一种芯片封装结构及芯片封装方法技术

本申请公开了一种芯片封装结构及芯片封装方法，该封装结构包括：至少两个焊盘组件，焊盘组件包括焊盘以及金属凸起；芯片，设置在其中一个焊盘组件的第一侧；金属增高层，设置在剩余焊盘组件的第一侧；第一封装层，至少包覆芯片以及金属增高层；导电组件，与芯片以及金属增高层连接。本申请中的封装结构一方面采用金属增高层增厚单侧焊盘的方式，可以降低盲孔内无金属的风险，提高钻孔后镀铜效果，可以提高产品的可靠性，另一方面通过设置包括焊盘和金属凸起的焊盘组件，可以降低蚀刻过度而露出芯片的风险，也可以提高产品的可靠性。也可以提高产品的可靠性。也可以提高产品的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片封装结构及芯片封装方法


[0001]本申请涉及芯片封装的
，特别是涉及一种芯片封装结构及芯片封装方法。

技术介绍

[0002]FOPLP技术作为先进封装的一种，目前已在分立式器件中得到大规模应用，但就目前方案而言，结构可靠性及方案都存在着一定的缺陷，针对这些问题需要采用一种全新的方案来提高产品可靠性。
[0003]在目前正在使用的产品结构中，芯片焊接在底面铜凸台上，通过激光钻孔的方式在芯片上方及右侧焊盘上钻出盲孔，然后镀上铜形成互联。在上述产品结构中，一方面右侧焊盘上钻出的盲孔存在孔径比不满足能力要求，影响钻孔后镀铜效果，存在盲孔内无金属的风险，影响产品性能，另一方面芯片外部焊盘，在制作时可能会存在蚀刻过量，露出芯片的风险，影响产品性能。

技术实现思路

[0004]本申请主要解决的技术问题是提供一种芯片封装结构及芯片封装方法，提高钻孔后镀铜效果和降低蚀刻过度露出芯片的风险，用于提高产品的可靠性。
[0005]为解决上述技术问题，本申请采用的第一个技术方案是提供一种芯片封装结构，包括：至少两个焊盘组件，焊盘组件包括焊盘和金属凸起；芯片，设置在其中一个焊盘组件的第一侧；金属增高层，设置在剩余焊盘组件的第一侧；第一封装层，至少包覆芯片以及金属增高层；导电组件，与芯片以及金属增高层连接。
[0006]其中，与金属增高层位置对应的第一封装层设置有第一盲孔，导电组件通过第一盲孔与金属增高层导通，与芯片位置对应的第一封装层设置有第二盲孔，导电组件通过第二盲孔与芯片导通。
>[0007]其中，与金属增高层位置对应的第一封装层设置有第三盲孔，导电组件通过第三盲孔与金属增高层导通。
[0008]其中，第一盲孔、第二盲孔及第三盲孔中电镀有金属。
[0009]其中，导电组件远离芯片一侧设置有钢性材料层，其中，钢性材料层包覆至少所述导电组件。
[0010]其中，钢性材料层远离导电组件一侧设置有第二封装层，其中，第二封装层包覆至少钢性材料层。
[0011]为解决上述技术问题，本申请采用的第二个技术方案是提供一种芯片封装方法，包括：准备金属层，在金属层一侧形成至少两个金属凸起；将芯片设置于其中一个金属凸起的第一侧，并在剩余金属凸起的第一侧设置金属增高层；从金属层靠近芯片一侧进行塑封，形成第一封装层，其中，第一封装层包覆至少芯片和金属增高层；在第一封装层远离金属层一侧制作导电组件，导电组件与芯片以及金属增高层连接；对金属层进行蚀刻，在芯片以及
金属增高层对应的位置形成至少两个焊盘。
[0012]其中，在第一封装层远离金属层一侧制作导电组件，导电组件与芯片以及金属增高层连接的步骤，包括：对第一封装层与金属增高层对应的位置进行钻孔，形成第一盲孔，对第一封装层与芯片对应位置进行钻孔，形成第二盲孔，在第一封装层远离金属层一侧制作导电组件，以通过导电组件连通芯片以及金属增高层。
[0013]其中，在第一封装层远离金属层一侧制作导电组件，导电组件与芯片以及金属增高层连接的步骤，包括：对第一封装层与金属增高层对应的位置进行钻孔，形成第三盲孔，在第一封装层远离金属层一侧制作导电组件，以通过导电组件连通芯片以及金属增高层。
[0014]其中，第一盲孔、第二盲孔及第三盲孔中电镀有金属。
[0015]其中，在导电组件远离芯片一侧制作钢性材料层，其中，所述钢性材料层包覆至少导电组件。
[0016]其中，从钢性材料层远离导电组件一侧进行塑封，形成第二封装层，其中，第二封装层包覆至少钢性材料层。
[0017]本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请提供一种芯片封装结构及芯片封装方法，该芯片封装结构采用金属增高层增厚焊盘的方式，一方面可以降低盲孔内无金属的风险，提高钻孔后镀铜效果，提升产品的可靠性，另一方面对于倒装贴装的芯片，可以减少打盲孔的流程，有效地提升工作效率。同时该封装结构在芯片一侧设置包括焊盘和金属凸起的焊盘组件，以减少蚀刻过度露出芯片的风险，也可以提高产品的可靠性。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
[0019]图1是本申请封装结构一实施例的结构示意图；
[0020]图2是本申请封装结构另一实施例的结构示意图；
[0021]图3是本申请封装结构再一实施例的结构示意图；
[0022]图4是本申请封装方法一实施例的流程示意图；
[0023]图5a～图5h是本申请封装方法另一实施例的流程示意图；
[0024]图6是本申请封装方法再一实施例的流程示意图。
[0025]附图标号：100、封装结构；101、焊盘组件；101a、金属凸起；101b、焊盘；102、金属增高层；103、芯片；104、第一封装层；105、第二盲孔；106、第一盲孔；107、导电组件；108、钢性材料层；109、第二封装层；110、第三盲孔；111、金属层。
具体实施方式
[0026]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本申请保护的范围。
[0027]在本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上文清楚地表示其他含义，“多种”一般包含至少两种，但是不排除包含至少一种的情况。
[0028]应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0029]应当理解，本文中使用的术语“包括”、“包含”或者其他任何变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
[0030]在目前采用FOPLP技术的封装方案中，产品的结构可靠性存在一定的缺陷。上述缺陷包括：焊盘上钻出的盲孔存在孔径比不满足能力要求，影响钻孔后镀铜效果，存在盲孔内无金属的风险，影响产品性能，以及芯片外部焊盘，在制作时可能会存在蚀刻过量，露出芯片的风险，影响产品的可靠性。
[0031]基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：至少两个焊盘组件，所述焊盘组件包括焊盘以及金属凸起；芯片，设置在其中一个焊盘组件的第一侧；金属增高层，设置在剩余焊盘组件的第一侧；第一封装层，所述第一封装层包覆至少所述芯片以及所述金属增高层；导电组件，所述导电组件与所述芯片以及所述金属增高层连接。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，与所述金属增高层位置对应的第一封装层设置有第一盲孔，所述导电组件通过所述第一盲孔与所述金属增高层导通，与所述芯片位置对应的第一封装层设置有第二盲孔，所述导电组件通过所述第二盲孔与所述芯片导通。3.根据权利要求1或2所述的芯片封装结构，其特征在于，与所述金属增高层位置对应的第一封装层设置有第三盲孔，所述导电组件通过所述第三盲孔与所述金属增高层导通。4.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一盲孔、所述第二盲孔及所述第三盲孔中电镀有金属。5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，在所述导电组件远离所述芯片一侧设置有钢性材料层，其中，所述钢性材料层包覆至少所述导电组件。6.根据权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于，在所述钢性材料层远离所述导电组件一侧设置有第二封装层，其中，所述第二封装层包覆至少所述钢性材料层。7.一种芯片封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：准备金属层，在所述金属层一侧形成至少两个金属凸起；将所述芯片设置于其中一个所述金属凸起的第一侧，并在剩余金属凸起的第一侧设置金属增高层；从所述金属层靠近所述芯片一侧进行塑封，形成第一封装层，其中，所述第一封装层包覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俞虹，宋关强，王红昌，赵为，江京，
申请(专利权)人：天芯互联科技有限公司，
类型：发明
国别省市：