本实用新型专利技术公开了一种抗高压SiC模块位移电流的结构，碳化硅模块本体，碳化硅模块本体的两侧外壁设置有端子板，碳化硅模块本体的顶部外壁设置有上安装槽，上安装槽的内部设置有空心板，空心板的内部设置有空腔，空腔的底部内壁一体成型有均匀分布的散热条，碳化硅模块本体的一侧外壁通过螺栓连接有微型泵，空心板的一侧外壁焊接有进水管，微型泵的出水口与进水管连接，空心板的一侧外壁焊接有出水管。本实用新型专利技术通过设置的微型泵、空心板和出水管，利用微型泵将冷却水输送到空心板的空腔内部，使得冷却水能够将碳化硅模块本体上的热量进行快速的带走，使得碳化硅模块本体在高电压下工作时不会出现高温现象，同时减缓了碳化硅模块本体的内阻的升高，进而减小了位移电流的产生。生。生。
【技术实现步骤摘要】
一种抗高压SiC模块位移电流的结构
[0001]本技术涉及碳化硅模块
，具体涉及一种抗高压SiC模块位移电流的结构。
技术介绍
[0002]碳化硅(SiC)功率器件的应用可大幅提高电力电子变换器的性能，目前在工业变频、电动汽车、轨道牵引、再生能源发电等诸多场合中已获得初步应用。
[0003]中国CN202021344698.6涉及一种碳化硅全桥模块的低寄生电感SiC模块和焊接方法，属于半导体功率设备
，包括DBC板、碳化硅器件及套壳，DBC板作为该SiC模块的底板，碳化硅器件固定贴合在DBC板的导电层上，套壳扣于DBC板，DBC板上的导电层分为功率电极区和信号电极区，功率电极区包括第一漏极区块、第二漏极区块、第三漏极区块和负极输入区块，信号电极区包括第一栅极区块、第二栅极区块、第三栅极区块和第四栅极区块。
[0004]上述以及在现有技术中碳化硅模块在使用时，其散热性能较差，使得碳化硅模块在高电压下工作时容易出现高温现象，导致内部的芯片高温下工作容易损坏，且高温下使得碳化硅模块的内阻升高，导致碳化硅模块工作时产生的位移电流较大，进而影响碳化硅模块正常工作。因此，亟需设计一种抗高压SiC模块位移电流的结构来解决上述问题。
技术实现思路
[0005]本技术的目的是提供一种抗高压SiC模块位移电流的结构，以解决现有技术中的上述不足之处。
[0006]为了实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0007]一种抗高压SiC模块位移电流的结构，碳化硅模块本体，所述碳化硅模块本体的两侧外壁设置有端子板，所述碳化硅模块本体的顶部外壁设置有上安装槽，所述上安装槽的内部设置有空心板，所述空心板的内部设置有空腔，所述空腔的底部内壁一体成型有均匀分布的散热条，所述碳化硅模块本体的一侧外壁通过螺栓连接有微型泵，所述空心板的一侧外壁焊接有进水管，所述微型泵的出水口与进水管连接，所述空心板的一侧外壁焊接有出水管。
[0008]进一步的，所述碳化硅模块本体内的底部外壁设置有下安装槽，所述下安装槽的内部设置有均温板，所述均温板的底部外壁一体成型有均匀分布的散热翅片。
[0009]进一步的，所述端子板的顶部和底部外壁均设置有镀银层，所述端子板的顶部外壁设置有连接孔。
[0010]进一步的，所述均温板的两侧外壁均焊接有连接板，所述连接板的一侧外壁开有连接槽，所述碳化硅模块本体的两侧外壁均一体成型有卡块，所述卡块位于连接槽的内部。
[0011]进一步的，所述下安装槽的内部设置有导热硅脂层，所述导热硅脂层位于均温板的顶部。
[0012]进一步的，所述连接板的顶部外壁开有楔形槽，所述卡块的底部外壁设置有与楔形槽相适配的楔形面。
[0013]在上述技术方案中，本技术提供的一种抗高压SiC模块位移电流的结构，有益效果为：
[0014](1)通过设置的微型泵、空心板和出水管，利用微型泵将冷却水输送到空心板的空腔内部，使得冷却水能够将碳化硅模块本体上的热量进行快速的带走，使得碳化硅模块本体在高电压下工作时不会出现高温现象，同时减缓了碳化硅模块本体1的内阻的升高，进而减小了位移电流的产生。
[0015](2)通过在端子板的上下两个侧面设置镀银层，使得碳化硅模块本体在进行工作时其端子板的导电率得到提高，进而使得碳化硅模块本体工作时的损耗降低。
[0016](3)通过设置的导热硅脂层、均温板和散热翅片，利用导热硅脂层将碳化硅模块本体上的热量传递给均温板，使得均温板能够将热量通过散热翅片进行快速的散出，因此进一步提高了碳化硅模块本体的散热性。
[0017](4)通过设置的连接板、连接槽和卡块，利用碳化硅模块本体上的卡块与均温板上连接板的连接槽进行配合，使得均温板与碳化硅模块本体进行安装时更加的便捷。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为本技术一种抗高压SiC模块位移电流的结构实施例提供的整体结构示意图。
[0020]图2为本技术一种抗高压SiC模块位移电流的结构实施例提供的空心板结构示意图。
[0021]图3为本技术一种抗高压SiC模块位移电流的结构实施例提供的A处放大结构示意图。
[0022]附图标记说明：
[0023]1碳化硅模块本体、2上安装槽、3空心板、4出水管、5微型泵、6进水管、7端子板、8镀银层、9下安装槽、10均温板、11散热翅片、12导热硅脂层、13连接板、14连接槽、15卡块、16楔形面、17楔形槽、18空腔、19散热条、20连接孔。
具体实施方式
[0024]为了使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面将结合附图对本技术作进一步的详细介绍。
[0025]如图1
‑
3所示，本技术实施例提供的一种抗高压SiC模块位移电流的结构，碳化硅模块本体1，碳化硅模块本体1的两侧外壁设置有端子板7，碳化硅模块本体1的顶部外壁设置有上安装槽2，上安装槽2的内部设置有空心板3，空心板3的内部设置有空腔18，空腔18的底部内壁一体成型有均匀分布的散热条19，碳化硅模块本体1的一侧外壁通过螺栓连接有微型泵5，空心板3的一侧外壁焊接有进水管6，微型泵5的出水口与进水管6连接，空心
板3的一侧外壁焊接有出水管4。
[0026]具体的，本实施例中，碳化硅模块本体1，碳化硅模块本体1为现有技术的SiC功率器件，碳化硅模块本体1的两侧外壁设置有端子板7，端子板7用于碳化硅模块本体1的安装和电性连接，碳化硅模块本体1的顶部外壁设置有上安装槽2，上安装槽2的内部设置有空心板3，空心板3的内部设置有空腔18，空腔18的内部能够流入冷却水，空腔18的底部内壁一体成型有均匀分布的散热条19，碳化硅模块本体1的一侧外壁通过螺栓连接有微型泵5，空心板3的一侧外壁焊接有进水管6，微型泵5的出水口与进水管6连接，利用微型泵5向空心板3的内部通入冷却水，空心板3的一侧外壁焊接有出水管4，冷却水携带碳化硅模块本体1产生的热量从出水管4流出。
[0027]本技术提供的一种抗高压SiC模块位移电流的结构，通过设置的微型泵5、空心板3和出水管4，利用微型泵5将冷却水输送到空心板3的空腔18内部，使得冷却水能够将碳化硅模块本体1上的热量进行快速的带走，使得碳化硅模块本体1在高电压下工作时不会出现高温现象，同时减缓了碳化硅模块本体1的内阻的升高，进而减小了位移电流的产生。
[0028]本技术提供的另一个实施例中，碳化硅模块本体1内的底部外壁设置有下安装槽9，下安装槽9的内部设置有均温板10，均温板10的底部外壁一体成型有均匀分布的散热翅片11，均温板10为现有技术的真空腔均温板，真空腔均温板原理为：本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种抗高压SiC模块位移电流的结构，其特征在于，碳化硅模块本体(1)，所述碳化硅模块本体(1)的两侧外壁设置有端子板(7)，所述碳化硅模块本体(1)的顶部外壁设置有上安装槽(2)，所述上安装槽(2)的内部设置有空心板(3)，所述空心板(3)的内部设置有空腔(18)，所述空腔(18)的底部内壁一体成型有均匀分布的散热条(19)，所述碳化硅模块本体(1)的一侧外壁通过螺栓连接有微型泵(5)，所述空心板(3)的一侧外壁焊接有进水管(6)，所述微型泵(5)的出水口与进水管(6)连接，所述空心板(3)的一侧外壁焊接有出水管(4)。2.根据权利要求1所述的一种抗高压SiC模块位移电流的结构，其特征在于，所述碳化硅模块本体(1)内的底部外壁设置有下安装槽(9)，所述下安装槽(9)的内部设置有均温板(10)，所述均温板(10)的底部外壁一体成型有均匀分布的散热翅片(11)。3.根据权利要求1所述的一...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶红海，印晓春，印水柔，
申请(专利权)人：宁波君芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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