本发明实施例公开了一种衍射消光摇摆曲线成像测量装置和方法。衍射消光摇摆曲线成像测量装置包括：X射线源，用于产生X射线光束；X射线光学器件，用于对接收到的所述X射线光束进行单色化以及平行准直处理，输出平行单色X射线光束，以照射在单晶样品上...

本发明提供一种材料输运性能测量系统，包括椭圆偏振测量装置以及热容测取装置以及控制器，椭圆偏振测量装置依次经光路连接的光源、起偏器、样品架、集成检偏器以及探测器组件；光源发出的光线经过起偏器照射到待测样品，待测样品将光反射到集成检偏器；从...

本发明提供一种椭圆偏振光测量装置，其包括依次经光路连接的光源、起偏器、样品架、集成检偏器以及探测器组件；所述样品架用于放置待测样品，光源发出的光线经过起偏器照射到待测样品，待测样品将光反射到所述集成检偏器；所述集成检偏器包括多个偏振器，...

本实用新型公开了一种高通量PECVD装置，包括：反应腔室；设置于反应腔室内的沉积台，沉积台的沉积表面分立有多个独立的沉积微区，每个所述沉积微区的温度独立可调；每个所述沉积微区分别对应有一等离子体激发单元，每个所述等离子体激发单元分别包括...

本发明公开了一种高通量PECVD装置，包括：反应腔室；设置于反应腔室内的沉积台，沉积台的沉积表面分立有多个独立的沉积微区，每个所述沉积微区的温度独立可调；每个所述沉积微区分别对应有一等离子体激发单元，每个所述等离子体激发单元分别包括一反...

本发明涉及一种脉冲式X射线发生装置，所述装置包括：脉冲式电子源(1)以及阵列式阳极靶，所述阵列式阳极靶包括金刚石(3)和镶嵌在其上的阵列式金属靶(2)；所述脉冲式电子源(1)位于阵列式金属靶(2)的上方。利用脉冲式电子束轰击到镶嵌在金刚...

本发明实施例公开了一种微区激光加热装置及加热方法。该微区激光加热装置包括：激光特性确定模块，用于根据样品的当前待加热微区的参数，得到加热所需激光的第一特性参数；控制器，与激光特性确定模块电连接，用于根据第一特性参数生成控制信号；激光输出...

本发明公开了一种快速测量薄膜材料热容的装置和方法，具体地，该装置包括控制设备、时钟同步器、平顶峰激光设备、快速测温仪以及热容输出设备；控制设备和时钟同步器信号连接，时钟同步器同时与平顶峰激光设备和快速测温仪信号连接；在工作状态下，控制设...

本发明公开了一种快速测量薄膜材料的热导率的装置和方法，具体地，该装置包括控制设备、时钟同步器、激光器、快速测温仪以及热导率输出设备；控制设备和时钟同步器信号连接，时钟同步器同时与激光器和快速测温仪信号连接；在工作状态下，控制设备向时钟同...

一种用于原位合成和实时表征的高通量组合材料实验设备包括成分散布装置，用于制备作为高通量实验样品库的前驱体的连续或分立的成分分布；低温扩散混合装置，用于在相对低的温度下在厚度方向上通过扩散充分混合所述成分散布体以形成非晶前驱体；和集成的合...

本发明涉及一种衬底，包括由对加热源辐射波长基本无吸收的材料制成的基板、由对加热源辐射波具有高吸收率的材料制成的吸收层、阻挡基板或吸收层中所包含离子和原子的迁移的扩散阻挡层，吸收层设置在基板上，扩散阻挡层覆盖设置在吸收层上。本发明还涉及一...

本实用新型涉及材料微波波段电磁学参数测量领域，尤其涉及一种样品台。本申请设计的一种样品台，该样品台通过样品台组件、升降组件、传动组件和外壳组件组成，升降组件和传动组件精密连接，可以实现微小距离的传动，这样就可以精确控制样品台组件的移动距...

本实用新型涉及一种掩模更换装置，包括有能够进行转动的掩模转台、驱动转台进行转动的第一驱动装置、放置基片的基片台，驱动基片台进行转动和升降的第二驱动装置，掩模转台与第一驱动装置传动连接，基片台和第二驱动装置传动连接。转台上具有多个放置分立...

本发明提供了一种锂离子电池正极组合材料芯片及制备方法，通过多元物料组合混合及沉积，配合微区加热、掩模板和X-Y平面位移控制，可在一较小面积的基片上集成制备大量具有不同组分或微观结构的聚阴离子型锂离子电池正极材料样品，覆盖广泛的材料参数空...

本发明涉及材料科学实验技术领域，尤其涉及一种微区加热装置，通过加热源经具有一通孔的掩模板对样品进行加热，并通过一位移控制设备改变样品与掩模板的相对位置，以满足材料样品生产中对同一加热样品的不同位置加热到不同温度的要求，以充分发挥高通量组...

本发明属于材料测试装置领域，具体涉及一种高通量电阻率测试装置。本发明针对传统四探针测电阻测试高通量样品时出现的探针反复升降、移动等操作带来的时间消耗和仪器损耗，提出一种基于四探针方法的多探针高通量电阻率测试装置。该装置通过多通道开关的控...

本发明涉及材料科学实验技术领域，尤其涉及到一种电化学组合材料芯片，通过在一基底上集成样品区域阵列，并于该区域中设置有集流电极与待测试的样品，并通过一电极引线实现集流电极与金手指的电连接，进而实现各样品分别独立的通过集流电极、电极引线、金...

本发明公开了一种高通量组合材料制备装置及制备方法，包括：储靶腔，用于储存备用的所述靶材；制备腔，通过离子束溅射在靶材表面并在基片表面反溅沉积多层薄膜材料从而形成组合材料芯片前驱体；以及换靶腔，在所述制备腔和所述储靶腔之间传递或存取所述靶...

本实用新型涉及一种高通量组合材料芯片制备设备，包括制备腔、热处理腔、取样腔和能与制备腔、热处理腔、取样腔进行连通的过渡腔。制备腔内具有能够放置多个靶材的组合材料芯片前驱体沉积装置。该高通量组合材料芯片制备设备不需要进行额外的靶材更换操作...

本实用新型涉及一种高通量组合材料芯片前驱体沉积设备，包括靶材架、安装在靶材架正面上的靶材、安装在靶材背面上的永磁体、与靶材相对设置的基片、能覆盖在基片上的掩模、用于放置基片的放置台、用于驱动放置台转动和移动的驱动装置。靶材架上具有多个安...