本发明公开了一种高晶体质量高光效的倒装发光二极管芯片及其制备方法，芯片结构由下至上包括：蓝宝石图形衬底、缓冲层、应力渐变层、n型氮化镓层、电流扩展层、量子阱发光层、P型电子阻挡层、P型氮化镓层、透明导电层、电极层一、高反射率DBR层、电...

本发明公开了一种改善N电极电流拥挤效应的发光二极管芯片及其制备方法，芯片结构由下至上包括：蓝宝石图形衬底、缓冲层、应力释放层、绝缘层、N型氮化镓层、电流扩展层、量子阱发光层、P型电子阻挡层、P型氮化镓层、透明导电层、电极层、保护层。其中...

本技术涉及一种精密半导体元器件的加工划片装置，包括工作箱，所述工作箱的顶部固定有平台，所述工作箱的内底壁固定有贯穿平台的升降机构，所述升降机构的顶部固定有用于放置半导体加工件的加工台，所述平台的顶部固定有固定架，所述固定架的右侧固定有贯...

本技术涉及一种快速热处理半导体加工装置，包括热处理仓，所述热处理仓的正面通过合页铰接有仓门，所述热处理仓的上表面设有均匀受热机构，所述热处理仓的下表面固定有四个支撑脚，所述热处理仓内腔的右侧壁设有热循环机构。该快速热处理半导体加工装置，...

本技术涉及半导体芯片技术领域，且公开了一种便于半导体芯片加工的烘干，包括烘干箱，所述烘干箱的正面通过合页铰接有箱门，所述烘干箱的内部安装有烘干组件，所述烘干箱的右侧安装有旋转组件，所述旋转组件的顶部安装有固定组件，所述烘干组件包括在烘干...

本技术涉及一种用于半导体加工设备的控压装置，包括输送仓，所述输送仓的顶部固定有动力仓，所述输送仓的左侧固定有贯穿输送仓左侧壁的进气管道，所述进气管道的右侧固定有分流管道，所述分流管道可将进气管道输送进来的气体分散至三份，所述分流管道的右...

本发明公开了一种高光效低电压倒装LED芯片及其制备方法，芯片结构由下至上包括：蓝宝石衬底、n型GaN层、量子阱发光层、p型GaN层、金属欧姆接触层、反光层、透明导电层、第一电极层、高反射率DBR层、第二电极层。本发明通过在p型氮化镓上生...

本发明公开了一种高亮稳定的高压芯片及其制备方法，芯片由至少两个LED芯粒组成，由下至上包括以下结构：衬底、n‑GaN层、量子阱发光层、p‑GaN层、透明导电薄膜、隔离槽绝缘层、钝化保护层、金属电极层。本发明通过在高压芯片单元内部的LED...

本发明涉及一种基于5GNB

本发明涉及一种移动烟框用烟草数据采集器装置，包括安装片体以及采集器本体，安装片体设有定位槽与两个并列的竖向通槽，通槽的一个侧壁底部设有使槽宽变窄的凸条；采集器本体包括外侧设有能够穿过宽槽段的可移动卡合结构的外壳，可移动卡合结构包括与凸条...

本发明提供了一种混合AGV和人工驾驶车辆的烤烟仓储物流管理系统，包括在简单场景下进行产品运输的AGV小车、在复杂场景下进行产品运输的人工驾驶车辆、仓储物流管理单元；所述AGV小车和人工驾驶车辆包括车辆本体、定位模块、数据传输模块、控制模...

本发明涉及烟草信息收储管理系统，具体涉及一种基于北斗导航定位的烟草室外烟堆信息收储管理系统，包括温湿度传感器、与温湿度传感器相连的温湿度传感器接口转换MCU、依次连接的烟堆数据采集器、专网基站以及信息化收储管理平台；所述信息化收储管理平...

本发明涉及无线网络通讯领域，具体涉及一种烟草系统中使用的5GNB

本发明公开了一种改善电流输运能力的发光二极管外延结构及其制备方法，包括从底部往上依次在蓝宝石衬底上生长的外延层，具体包括：缓冲层、氮化镓成核层、外延层一、n型氮化镓层、外延层二、浅量子阱层、多量子阱发光层、电子阻挡层、p型氮化镓层。外延...

本发明公开了一种高光效倒装LED芯片及其制备方法，芯片结构由下至上包括：蓝宝石衬底、GaN成核层、n

本实用新型涉及一种半导体设备安装装置，包括移动座和固定安装于移动座右侧底部的配重座，所述移动座的左侧设有吸附稳定组件，移动座的顶壁设有移动升降组件，移动升降组件的底部设有设备固定机构，移动升降组件包括固定安装于移动座内腔顶壁数量为两个的...

本实用新型涉及一种半导体晶圆涂胶用匀胶机，包括匀胶机构、夹持机构和半导体晶圆体，所述夹持机构设置在匀胶机构上，所述半导体晶圆体设置在夹持机构上，所述夹持机构包括固定箱，所述固定箱的内侧固定连接有电动机，所述电动机的输出轴固定连接有驱动轴...

本实用新型涉及一种半导体加工用检测设备，包括底座，所述底座的顶部固定连接有工作台，所述工作台的顶部固定连接有支架，所述支架的顶部固定连接有顶板，所述顶板的顶部设置有清理组件，所述顶板的底部固定安装有检测设备。该半导体加工用检测设备，通过...

本发明公开了一种带量子垒层硅掺杂结构的LED外延片、生长方法及其制造方法；外延片结构包括从下往上依次设置的蓝宝石衬底上生长的外延层、AlGaN缓冲层、非掺杂GaN层、AlGaN缺陷阻挡层、n型GaN层、高温InGaN/GaN应力释放层、...

本发明公开了一种蓝宝石衬底的回收方法，适用于平片或图形化蓝宝石衬底，采用多次药液刻蚀及高温烘烤的方法，对氮化镓相关外延材料进行去除，包括以下步骤：1)第一次碱液A刻蚀氮化镓基LED外延片；2)第一次高温烘烤LED外延片；3)第二次碱液A...