一种碳化硅功率器件及其封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种碳化硅功率器件及其封装结构，包括碳化硅功率器件体，碳化硅功率器件体包括功率器件基板和碳化硅外层，功率器件基板的顶部设置有正电极层，功率器件基板的底部设置有负电极层，正电极层和负电极层的外壁均固定安装有粘接层，粘接层的外壁固定安装有烧结层，烧结层的外壁固定安装有金属层，碳化硅外层设置在金属层的外部，本实用新型专利技术中功率器件基板的外部利用粘接层连接固定烧结层，烧结层和金属层提高碳化硅功率器件体的传热效率，并且碳化硅外层也增加了碳化硅功率器件体的耐高温性能和稳定性，在塞盖转动过后，推压件移动便于碳化硅功率器件体的固定封装，降低碳化硅功率器件体的松动。降低碳化硅功率器件体的松动。降低碳化硅功率器件体的松动。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅功率器件及其封装结构


[0001]本技术涉及碳化硅功率器件
，具体涉及一种碳化硅功率器件及其封装结构。

技术介绍

[0002]碳化硅作为新一代的宽禁带半导体材料，碳化硅材料在功率半导体器件的开发中具有多种优势，功率半导体器件为功率变换系统的核心器件，碳化硅功率器件在性能、工作温度、功率处理效率和提供新功能的能力方面提供了显著的改进，碳化硅功率器件运用在逆变器和新能源汽车等方面。
[0003]如授权公告号为CN113782503A，授权公告日为20211210的一种碳化硅功率器件封装结构及封装方法，包括碳化硅功率器件，所述碳化硅功率器件的顶端设置有正电极，所述碳化硅功率器件的底端连接有副电机，所述副电机的底端安装有散热机构，所述散热机构的底端设置有封装基板，所述封装基板的底端固定有散热器。
[0004]碳化硅功率器件在经过长时间的使用后，碳化硅功率器件的热量升高，如不进行及时的降温处理，碳化硅功率器件会损坏，便难以顺利的运行，并且碳化硅功率器件使用时暴露在外容易受潮，需将碳化硅功率器件封装，因此，亟需设计一种碳化硅功率器件及其封装结构来解决上述问题。

技术实现思路

[0005]本技术的目的是提供一种碳化硅功率器件及其封装结构，以解决现有技术中的上述不足之处。
[0006]为了实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0007]一种碳化硅功率器件，包括碳化硅功率器件体，所述碳化硅功率器件体包括功率器件基板和碳化硅外层，所述功率器件基板的顶部设置有正电极层，所述功率器件基板的底部设置有负电极层，所述正电极层和负电极层的外壁均固定安装有粘接层，所述粘接层的外壁固定安装有烧结层，所述烧结层的外壁固定安装有金属层。
[0008]优选的，所述碳化硅外层设置在金属层的外部，所述功率器件基板的两侧和碳化硅外层之间粘接有封边层。
[0009]一种碳化硅功率器件的封装结构，包括所述的一种碳化硅功率器件，包括封装顶板与封装底板，所述封装顶板内壁的两侧均开设有位移槽，所述封装顶板内壁的两侧均焊接有固定板，所述固定板的一侧外壁焊接有弹簧，所述弹簧的一端固定安装有推压件，所述封装顶板的两侧内部均螺纹连接有螺纹杆，且螺纹杆的一端固定安装有塞盖，所述封装顶板的两侧内壁均螺纹连接有顶盖。
[0010]优选的，所述碳化硅功率器件体设置在封装顶板和封装底板之间，所述封装底板顶部的内壁粘接有密封垫。
[0011]优选的，所述封装底板的内部开设有流通槽，所述流通槽的内壁通过螺栓安装有
散热板。
[0012]优选的，所述封装底板的底部两侧均螺纹连接有密封塞，所述封装底板的底部两侧均焊接有支撑条。
[0013]优选的，所述封装顶板和封装底板的两侧外壁均焊接有安装板，两个所述安装板通过螺栓相连接。
[0014]在上述技术方案中，本技术提供的一种碳化硅功率器件及其封装结构，通过设置的碳化硅功率器件体与碳化硅外层，功率器件基板的外部利用粘接层连接固定烧结层，烧结层和金属层提高碳化硅功率器件体的传热效率，并且碳化硅外层也增加了碳化硅功率器件体的耐高温性能和稳定性；通过设置的推压件与螺纹杆，在塞盖转动过后，螺纹杆的端部能够插入至推压件中，推压件得以被螺纹杆所按动，推压件移动后便于碳化硅功率器件体的固定封装，降低碳化硅功率器件体的松动；通过设置的密封垫与散热板，密封垫装设在封装底板中，碳化硅功率器件体得以稳定的封存，并且散热板能够将碳化硅功率器件体的热量传递，防止了碳化硅功率器件体过热。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1为本技术一种碳化硅功率器件及其封装结构实施例提供的立体结构示意图。
[0017]图2为本技术一种碳化硅功率器件及其封装结构实施例提供的剖面示意图。
[0018]图3为本技术一种碳化硅功率器件及其封装结构实施例提供的碳化硅功率器件体结构示意图。
[0019]图4为本技术一种碳化硅功率器件及其封装结构实施例提供的碳化硅功率器件体局部剖面示意图。
[0020]图5为本技术一种碳化硅功率器件及其封装结构实施例提供的A局部剖面示意图。
[0021]附图标记说明：
[0022]1碳化硅功率器件体、2功率器件基板、3粘接层、4烧结层、5金属层、6正电极层、7负电极层、8碳化硅外层、9安装板、10推压件、11弹簧、12固定板、13位移槽、14螺纹杆、15塞盖、16顶盖、17封装顶板、18封装底板、19流通槽、20密封垫、21散热板、22支撑条、23密封塞、24封边层。
具体实施方式
[0023]为了使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面将结合附图对本技术作进一步的详细介绍。
[0024]如图1
‑
5所示，本技术实施例提供的一种碳化硅功率器件，包括碳化硅功率器件体1，碳化硅功率器件体1包括功率器件基板2和碳化硅外层8，功率器件基板2的顶部设置有正电极层6，功率器件基板2的底部设置有负电极层7，正电极层6和负电极层7的外壁均固
定安装有粘接层3，粘接层3的外壁固定安装有烧结层4，烧结层4的外壁固定安装有金属层5。
[0025]具体的，本实施例中，包括碳化硅功率器件体1，碳化硅功率器件体1包括功率器件基板2和碳化硅外层8，碳化硅外层8的耐高温性较强，功率器件基板2的顶部设置有正电极层6，功率器件基板2的底部设置有负电极层7，正电极层6和负电极层7的外壁均固定安装有粘接层3，粘接层3的外壁固定安装有烧结层4，烧结层4通过粘接层3固定连接在功率器件基板2的外部，烧结层4的外壁固定安装有金属层5，烧结层4和金属层5相连接，使碳化硅功率器件体1的热量传输，将碳化硅功率器件体1降温处理。
[0026]本技术提供的一种碳化硅功率器件及其封装结构，通过设置的碳化硅功率器件体1与碳化硅外层8，功率器件基板2的外部利用粘接层3连接固定烧结层4，烧结层4和金属层5提高碳化硅功率器件体1的传热效率，并且碳化硅外层也增加了碳化硅功率器件体1的耐高温性能和稳定性。
[0027]本技术提供的一个实施例中，如图1、图2、图3和图4所示的，碳化硅外层8设置在金属层5的外部，碳化硅外层8的稳定性较强，功率器件基板2的两侧和碳化硅外层8之间粘接有封边层24，封边层24将功率器件基板2的两边封存，防止功率器件基板2的左右滑动。
[0028]一种碳化硅功率器件的封装结构，包括一种碳化硅功率器件，包括封装顶板17与封装底板18，封装顶板17和封装底板18分别封装在碳化硅功率器件体1的顶部和底部，封装顶板17内壁的两侧均开设有位移槽13，封装顶板17内壁的两侧均焊接有固定板12，固本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅功率器件，包括碳化硅功率器件体(1)，其特征在于，所述碳化硅功率器件体(1)包括功率器件基板(2)和碳化硅外层(8)，所述功率器件基板(2)的顶部设置有正电极层(6)，所述功率器件基板(2)的底部设置有负电极层(7)，所述正电极层(6)和负电极层(7)的外壁均固定安装有粘接层(3)，所述粘接层(3)的外壁固定安装有烧结层(4)，所述烧结层(4)的外壁固定安装有金属层(5)。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅功率器件，其特征在于，所述碳化硅外层(8)设置在金属层(5)的外部，所述功率器件基板(2)的两侧和碳化硅外层(8)之间粘接有封边层(24)。3.一种碳化硅功率器件的封装结构，包括权利要求1
‑
2所述的一种碳化硅功率器件，包括封装顶板(17)与封装底板(18)，其特征在于，所述封装顶板(17)内壁的两侧均开设有位移槽(13)，所述封装顶板(17)内壁的两侧均焊接有固定板(12)，所述固定板(12)的一侧外壁焊接有弹簧(11)，所述弹簧(11)的一端固定...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶红海，印晓春，印水柔，
申请(专利权)人：宁波君芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：