NXP股份有限公司专利技术

NXP股份有限公司共有2775项专利

  • 根据本发明的一方面,提供了一种用于试运行设备的系统,所述系统包括:第一设备和第二设备;包含在第一设备中的RFID标签;包含在第一设备中的主机处理器;其中,第二设备被布置为产生电磁场,并且RFID标签被布置为检测电磁场并在检测到所述电磁场...
  • 公开了通信电路及采用载波信号传送数字数据信号的方法。根据一个或多个示例性实施例,通信电路采用载波信号传送数字数据信号,载波信号频率不同于数字数据信号的频率。通信电路包括第一组电容器和第二组电容器、第一电路以及第二电路。第一电路产生分别与...
  • 本发明涉及一种网络通信电路、系统和方法。各种示例方面针对涉及包含在总线上通信耦合的开关在内的设备和方法,其中所述开关中的一个或者多个操作用于在第一模式下阻止信号通过所述开关,并且在第二模式下使信号通过所述开关。逻辑电路通过存储所述地址信...
  • 本文描述了一种电子时间保持电路和一种用于操作电子时间保持电路的方法。在一个实施例中,电子时间保持电路包括电源和分组为电源域的时间保持电路元件。每一个电源域由对应的一个电源提供功率。对于每一个所述电源域,复制时间保持寄存器。如果修改所述时...
  • 公开了一种pH传感器,包括:载体(10),所述载体包括多个导电迹线和外露的导电区域(40),所述外漏的导电区域定义了与所述导电迹线之一相连的参考电极;感测装置(30),安装在所述载体上并且与其他导电迹线中的至少一个相连;覆盖所述载体的封...
  • 根据本公开的实施例,提供了一种再驱动器电路,所述再驱动器电路具有第一串行单向通信信道和第二串行单向通信信道。再驱动器电路通过调节信号特性来调整接收到的第一数据信号,以校正信号电平衰减和噪声。将调整后的第一数据信号发送至信道的相应输出。再...
  • 一种MEMS器件(诸如麦克风)使用固定的穿孔板。所述固定板包括在所述板区域上的孔阵列。与所述外围相邻的至少一组的孔包括多行延长孔,所述行相距所述外围不同的距离。这种设计提高了所述振膜的机械鲁棒性并且可以额外地允许所述板的机械行为的调谐。
  • 公开了一种控制AC/DC转换器的方法,AC/DC转换器具有功率因子校正级和对所需功率加以指示的信号,AC/DC转换器以开关循环的方式工作,开关循环的开关频率是开关周期的倒数。所述方法包括响应于对平均开关频率加以指示的信号升至第一阈值以上...
  • 在各种不同的示例中实现了体偏置电路和方法。一个这种示例包括通过控制体偏置开关电路的开关,将第一体偏置岛的第一阱和第二体偏置岛的第二阱设置为第一偏置模式。所述偏置是反向体偏置、额定体偏置和正向体偏置之一。还根据反向体偏置、额定体偏置和正向...
  • 公开了一种集成电路。具体而言,公开了一种包括D类放大器的集成电路,D类放大器用于放大在输入端子处的输入信号。D类放大器在操作模式与测试模式之间可切换,在操作模式中,比较器(4)直接耦合到输出级(5),在测试模式中,比较器(4)经由采样器...
  • 公开了用于驱动位于两个电桥之间限定的第一输出节点和第二输出节点之间的负载的D类功率放大器及其控制方法。控制器适于当在一个输出电桥中检测到过电流状态时导出放大器保持信号,并防止另一个输出电桥在两个主输出状态之间的切换。
  • 本发明公开了一种开关模式电源(200)用的电路(500)及其方法。该开关模式电源(200)具有绕组(206)。所述电路(500)包括:输入端,配置为接收从所述绕组(206)得出的绕组电压(503);微分元件(501),配置为将所述绕组电...
  • 在一个实施例中,提出了一种集成电路及其制造方法。集成电路包括过电压保护元件和过电流保护元件。集成电路操作用于提供增强的并且高效的ESD功能。本公开的过电流元件包括扩散保护层,以提高过电流元件的寿命并且改善功能。
  • 促进了功率切换。根据一个或多个实施例,一种功率开关设备包括耦合在电压源和切换后的电压输出之间的多个开关。测试控制电路操作开关以测试开关的子集,其中指示了子集的状态,其中可以与功率开关设备的整体状态独立地表示所述子集的状态。在一些实现中,...
  • 公开了一种集成电路,该集成电路包括在正电源端子与负电源端子之间串联布置的第一对(11,12)开关器件。该集成电路在操作模式与测试模式之间可切换,在操作模式中驱动第一对(11,12)开关器件以将正电源端子或者负电源端子耦合到输出端子,在测...
  • 在一个实施例中提供一种电路。该电路包括低欧姆电路和电源节点,该电源节点配置为将低欧姆电路上的电源电压提供给负载,从所述负载可以提取电流。该电路还包括电流参考电路和电流感测电路,该电流参考电路配置为基于来自电源节点的电流的一部分设置电流参...
  • 本发明公开了一种位于半导体衬底上的气体传感器。该气体传感器包括细长传感器元件,该细长传感器元件横跨开口延伸并具有相反的第一表面和第二表面,所述第一表面和第二表面外露以与要感测的气体相接触。第一表面背向衬底的主表面。第二表面面向所述主表面...
  • 公开了一种提供功能化集成电路的方法,使第一感测电极在表面处包括选择性结合到感兴趣第一分析物的第一受体分子,第二感测电极在表面处包括选择性结合到感兴趣第二分析物的第二受体分子;将功能化集成电路暴露到潜在包括第一分析物和第二分析物中至少一种...
  • 公开了低偏移、高灵敏度磁传感器装置及其方法和磁检测系统,该磁检测系统包括:靠近可移动机械元件的磁性元件;以及磁传感器,该磁传感器被配置为基于由磁性元件产生的磁场确定机械元件的运动。该磁传感器包括:低偏移磁检测元件;高灵敏度磁检测元件;以...
  • 各种实施例涉及一种MEMS压力传感器及其制造方法。该MEMS压力传感器包括:下电极;第一绝缘层,在所述下电极上方;第二绝缘层,在所述第一绝缘层上方,在所述第一绝缘层和第二绝缘层之间形成腔体;上电极,在所述第二绝缘层上方,其中,所述腔体的...