本实用新型涉及一种制备纳米氧化物透明导电膜的设备，特别是涉及用ＳｎＯ↓［２］：Ｆ（掺氟二氧化锡）采用超声快速沉积法制备大面积纳米透明导电膜的装置。本实用新型的技术方案：这种设备包括雾化箱、热反应室和管道；热反应室内底部有玻璃衬底。其特点...

本实用新型公开了一种超声喷雾法制备透明导电膜的专用喷头。这种专用喷头，雾化气从它的进气口进入进气管，分成二路横向相对进入喷头腔内混合，再从喷口喷出。此结构增加了雾化气在喷头腔混合的强度、延长了雾化气在喷头腔滞留混合的时间，保证了喷头腔内...

本实用新型的名称是新型结构的玻璃衬底内连式弱光非晶硅电池，属于非晶硅材料光电器件。现有技术中，采用等离子体辉光放电制备非晶硅光电器件时，有两个问题：一是器件中存在透明导电电极（ＩＴＯ）使光电流传输特性不好，二是器件内部存在较多界面态，导...

一种硅基液晶显示器用高反射率薄型镜面电极，其特征在于：它是由透明硬质平板玻璃（１）、透明薄膜导电电极（２）、ＴＮ型液晶材料（３）、镜面电极（５）、ＬＣｏＳ显示芯片（６）依次叠加构成，透明薄膜导电电极（２）和ＬＣｏＳ显示芯片（６）之间是支...

本实用新型涉及一种用于柔性衬底薄膜太阳电池制备的衬底支撑装置。它是由框形底座，凹槽，框形压板，螺丝和不锈钢柱组成，框形底座对应的两侧有凹槽，不锈钢柱放置在凹槽内匹配，框形压板放置在框形底座上面，框形底座与框形压板对应，并且分别设置螺孔，...

高跨导高Ｅａｒｌｙ电压的ＭＯＳ晶体管——ＨＧＥＴ，属于一族新型半导体集成器件．它能在常规的ＭＯＳ工艺下制造出跨导为２０～４０ｍ∴，Ｅａｒｌｙ电压为４０～５０Ｖ的器件．这种器件放大器的电压增益可达５７ｄｂ．它的等效电路是由两个ＭＯＳ管和一...

本发明关于红外热释电材料。纯ＴＧＳ单晶体作为热解电材料，目前广泛地用于制作红外传感器，热显象管、遥感遥控仪及红外探测器等方面，但其热释电系数（Ｐ）和优值比（Ｐ／ε）还不太理想。本发明是使用其它无机酸部分取代ＴＧＳ的硫酸而制得改性的ＴＧＳ...

本发明属于红外热释电材料。Ｋ－［２］ＺｎＣｌ－［４］是一种新型热释电材料，具有很好的热释电性能，其热释电系数（Ｐ）＝１．３×１０＋［－８］（库／厘米＋［２］．度），介电常数３．８，居里温度（Ｔｃ）为１２０℃，优比值（Ｐ／ε）约３．４２×...

本发明属于红外热释电材料。ＴＧＦｂ单晶体是一种优良的热释电材料，但在育晶时其晶体难于生成。本发明使用ＨＢＦ－［４］部分取代ＴＧＦｂ中的Ｈ－［２］ＢｅＦ－［４］合成出新型ＴＧＦｂＦｂ热释电材料。采用本法易于生长出大尺寸的完整晶形的晶体；本...

本发明属于红外热释电材料。本发明使用无机酸（ＨＢＦ－［４］）部分取代ＬＡＴＧＳ中的硫酸制得ＬＡＴＧＳ／Ｆｂ单晶体，其热释电系数（Ｐ）值可达６．４－７．８库／厘米＋［２］.度，优质比（Ｐ／ε）可达１．８－２．２×１０（库／厘米＋［２］.度...

高温超导平面薄膜本征约瑟夫森结阵及其制备方法，涉及高温超导材料中的约瑟夫森结器件技术领域。解决了在单晶衬底上制备高温超导平面薄膜本征约瑟夫森结阵的技术问题。制作的单晶衬底平面应与晶体００１面呈一夹角，沿着晶体００１面倾斜的方向刻蚀成超导...

高温超导薄膜衬底台阶本征约瑟夫森结阵及其制备方法。涉及高温超导材料中的约瑟夫森结器件领域。解决了制备高温超导薄膜本征约瑟夫森结的技术问题。在小角度台阶衬底上外延生长高温超导薄膜，将超导薄膜在跨越台阶处刻蚀成微桥。本发明是利用高温超导材料...

一种宽谱域低温叠层硅基薄膜太阳电池，由两个硅基薄膜太阳电池叠加构成，其特征在于：第１个ｐｉｎ是宽带隙硅基薄膜电池（如非晶硅、钠米硅、炭化硅、氮化硅等），第２个ｐｉｎ是窄带隙硅基薄膜电池（如微晶硅、多晶硅、微晶硅锗等），第１个宽带隙硅基薄...

本发明是一种薄膜光光上转换图象显示装置，本发明将Ｓｉ基薄膜光电池及有机薄膜发光二极管（ＯＬＥＤ）直接耦合构成一种新型光光转换装置。将光电传感器Ｓｉ基薄膜光电池和以顶部为高透过率透明电极的顶发射ＯＬＥＤ反向串接构成复合装置，由Ｓｉ基薄膜光...

本发明涉及一种晶体材料抛光技术，尤其是平行度优于１秒的晶体材料偏心抛光方法，属于晶体材料加工技术领域。在晶体研磨、抛光过程中，如果同时对平行度、平面度和光洁度都有比较高的要求，加工时就很困难。常规方法不行。本发明的技术方案：先将晶体的两...

一种铊系高温超导薄膜材料，通式是Ｔｌ↓［２］Ｂａ↓［２］ＣａＣｕ↓［２］Ｏ↓［８］，其特征在于所述的Ｔｌ↓［２］Ｂａ↓［２］ＣａＣｕ↓［２］Ｏ↓［８］薄膜的超导转变温度Ｔｃ＞１００Ｋ，液氮温度下临界电流密度Ｊｃ（７７Ｋ）＞１×１０↑［６...

无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层薄膜的制备方法，其特征在于：在铜铟镓金属预制层后硒化或／和硫化制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的生产线上和其工艺执行程中，直接利用生产线上的真空固态源硒化或硫化装置和铜铟镓金属预制层光硒化或／和硫化制备铜铟镓硒...

铜铟镓的硒或／和硫化物半导体光电薄膜材料的制备方法，是在铜铟镓硒或／和硫光学吸收层薄膜的制备工艺中，先用真空磁控溅射、加热蒸发或化学水浴电沉积法在钠钙玻璃Ｍｏ衬底上分步沉积化学式配比量的Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ金属预制层，再在热处理真空室内进行...

本发明涉及晶体颗粒太阳电池及其制备方法。包括导电衬底，半导体晶体颗粒，表面透明导电层构成，在导电衬底与表面透明导电层之间的半导体晶体颗粒间隙处用绝缘材料将导电衬底与表面透明导电层隔离开；颗粒平铺在一个平面上，用涂有防水胶的柔性材料将颗粒...

本发明涉及一种制备大面积纳米透明导电膜的专用喷嘴，用于光电子薄膜材料镀膜领域。这种专用喷头，雾化气从它的进气口进入进气管，分成三路进入喷嘴，再从喷口喷出，均匀地喷涂在２０×２０ｃｍ↑［２］大面积玻璃衬底上。该喷嘴为单狭缝式，喷雾量与喷口...