本发明涉及硅薄膜太阳电池的窗口层，特别是ｐ型窗口层的结构和制备技术，属于新能源中薄膜太阳电池的技术领域。硅薄膜太阳电池用ｐ型窗口层，由透明衬底、透明导电薄膜、ｐ型窗口层等组成，其特点在于：Ｐ层分为Ｐ↓［１］和Ｐ↓［２］两层，Ｐ↓［１］层...

本发明涉及一种硅薄膜太阳电池集成组件，它的结构和制备技术，特别是具有氧化锌（ＺｎＯ）背反射电极的硅薄膜太阳电池集成组件及其制备技术。而ＺｎＯ背反射电极是硅薄膜太阳电池陷光结构的重要组成部分，可大幅提高电池效率。它涉及硅薄膜太阳电池集成组...

本发明涉及一种在大面积玻璃衬底上制备大面积全集成型多晶硅ＴＦＴ有源基板和多个小面积有源基板的技术。通过双边垂直设置驱动电路的方法，采用电路外延交叉点为有源岛形成的对准基点设计方法，与电路长边等长的连续诱导口和ＩＴＯ掩盖层，来实现ＭＩＬＣ...

本发明涉及金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管器件及其制备方法。采用催化金属镍在选择晶化区域的低温氧化硅覆盖层下覆盖的非晶硅薄膜上形成周边晶化的多晶硅岛，并选择多晶硅岛的适当位置形成金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管的沟道。将各种金属诱导...

本发明涉及浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料及制备和应用。它是碟形晶畴多晶硅薄膜，由取向不同的扇形子晶畴组成，每个子晶畴中的晶体具有相同的结晶取向，晶畴中的晶体为连续晶界晶体，晶畴之间具有整齐的对撞晶界；晶畴的平均直径５０～１００微米...

本发明涉及一种微型的霍尔元件，以通式为Ｆｅ↓［ｘ］Ｇｅ↓［１－ｘ］的纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料作为活性层，其中ｘ为铁金属颗粒所占的体积百分比，０．４５＜ｘ＜０．６０，薄膜厚度为４～８纳米，采用“十”字形设计，活性层的线度在０．３～１微米...

本发明涉及一种溶液法金属诱导晶化大晶粒多晶硅薄膜材料及制备和应用。以非晶硅为初始材料，通过浸沾含有金属离子的溶液诱导产生大晶粒多晶硅。将盐或碱溶于酒精、水或其他溶液，从溶液中取出的非晶硅薄膜表面上会形成一层均匀的液膜。经甩干、自然风干、...

本发明涉及纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料，它是霍尔元件中作为活性层的磁敏材料。通式为Ｆｅ↓［ｘ］Ｇｅ↓［１－ｘ］，其中ｘ为铁的金属颗粒所占的体积百分比，０．４５＜ｘ＜０．６０，薄膜厚度在４～８纳米。本发明纳米晶铁锗颗粒薄膜材料不同于传统半导...

本发明属于一种晶粒大小可控的多晶Ｆｅ↓［３］Ｏ↓［４］薄膜材料及其制备方法，它是在基片上形成多晶Ｆｅ↓［３］Ｏ↓［４］薄膜，Ｆｅ↓［３］Ｏ↓［４］晶粒粒径为１９～４２纳米，薄膜的室温磁电阻数值１１～１２％。本发明是采用直流磁控溅射技术，...

本发明涉及反铁磁耦合的磁性颗粒薄膜材料及其制备和应用，组成为Ｆｅ↓［ｘ］（ＴｉＯ↓［２］）↓［１－ｘ］，其中ｘ为铁的金属颗粒所占的体积百分比，０．４０＜ｘ＜０．７６。本发明是采用直流磁控溅射技术，在氩气和氧气的混合气氛中，控制铁靶的溅射...

本发明涉及磁性颗粒薄膜材料及其制备方法和应用。它是在基片上制成磁性颗粒薄膜，磁性颗粒薄膜的组成是（ＮｉＦｅ）↓［ｘ］Ｇｅ↓［１－ｘ］，其中ｘ为镍铁合金颗粒所占的体积百分比，０．５２～０．５８，薄膜厚度在４～８纳米。本发明的磁性颗粒薄膜采...

本发明涉及一种柔性衬底薄膜太阳电池衬底的清洗方法，由褪火、支撑、蹭试、加热超声清洗、真空烘干五个步骤组成的清洗方法，其中，２００－２３０℃褪火１－３小时，水温至５０－８０℃加热，超声波清洗衬底３０－６０分钟，１２０－１４０℃真空条件下烘...

本发明涉及柔性衬底薄膜太阳电池阻挡层及其制备方法，它是金属镍层或金属钛层，阻挡层的厚度为３０－５０ｎｍ。柔性衬底薄膜太阳电池阻挡层可以防止背电极金属铝在制备电池的过程中扩散进入电池主体，在背电极与电池硅基薄膜之间制备一层阻挡层，不影响入...

本发明涉及多晶Ｆｅ↓［３］Ｏ↓［４］薄膜材料及其制备方法。它是在基片上形成多晶Ｆｅ↓［３］Ｏ↓［４］薄膜，Ｆｅ↓［３］Ｏ↓［４］晶粒粒径大小为１３～１９ｎｍ，厚度２００～５００ｎｍ，该Ｆｅ↓［３］Ｏ↓［４］薄膜中的多晶颗粒随机取向，没有...

一种ＭＯＣＶＤ技术超低温制备高电导率、绒面未掺杂ＺｎＯ薄膜的方法。首先利用电子束蒸发技术或者溅射方法在玻璃衬底上沉积一层５０－１００ｎｍ高电导的ＩＴＯ薄膜作为种子诱导层，其通常具有很好的电导率（～１０↑［－４］Ωｃｍ）；然后利用ＭＯＣＶ...

本发明提供了一种由金属卟啉和富勒烯构筑的有机给受体光伏纳米材料以及它们的制备方法。该材料通过金属卟啉和富勒烯轴向共价有序间隔连接形成，并且通过改变富勒烯上酸酸取代基的数目和取代立体位置而制备出形状各异的一维、二维或三维纳米材料。该纳米材...

本发明公开了一种ＣＩＧＳ太阳电池器件的制备工艺和一种直流辉光等离子体化学气相沉积Ｚｎ（Ｏ，Ｓ）、ＺｎＯ薄膜的反应系统，反应系统包括真空反应罩，上、下进气管，绝缘座，特征是在石英反应腔上方依次安装有冷却室、下气腔和上气腔，上、下出气管的上...

本发明公开了一种ＺｎＯ为电绝缘与杂质阻挡层的薄膜太阳电池及其制备方法，利用该发明制备的金属衬底ＺｎＯ杂质阻挡层和电绝缘层，适宜于柔性光伏电池。本发明利用纯锌靶或者ＺｎＯ陶瓷靶等靶材，通过溅射法在金属衬底上沉积ＺｎＯ薄膜，通过调整Ａｒ和Ｏ...

一种新型光激发场寻址半导体传感器，依次包括ｐ型Ｓｉ衬底、衬底上的ｎ↑［－］－Ｓｉ外延层、二氧化硅栅氧层、Ａｌ栅极，在与二氧化硅栅氧层接触面附近的ｎ↑［－］－Ｓｉ外延层上设有两处磷掺杂，该磷掺杂通过欧姆接触与穿过二氧化硅栅氧层引线孔的电极...

本发明涉及一种用碎硅片或集成电路边角料制作的太阳电池及其制备方法。首先将硅片扩散ＰＮ结和Ｐ－Ｐ↑［＋］背场，制成基本的电池单元。再将许多电池单元铺成一个平面，每一个电池单元的ＰＮ结方向排列一致，用绝缘树脂将这些电池单元粘接成大的平面，够...