一种热释电材料(Ｋ*Ｚ*ＣＬ*晶体)的制备制造技术

本发明专利技术属于红外热释电材料。Ｋ－［２］ＺｎＣｌ－［４］是一种新型热释电材料，具有很好的热释电性能，其热释电系数（Ｐ）＝１．３×１０＋［－８］（库／厘米＋［２］．度），介电常数３．８，居里温度（Ｔｃ）为１２０℃，优比值（Ｐ／ε）约３．４２×１０＋［－９］（库／厘米＋［２］.度），它是一种很有应用前景的热释电材料。（*该技术在2009年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于红外热释电材料。现有的红外热释电材料主要有TGS、TGFb、Li2SO4、LiNbO3、LiTaO3等晶体(见表1)。较好的热释电材料是TGS、和TGFb。TGS在育晶过程中，晶体容易生长，但其优值比(P/ε)只有1.1，故不太理想;TGFb的优值比虽然较高，但其晶体生长困难，因此在实际应用中也受到限制。本专利技术的目的是寻找一种热释电性能好、晶体生长容易的红外热释电单晶体。我们在对K2ZnCl4的电性能进行研究时，首次发现了K2ZnCl4单晶体具有很好的热释电性能(见表1)。表1一些热释电晶体材料的物理性能晶体 居里 介电常数 热释电系数(P) 优值比 晶体点(℃)(ε) ×10-8库/厘米2.度 ×10-9性能库/厘米2.度TGS 49 30 3.5 1.1 易生长TGFb 73 14-16 1.9-2.4 1.4 生长困难Li2SO4无 10 1.0 1.0 机械加工困难LiNbO31190- 30 0.40 0.13 优值比低1210LiTaO3620- 43 0.60 0.14 优值比低650K2ZnCl4124 3.8 1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种红外热释电单晶体（结构式为Ｋ↓［２］ＺｎＣｌ↓［４］）的制备方法，其特征是把ＫＣｌ和ＺｎＣｌ↓［２］按摩尔比２∶１进行化合（反应式为２ＫＣｌ＋ＺｎＣｌ↓［２］＝Ｋ↓［２］ＺｎＣｌ↓［４］），然后把得到的Ｋ↓［２］ＺｎＣｌ↓［４］用去离子水溶解，并置于蒸发槽中，采用蒸发法生长晶体，所用去离子水的重量为育晶液总重量的１０－２０％。

【技术特征摘要】
1.一种红外热释电单晶体(结构式为K2ZnCl4)的制备方法，其特征是把KCl和ZnCl2按摩尔比2∶1进行化合(反应式为2KCl+ZnCl2=K2ZnCl4)，然后把得到的K2ZnCl4用去离子水溶解，并置于蒸发槽中，采用蒸发法生长晶体，所用去离子水的重量为育晶液总重...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑吉民，车云霞，申泮文，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]