清华大学专利技术

清华大学共有54700项专利

  • 本发明涉及一种碳纳米管薄膜结构的制备方法,其包括以下步骤:提供一碳纳米管阵列;采用一拉伸工具从碳纳米管阵列中拉取获得至少两碳纳米管薄膜;提供一固定框架,将上述碳纳米管薄膜重叠地粘附于固定框架形成一多层的碳纳米管薄膜结构;以及使用有机溶剂...
  • 一种非均质Bi↓[2]Te↓[3]热电材料及制备方法,属于能源材料技术领域。该方法分化合物粉末的合成和成型制备两部分,首先将高纯Bi和Te元素单质按照原子质量配比,采用机械合金化工艺通过不同的球磨时间分别获得不同粒径的Bi↓[2]Te↓...
  • 一种烟气净化与硫回收系统及工艺,包括吸附器、脱附器、吸附剂输送系统、热能集成回收系统和炭粉分离回收系统,并采用适宜工艺方法。吸附器采用单器双段∏型径向错流移动床,选择性宽谱净化;脱附器采用轴向逆流移动床,实现热能集成回收利用、吸附剂再生...
  • 本发明涉及一种单分散银纳米晶的制备方法,其包括以下步骤:(1)将0.1克至1克的硝酸银放入10毫升的十八胺溶剂中反应1至10分钟;(2)将反应沉淀物以乙醇洗涤后烘干,即得到单分散银纳米晶。该制备方法中的步骤(1)可通过进一步将硫粉放入上...
  • 本发明属于化工材料领域,具体涉及一种从气体混合物或液化气中捕集或分离二氧化碳的吸收溶剂。所述溶剂包括含量范围为5~60wt%的正丙醇胺,以及总含量范围为40~95wt%的其他组分;其他组分包括:单乙醇胺、二乙醇胺、甲基二乙醇胺、二异丙醇...
  • 本发明涉及一种碳纳米管薄膜的制备方法,包括:将碳纳米管原料加入到溶剂中并进行絮化处理获得碳纳米管絮状结构;以及将上述碳纳米管絮状结构从溶剂中分离,并对该碳纳米管絮状结构定型处理以获得碳纳米管薄膜。
  • CH↓[4]和CO↓[2]共转化制备H↓[2]和CO的方法及装置,属于石油化工和煤化工技术领域。反应气体CH↓[4]与CO↓[2]按摩尔比1∶1~4∶1预混;进入等离子体反应器反应;经聚砜膜H↓[2]分离器分离;CO分离器分离;剩余的气...
  • 一种氯化氢催化氧化生产氯气的装置及方法,本发明是在流化床反应器内部加装气固逆流挡板,使得催化剂与反应气体逆流接触并反应,提高载氯能力,或通过控制操作温度和安装分布板,将流化床反应器分为氧化段、氧氯化段和氯化段,反应器外通过下行管和提升管...
  • 本发明涉及一种碳纳米管薄膜的制备方法,包括以下步骤:提供一碳纳米管阵列形成于一基底;以及提供一施压装置挤压上述碳纳米管阵列,从而得到碳纳米管薄膜。所述的碳纳米管薄膜的制备方法可控制碳纳米管薄膜中碳纳米管为各向同性或沿一个或多个方向择优取...
  • 一种碘化氢催化分解用催化剂及其制备方法,属于催化剂的制备技术领域。该催化剂以碳纳米管、碳分子筛、石墨、碳纤维、碳黑为载体,负载活性金属铂和第二种活性金属,第二种活性金属为钯、铱、钌、铑、钼、钴或镍。所述的活性金属铂在催化剂中的质量百分含...
  • 一种低温催化裂解甲烷制备氢气与纳米碳的方法,属于石油天然气化工生产技术领域。该方法将催化剂装入反应器中共同加热到400~700℃,通入氢气或CO进行催化剂还原,保持温度与还原气氛;将气体切换为裂解时放热烃类气体,该气体与甲烷的体积比为1...
  • 一种基于氧化处理从基板表面分离碳纳米管阵列的方法,该方法采用如二氧化碳,水蒸汽等作为弱氧化剂,在碳纳米管阵列生长过程中或生长结束后对碳纳米管阵列进行氧化处理,进而通过气流吹扫或机械剥离的方法使碳纳米管阵列从基板表面分离。与常规化学气相沉...
  • 本发明涉及一种硅纳米线阵列的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。所述方法将硅片依次经过丙酮振荡清洗、酒精振荡清洗、酸性清洗液和标准清洗1号溶液处理;然后将质量百分比浓度范围为0.01%-0.9%的聚苯乙烯小球溶液用微量可调移液管滴到步骤...
  • 本发明涉及一种碳纳米管复合薄膜,该碳纳米管复合薄膜包括至少一碳纳米管层和至少一基体材料层。本发明还涉及一种碳纳米管复合薄膜的制备方法,包括以下步骤:提供一碳纳米管阵列形成于一基底;将一基体材料层覆盖在上述的碳纳米管阵列上以得到一覆盖有基...
  • 一种纯银纳米管阵列,其特征在于:该纳米管管壁的化学成分为纯银,管内径为几十纳米,全部银管生长取向一致,构成阵列状,可由下述方法制得: (1)将银离子导电膜RbAg↓[4]I↓[5]沉积在基片上; (2)然后在基片的两端分别沉...
  • 全固态环境下制备金属纳米结构材料的方法及装置,属于纳米材料制备技术领域。该装置包括直流电源,基片及沉积在其基片上的金属离子导电膜,金属阳极和金属阴极。该方法是在全固态环境下,及常温、常压和大气气氛中,且无任何模板的情况下,利用沉积在基片...
  • 本发明涉及磁场诱导生长磁性一维纳米线阵列的制备方法,属于磁性一维纳米线阵列的制备技术领域,本发明包括制备具有均匀分布的通孔的模板和直流电沉积两个过程,电沉积过程包括:在电镀槽外部设置匀强磁场;在模板一面溅射上一层金属作电极,将带电极的模...
  • 一种铁纳米管阵列的合成方法,涉及一种金属纳米材料的制备工艺。该方法是以以硫酸亚铁、硼酸、抗坏血酸为原料,在室温下,配制包括硫酸亚铁、硼酸、抗坏血酸的水溶液作为电解液。将该电解液放置一个电解槽内,将多孔氧化铝膜一面喷金或涂银浆方式制备金导...
  • 本发明涉及一种超晶格纳米器件及其制作方法。该超晶格纳米器件包括至少一个结构单元,该结构单元包括:一第一电极,其包括一基底及形成在该基底上的一一维纳米结构;一功能层,其位于该基底上并环绕上述一维纳米结构;及一第二电极,其与该第一电极电绝缘...
  • 利用纳米球反相多孔模板制备尺寸可控纳米点阵列的方法,本发明公开了属于纳米光刻领域的使用反相纳米球模板制备密度和单元尺寸可控的纳米点阵列的方法。先通过单分散核壳结构纳米球的自组装,得到单层规则密排的纳米球模板。通过选择性溶解的方法获得反相...