一种用于存储数据的存储介质，其包括集成控制器，该集成控制器被构建成用于根据存储介质的位置来对数据的存取进行控制。存储数据还包括用于确定其位置的装置，例如ＧＰＳ接收器或者蜂窝网络定位方案。可替换地，该位置可由外部装置提供。

提供了通过多个串行链路在发送器和接收器之间进行数据通信的方法和设备，这些链路使发送器以下述方式沿每条通道发送串行位组：每个组（每条通道）的首位以正确的顺序到达接收终端。本发明的多个实施例包括声明通道之间的最大偏移的预算。在这样的实施例中...

本发明提供了一种可编程平台，该可编程平台实现了减少晕圈伪像的视频处理算法。该算法校正在画面的遮挡区域中的背景运动的运动矢量。该算法根据由３帧运动估计器所提供的矢量场来创建重定时矢量。首先，通过从由３帧运动估计器所提供的不同矢量场选择多个...

一种半导体衬底上的非易失存储器，包括半导体基底层、电荷存储叠层、以及控制栅；基底层包括源和漏区以及位于源和漏区之间的载流沟道区；电荷存储叠层包括第一绝缘层、电荷俘获层和第二绝缘层，第一绝缘层位于载流沟道区上，电荷俘获层位于第一绝缘层上，...

一种具有并行数据处理通道的快速傅立叶变换结构。输入数据以重复序列施加到并行数据处理通道并且在这些通道中进行处理。数据定序器用于将这些来自数据处理通道的输出组合成所需序列。

制造Ｉ－ＭＯＳ器件的方法包括在掩埋绝缘层（４）上形成半导体层（２）。包括栅极堆叠（１４）的栅极结构（２３）形成在半导体层上并且用于（５）通过注入对源极区域（２８）的形成进行自对准。其后，使用蚀刻步骤来选择性地蚀刻栅极结构（２３），并且其...

描述了采用铜填充工艺来填充沟槽（１２）的镶嵌工艺。铜填充（２０）开始于包括铜和钛的沉积种子层（５２）。在铜填充工艺中，一些钛迁移至表面。在氮气环境下对该结构进行退火，这在铜填充（２０）的表面上产生自对准的ＴｉＮ阻挡（２４）。可以在同一退...

一种集成电路包括可编程单元（１００）的矩阵（１０）。可编程单元（１００）中的每个特定可编程单元都包括可编程逻辑电路（２２）和路由选择多路复用器（２５ａ－２５ｄ）组（２４）。所述组（２４）中的每个路由选择多路复用器（２５ａ－２５ｄ）都具有...

描述了一种用于在应答器的存储阵列中存储或读取数据的方法、对应的应答器、读／写设备和程序组件。其中，用于在存储阵列内存储数据的数据结构由预定协议定义。该数据结构包括：包括预定义头数据的头数据块；用于存储应用数据的应用数据块；以及存储控制数...

本发明涉及包括磁体（２）、磁场传感器（３）和可扭转或可旋转支杆（４）的传感器装置（１），其特征在于磁体（２）放置于磁场传感器（３）的下侧并且可扭转或可旋转支杆（４）放置于磁场传感器（３）的上侧，其中支杆（４）包括与磁场传感器的平面形成倾...

描述了一种用于在应答器的存储阵列中存储或读取数据的方法、以及对应的应答器、读／写设备和程序组件。其中，用于在存储阵列内存储数据的数据结构由预定协议来定义。该数据结构包括：包括预定义头数据的头数据块；用于存储应用数据的应用数据块；以及终止...

本发明提供了一种应答器（１０４），包括：存储单元（１０６），存储有多个不同应用；处理单元（１０８），基于读取器（１０２）的请求，适于产生能够使用应答器（１０４）和读取器（１０２）都知道的加密方案来解释的响应，使得读取器（１０２）能够通过...

一种读取器（４２０），用于确定到应答器（４４０）的连接的有效性，所述读取器（４２０）被设计为测量应答器（４４０）的响应时间以及按照两个分离的步骤认证应答器（４４０）。一种应答器（４４０），用于确定到读取器（４２０）连接的有效性，其中，所...

本发明公开了一种在应答器的存储阵列中存储或读取数据的方法和一种相应的应答器、读／写设备和程序组件。其中，用于将数据存储到存储阵列内的数据文件系统是由预定协议定义的。数据结构包括：包含管理数据的性能容器文件和用于存储应用数据的应用数据文件...

混合设备（１００）包括ＩＥＥＥ－８０２．１１ｅ类型的ＷＬＡＮ客户端站点（ＱＡＰ）（１０２）和蓝牙微微网单元（１０４），两者相互连接使得能够根据基本服务集（ＢＳＳ）（１１２）中的服务质量（ＱｏＳ）接入点（ＱＡＰ）（１１６）所提供的传输机会...

本发明提供了一种无线媒体装置，在基于分组的本地无线网络上以流形式传送媒体。根据示例实施例，这种无线媒体装置（例如１００）包括：数字编码的非易失性存储设备（ＮＳＤ）（例如１１０），如存储媒体的硬盘驱动器（ＨＤＤ）；可重新加载存储器（例如１...

提供了一种制造半导体器件的方法，该半导体器件包括第一ｎ型场效应晶体管（１）和第二ｐ型场效应晶体管（２）。该方法包括步骤：在基片上沉积栅极电介质层；在栅极电介质层上沉积栅极金属层（２２）；在栅极电介质层上沉积固态金属氧化物层（１５）；去除...

一种晶体管器件（１０），该晶体管器件（１０）包括：衬底（１１，１４）；在衬底（１１，１４）上沿着水平方向成一条直线的鳍（３，３Ａ）；鳍（３，３Ａ）中的第一种电导类型的第一源极／漏极区域（４）；鳍（３，３Ａ）中的第二种电导类型的第二源极／...

一种分析电路，用于分析ＲＦ电路的ＲＦ响应，该分析电路包括压控振荡器（１２），其中从压控振荡器输出得到的信号被用作ＲＦ电路（１０）的输入。第一混合器（１８）混合ＲＦ电路的输出与采自压控振荡器的第一混合器信号，且第二混合器（２０）混合ＲＦ电...

本发明涉及ＭＥＭＳ器件，其包括：第一电极和第二电极，第二电极借助于悬挂结构而悬起并距第一电极一定距离。ＭＥＭＳ器件还包括至少一个变形电极。当通过变形电极施加静电变形力时，第二电极和悬挂结构之一或这二者能够塑性变形。这样，可消除在制造不同...