子(404‑2)...
非线性度降低的BAW器件制造技术
本申请的实施例涉及一种BAW器件,包括第一BAW谐振器和第二BAW谐振器。第一BAW谐振器和第二BAW谐振器分别包括第一电极、第二电极和压电层,压电层分别布置在所属的BAW谐振器的第一与第二电极之间。两个BAW谐振器的第一、第二电极和压...
可重配置滤波器制造技术
公开了一种用于可重配置滤波器的装置。在示例方面,该装置包括滤波器电路,该滤波器电路具有第一滤波器端口(302‑1)和第二滤波器端口(302‑2)。该滤波器电路包括滤波器网络(304)、声学谐振器(402,132)和开关电路(404)。该...
晶片级封装件和制造方法技术
本公开的实施例涉及晶片级封装件和制造方法。一种晶片级封装件包括具有第一表面的功能晶片、连接到第一表面上布置的器件焊盘的器件结构。具有内表面和外表面的盖晶片利用内表面被键合到功能晶片的第一表面。围绕器件结构的框架结构被布置在功能晶片与盖晶...
桥型滤波器制造技术
公开了一种用于桥型滤波器的装置。在示例方面,该装置包括具有第一端口、第二端口和滤波器芯的滤波器电路。该滤波器芯耦合在该第一端口与该第二端口之间。该滤波器芯包括至少一个变换器、第一谐振器布置和第二谐振器布置。该第一谐振器布置耦合到该至少一...
桥型滤波器制造技术
公开了一种用于网格型滤波器的装置。在示例方面,该装置包括滤波器电路,该滤波器电路包括单端的第一端口和单端的第二端口。该滤波器电路还包括变换器、第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器和第四谐振器。该变换器包括第一端子、第二端子和第三端子,其中...
使用电介质悬置电极结构制造技术
公开了一种用于使用电介质悬置电极结构的装置。在示例方面,该装置包括具有压电层和电极结构的表面声波滤波器。该电极结构具有面向该压电层并且与该压电层分离一定距离的第一表面。该表面声波滤波器还包括电介质,该电介质设置在该电极结构的至少一个其他...
带有具有浮动电位的电导体的表面声波(SAW)滤波器制造技术
公开了一种用于带有具有浮动电位的电导体的表面声波滤波器的装置。在示例方面,该装置包括表面声波滤波器,该表面声波滤波器具有压电层和设置在该压电层的表面上的电极结构。该电极结构包括第一梳状结构和第二梳状结构。该电极结构还包括至少一个电导体,...
用于滤波器设计的具有上阻带边缘处的谐振频率的表面声波(SAW)谐振器的优化制造技术
本公开的各方面涉及实现具有位于上阻带边缘处的谐振频率的SAW谐振器(800)的设备、无线通信装置、方法和电路。一个方面是一种包括电极结构(870)的装置,该电极结构具有叉指换能器。IDT(880),该IDT具有第一IDT区域(802a)...
包括串扰减少层的堆叠式声波(AW)滤波器封装件,以及相关制造方法技术
一种堆叠式AW滤波器封装件(200)包括第一基板(204),该第一基板堆叠在第二基板上。该第一基板具有位于第一表面(212)上的第一AW滤波器电路(202)和位于第二表面上的金属层(210)。该第二基板具有第二AW滤波器电路(206),...
用于自发热改进的具有一个或多个中间层的表面声波(SAW)器件制造技术
本公开的某些方面提供了一种用于减少的自发热的具有一个或多个中间层的表面声波(SAW)器件以及制造这种SAW器件的方法。一个示例SAW器件通常包括压电层和设置在压电层上方的叉指换能器(IDT)。IDT通常包括具有第一母线和第一多个指状物的...
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