一种热声扬声器，包括加热片（１０）和多个支架条（８），所述支架条支撑加热片远离衬底（２）。所述加热片具有与每一个腔体相邻的至少一个开口（１２）。在制造期间，将所述开口（１２）用于刻蚀掉加热片下面的层（２、４、８０）的材料。加热片下面的层...

本发明提供了一种获得使用产品的授权密钥的系统和方法。获得使用产品的授权密钥的系统和方法使用受保护产品标识码，所述受保护产品标识码包括产品序列号以及基于加密算法而产生的至少一个密码。

本发明提供了一种麦克风以及一种制造这种麦克风的方法。麦克风包括：衬底管芯（２４）；以及从衬底管芯形成的麦克风（２０）和加速度计（２２）。加速度计适于提供用于对衬底管芯的机械振动加以补偿的信号。

一种用于调节发光二极管（ＬＥＤ）温度的设备。所述设备包括：热沉、ＬＥＤ底座以及安装在所述ＬＥＤ底座上的ＬＥＤ。所述ＬＥＤ底座被配置为响应于温度变化来改变形状，形状变化改变了ＬＥＤ相对于热沉的位置，以调节ＬＥＤ和热沉之间的热传递。ＬＥＤ底...

一种用于感测ＭＥＭＳ器件的密闭空腔中的压力的ＭＥＭＳ压力传感器，包括：具有压力传感器谐振器元件的谐振ＭＥＭＳ器件，所述压力传感器谐振器元件包括开口阵列。谐振ＭＥＭＳ器件的谐振频率是空腔中的压力的函数，谐振频率随压力而增大。在０到０．１Ｋ...

一种以太网网络组件，具有第一端子、第二端子以及在第一端子与第二端子之间连接的旁路开关，其中，根据控制信令操作旁路开关，以在关联的以太网网络中包括以太网网络组件或从关联的以太网网络中排除以太网网络组件。

本发明提出了一种电容性传感器放大器电路，包括：电容性传感器（１）；偏置电压源（３），经由偏置电阻器（２）连接在电容性传感器（１）两端；运算放大器（４），具有连接至电容性传感器（１）的输入；以及反馈电容器（５），连接在放大器（４）的输入（...

具有辅助听力的麦克风平面阵列的眼镜。本发明提供了一种实现方向声音检测的设备。该设备包括便携式助听装置、多个声音检测器、以及电路。声音检测器耦接至便携式助听装置。声音检测器按照实质平面阵列来布置，该实质平面阵列置于通过收听者位置和声音产生...

使用分别经由第一和第二高速缓存电路（１４，１４’）耦接至后台存储器（１０）的第一和第二处理电路（１２）来处理数据。每个高速缓存电路（１４，１４’）存储高速缓存行、定义了所存储的高速缓存行的状态的状态信息、以及至少一个存储的高速缓存行内针...

本发明涉及一种ＭＥＭＳ，例如开发ＭＥＭＳ用于移动通信应用，例如开关、可调谐电容器、可调谐滤波器、移相器、多路复用器、电压控制振荡器以及可调谐匹配网络。相变层的体积变化用于ＭＥＭＳ器件的双稳态致动。ＭＥＭＳ器件包括至少可弯曲悬臂、相变层和...

公开了一种在ＩＣ制造工艺中提供电介质材料（１８）的方法，所述电介质材料（１８）包括具有变化厚度的区（１８’，１８”）。所述方法包括：在电介质材料（１８）的相应区（２０’，２０”）中形成多个图案，每个图案把电介质材料（１８）相对于电介质材...

近场通信设备的功耗可以通过以下方式来调整：在检测到潜在外部近场设备时唤醒设备进行通信，以及调节谐振天线电路，来说明检测到的天线环境变化。这样的可以用于检测和读取外部ＲＦＩＤ标签的近场通信设备，包括：谐振环形天线电路，包括天线和可变组件，...

提供了一种用于唤醒电子设备的唤醒装置。唤醒装置包括在至少一个特定频率下谐振的谐振单元（Ｃ）、至少一个第一电极（ＴＥ）、至少一个压电材料（ＰＭ）和至少一个第二电极（ＢＥ）。压电材料（ＰＭ）夹在所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极（Ｔ...

用于驱动ＬＥＤ的驱动器在周期序列中使用ＰＷＭ。驱动器具有模数计数器，该模数计数器在每个周期之后被复位。驱动器具有：第一加法器，用于将计数值与对ＬＥＤ的控制脉冲相对于周期起始的偏移加以指示的量相组合；第二加法器，用于将计数值与指示控制脉冲...

在第一方面，本发明提供一种包括底衬和电导体的器件，电导体被布置在两个端子（Ａ、Ｂ）之间并且被定形为形成电感器，电感器包括至少两个环路（１、２）并且被布置为使得远场至少局部地减小。这种布置得到了电感器，电感器辐射较小的磁场，也称作减小的Ｅ...

公开了一种具有一组并联调谐谐振放大器级的宽带ＲＦ跟踪滤波器，该宽带ＲＦ跟踪滤波器具有针对每个子带的去Ｑ电阻器。谐振放大器包含可编程调谐ＬＣ槽路阻抗以及针对每个子带的并联电压电流（Ｖ２Ｉ）转换器的阵列。去Ｑ电阻器与Ｖ２Ｉ转换器阵列一同在每...

本发明涉及一种检测电路（１００），能够利用其占空比或平均值检测整流的相切或正弦波形，并且响应地在线性相切和分步调光之中选择相应的调光模式。电路（１００）接收具有占空比的整流的波形，该波形通过比较器（２２，２４）获得并且被转换为ＤＣ信号。...

提供了一种相变存储单元，具有多于一个的存储区域（１４，１８），每个存储区域是变窄的相变存储材料区域（２），其在第一和第二电极（４，６）之间延伸。可以通过应用合适的电流和／或电压编程条件将多个存储区域（１４，１８）中的每个存储区域编程为处...

本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件具有合适功函材料的栅极电极。所述方法包括：提供衬底（１００），衬底（１００）包括多个有源区（１１０，１２０）和覆盖有源区（１１０，１２０）的介电层（１３０）；以及在介电层上形成层的叠层...

一种垂直相变存储单元（２）具有相变存储材料的有源区（２４），通过提供仅在相变存储材料的一部分上延伸的接触或者仅使相变存储材料一部分外露的绝缘层，来限定有源区（２４）。每个单元可以有多于一个的有源区（２４），从而允许在每个单元中存储多于一...