一种高阻断电压半导体碳化硅功率器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高阻断电压半导体碳化硅功率器件，包括碳化硅基板，所述碳化硅基板两侧固定连接有导电基座，所述导电基座内部插接有电杆，所述电杆电连接所述碳化硅基板，所述电杆上部固定连接有限位盘，所述导电基座上部设有圆形凹槽，所述圆形凹槽内部滑动连接所述限位盘，所述电杆下部电连接有电路基板。本实用新型专利技术通过碳化硅基板两侧固定连接有导电基座，导电基座内部插接有电杆，电杆电连接碳化硅基板，使得使用者可以通过插接电杆与碳化硅基板进行电连接，当电杆损坏时可以快速更换，不影响碳化硅基板的继续使用，通过电杆下部电连接有电路基板，使得电路基板与碳化硅基板电连接进行工作。基板电连接进行工作。基板电连接进行工作。

【技术实现步骤摘要】
一种高阻断电压半导体碳化硅功率器件


[0001]本技术属于碳化硅
，尤其涉及一种高阻断电压半导体碳化硅功率器件。

技术介绍

[0002]碳化硅为代表的第三代半导体材料在禁带宽度、击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导率以及抗辐射等关键参数方面具有显著优势，进一步满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，如申请号为CN201980082208.3的具有MOS结构和应力件的碳化硅功率器件，具有MOS结构的碳化硅功率器件，其中由两个应力件将应力引入沟道区，以将存在于栅极绝缘层(131)与沟道区之间的界面处的陷阱的能级推进导带，以便陷阱不会对器件特性产生负面影响。
[0003]但是，传统的碳化硅功率器件在进行安装时会因为误操作导致引脚断裂，从而导致整个碳化硅功率器件不能进行安装使用。

技术实现思路

[0004]针对现有技术存在的问题，本技术提供了一种高阻断电压半导体碳化硅功率器件，具备引脚可更换的优点，解决了传统的碳化硅功率器件在进行安装时会因为误操作导致引脚断裂，从而导致整个碳化硅功率器件不能进行安装使用的问题。
[0005]本技术是这样实现的，一种高阻断电压半导体碳化硅功率器件，包括碳化硅基板，所述碳化硅基板两侧固定连接有导电基座，所述导电基座内部插接有电杆，所述电杆电连接所述碳化硅基板，所述电杆上部固定连接有限位盘，所述导电基座上部设有圆形凹槽，所述圆形凹槽内部滑动连接所述限位盘，所述电杆下部电连接有电路基板。
[0006]作为本技术优选的，所述电路基板内部固定安装有焊盘，所述电杆通过焊锡与所述焊盘进行焊接操作，所述电杆电连接所述焊盘。
[0007]作为本技术优选的，所述限位盘外部固定连接有弹性卡板，所述弹性卡板设有多个，多个所述弹性卡板呈周向设置在所述限位盘外部，所述弹性卡板外部紧密接触圆形凹槽对所述限位盘进行活动限位。
[0008]作为本技术优选的，所述导电基座包括滑轨，所述滑轨一侧固定连接所述碳化硅基板，所述滑轨滑动连接有滑板，所述滑轨上部还转动安装有螺丝，所述螺丝穿过所述滑轨螺接所述滑板。
[0009]作为本技术优选的，所述滑板内部固定安装有夹紧组件，所述碳化硅基板两侧分别固定连接有若干第一导电盘，每个所述第一导电盘分别电连接不同的所述夹紧组件。
[0010]作为本技术优选的，所述夹紧组件包括第二导电盘，所述滑板内部滑动安装所述第二导电盘，所述第二导电盘接触所述第一导电盘且所述第二导电盘电连接所述第二导电盘，所述第二导电盘远离所述第一导电盘一侧通过弹簧活动安装有活动盘，所述活动
盘远离所述弹簧的一侧固定连接有第一弹性夹板。
[0011]作为本技术优选的，滑板内部还固定连接有个固定盘，所述固定盘靠近所述第一弹性夹板的一侧固定连接有第二弹性夹板，所述第一弹性夹板和所述第二弹性夹板内部夹紧所述电杆。
[0012]作为本技术优选的，所述电路基板上部还固定连接有固定管，所述固定管设置于所述碳化硅基板上部，所述碳化硅基板通过螺杆固定安装有回形限位板，所述回形限位板下部压紧所述碳化硅基板，且所述回形限位板下部接触所述限位盘。
[0013]与现有技术相比，本技术的有益效果如下：
[0014]1、本技术通过碳化硅基板两侧固定连接有导电基座，导电基座内部插接有电杆，电杆电连接碳化硅基板，使得使用者可以通过插接电杆与碳化硅基板进行电连接，当电杆损坏时可以快速更换，不影响碳化硅基板的继续使用，通过电杆上部固定连接有限位盘，导电基座上部设有圆形凹槽，圆形凹槽内部滑动连接限位盘，对电杆进行限位安装，通过电杆下部电连接有电路基板，使得电路基板与碳化硅基板电连接进行工作。
[0015]2、本技术通过电路基板内部固定安装有焊盘，电杆通过焊锡与焊盘进行焊接操作，电杆电连接焊盘，将碳化硅基板安装在电路基板上，通过，限位盘外部固定连接有弹性卡板，弹性卡板设有多个，多个弹性卡板呈周向设置在限位盘外部，使得弹性卡板外部紧密接触圆形凹槽对限位盘进行活动限位。
[0016]3、本技术通过导电基座包括滑轨，滑轨一侧固定连接碳化硅基板，滑轨滑动连接有滑板，滑轨上部还转动安装有螺丝，螺丝穿过滑轨螺接滑板，滑板内部固定安装有夹紧组件，碳化硅基板两侧分别固定连接有若干第一导电盘，每个第一导电盘分别电连接不同的夹紧组件，使得导电基座可以进行拆卸更换，发生损坏时可以进行快速更换维修。
[0017]4、本技术通过夹紧组件包括第二导电盘，滑板内部滑动安装第二导电盘，第二导电盘接触第一导电盘且第二导电盘电连接第二导电盘，第二导电盘远离第一导电盘一侧通过弹簧活动安装有活动盘，活动盘远离弹簧的一侧固定连接有第一弹性夹板，滑板内部还固定连接有个固定盘，固定盘靠近第一弹性夹板的一侧固定连接有第二弹性夹板，且第一弹性夹板和第二弹性夹板内部夹紧电杆，使得电杆可以与碳化硅基板进行电连接。
[0018]5、本技术通过电路基板上部还固定连接有固定管，固定管设置于碳化硅基板上部，碳化硅基板通过螺杆固定安装有回形限位板，回形限位板下部压紧碳化硅基板，且回形限位板下部接触限位盘，使得回形限位板可以对碳化硅基板和限位盘进行二次固定。
附图说明
[0019]图1是本技术实施例提供的整体结构示意图；
[0020]图2是本技术实施例提供的导电基座结构示意图；
[0021]图3是本技术实施例提供的第一导电盘结构示意图；
[0022]图4是本技术实施例提供的夹紧组件结构示意图；
[0023]图5是本技术实施例提供的焊盘结构示意图。
[0024]图中：1、碳化硅基板；2、导电基座；201、滑轨；202、螺丝；203、滑板；3、限位盘；4、电杆；5、第一导电盘；6、夹紧组件；601、第二导电盘；602、弹簧；603、活动盘；604、第一弹性夹板；605、第二弹性夹板；606、固定盘；7、电路基板；8、回形限位板；9、固定管；10、螺杆；11、焊
盘；12、弹性卡板。
具体实施方式
[0025]为能进一步了解本技术的
技术实现思路
、特点及功效，兹例举以下实施例，并配合附图详细说明如下。
[0026]下面结合附图对本技术的结构作详细的描述。
[0027]如图1至图5所示，本技术实施例提供的一种高阻断电压半导体碳化硅功率器件，包括碳化硅基板1，碳化硅基板1两侧固定连接有导电基座2，导电基座2内部插接有电杆4，电杆4电连接碳化硅基板1，电杆4上部固定连接有限位盘3，导电基座2上部设有圆形凹槽，圆形凹槽内部滑动连接限位盘3，电杆4下部电连接有电路基板7。
[0028]参考图4和图5，电路基板7内部固定安装有焊盘11，电杆4通过焊锡与焊盘11进行焊接操作，电杆4电连接焊盘11，限位盘3外部固定连接有弹性卡板12，弹性卡板12设有多个，多个弹性卡板12呈周向设置在限位盘3外部，弹性卡板12外部紧密接触圆形凹槽对限位盘3本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高阻断电压半导体碳化硅功率器件，包括碳化硅基板(1)，其特征在于：所述碳化硅基板(1)两侧固定连接有导电基座(2)，所述导电基座(2)内部插接有电杆(4)，所述电杆(4)电连接所述碳化硅基板(1)，所述电杆(4)上部固定连接有限位盘(3)，所述导电基座(2)上部设有圆形凹槽，所述圆形凹槽内部滑动连接所述限位盘(3)，所述电杆(4)下部电连接有电路基板(7)。2.如权利要求1所述的一种高阻断电压半导体碳化硅功率器件，其特征在于：所述电路基板(7)内部固定安装有焊盘(11)，所述电杆(4)通过焊锡与所述焊盘(11)进行焊接操作，所述电杆(4)电连接所述焊盘(11)。3.如权利要求1所述的一种高阻断电压半导体碳化硅功率器件，其特征在于：所述限位盘(3)外部固定连接有弹性卡板(12)，所述弹性卡板(12)设有多个，多个所述弹性卡板(12)呈周向设置在所述限位盘(3)外部，所述弹性卡板(12)外部紧密接触圆形凹槽对所述限位盘(3)进行活动限位。4.如权利要求1所述的一种高阻断电压半导体碳化硅功率器件，其特征在于：所述导电基座(2)包括滑轨(201)，所述滑轨(201)一侧固定连接所述碳化硅基板(1)，所述滑轨(201)滑动连接有滑板(203)，所述滑轨(201)上部还转动安装有螺丝(202)，所述螺丝(202)穿过所述滑轨(201)螺接所述滑板(203)。5.如权利要求4所述的一种高阻断电压半导体碳化硅功率器件，其特征在于：所述滑...

【专利技术属性】
技术研发人员：印水柔，叶红海，印晓春，
申请(专利权)人：宁波君芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：