本发明公开了一种碳化硅功率器件的终端结构，包括碳化硅功率器件体，所述碳化硅功率器件体的外部设置有封装顶板和封装底板，所述封装顶板和封装底板均设置有安装组件和夹持组件，所述安装组件包括滑动槽，所述滑动槽的内部设置有限位块，所述限位块开设有...

本发明公开了一种碳化硅功率器件，包括底壳、顶壳和保护罩，底壳和顶壳之间设置有碳化硅芯片，且碳化硅芯片一侧的外壁上设置有延伸至底壳外部的引脚，底壳的底部设置有收纳座，保护罩两侧的外壁上均设置有转杆，且转杆通过轴承转动连接在收纳座的内壁上，...

本实用新型公开了一种高散热性能的SiC模块，包括基座、护壳和SiC模块本体，基座的顶部开设有安装槽，且SiC模块本体固定在安装槽的内部，护壳固定在基座的顶部，且护壳的顶部固定有储液盒，储液盒的一端固定有呈涡旋状结构分布在SiC模块本体顶...

本实用新型公开了一种碳化硅功率器件及其封装结构，包括碳化硅功率器件体，碳化硅功率器件体包括功率器件基板和碳化硅外层，功率器件基板的顶部设置有正电极层，功率器件基板的底部设置有负电极层，正电极层和负电极层的外壁均固定安装有粘接层，粘接层的...

本实用新型公开了一种耐高温耐腐蚀SiC MOSFET器件单元，包括器件主体，器件主体的内部设置有均匀分布的栅极，栅极的顶部设置有源极，相邻两个栅极之间设置有晶体管间隔层，晶体管间隔层与源极接触，栅极的底部设置有漏极，栅极和漏极之间设置有...

本实用新型公开了一种高阻断电压半导体碳化硅功率器件，包括碳化硅基板，所述碳化硅基板两侧固定连接有导电基座，所述导电基座内部插接有电杆，所述电杆电连接所述碳化硅基板，所述电杆上部固定连接有限位盘，所述导电基座上部设有圆形凹槽，所述圆形凹槽...

本实用新型公开了一种抗高压SiC模块位移电流的结构，碳化硅模块本体，碳化硅模块本体的两侧外壁设置有端子板，碳化硅模块本体的顶部外壁设置有上安装槽，上安装槽的内部设置有空心板，空心板的内部设置有空腔，空腔的底部内壁一体成型有均匀分布的散热...