【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳电池，特别是。
技术介绍
在本说明书中，将太阳电池接收光的一面称为上表面或上面，与之相对的面称为下表面或称衬底。由上表面引出的电极称为上电极，由衬底引出的电极称成为下电极或背电极。传统的晶体硅太阳电池包括单晶硅太阳电池与多晶硅太阳电池，这种太阳电池采用掺有硼的单晶或多晶硅片制成，其电阻率在0.2欧姆厘米到10欧姆厘米之间，在电池的上表面扩散磷形成PN结。为了降低电池表面的反射，在上表面蒸发一层或多层减反射膜，在电池的上表面有栅状的引出电极，在下表面有背电极引出。这种太阳电池主要是用以下工艺步骤制备的。1)将高纯度的多晶硅经过熔铸结晶制成多晶硅锭，或者拉制成单晶体；2)将多晶硅锭或单晶硅棒切成0.3至0.4毫米厚的硅片；3)扩散形成PN结；4)制备表面减反射膜，上电极和下电极。在以上工艺步骤中，熔铸过程要消耗大量的电力，在工业生产中，熔铸240公斤的多晶硅锭需要加热至1400℃以上的高温使硅融化，然后严格控制降温过程，以便得到符合要求的结晶状态。整个过程历时60多个小时。能耗高，生产效率低，是生产多晶硅太阳电池的瓶颈之一。多晶硅太阳电池的单片厚...
【技术保护点】
一种晶体颗粒太阳电池，其特征在于：它包括导电衬底，半导体晶体颗粒，表面透明导电层构成，在导电衬底与表面透明导电层之间的半导体晶体颗粒间隙处用绝缘材料将导电衬底与表面透明导电层隔离开；所述的半导体晶体颗粒为Ｐ型或Ｎ型半导体，并用扩散的 方法得到内部为Ｐ型表面为Ｎ型；或者内部为Ｎ型，表面为Ｐ型的包裹结构，并在颗粒的最外面形成一层绝缘的氧化和氮化层；所述的绝缘材料是有机绝缘树脂或无机材料；所述的导电衬底由涂有导电层的玻璃、铜箔、铝箔或其它导电材料构成； 所述的表面透明导电层是氧化锌、氧化锡、氧化铟锡或其它透明导电材料构成。
【技术特征摘要】
1.一种晶体颗粒太阳电池，其特征在于它包括导电衬底，半导体晶体颗粒，表面透明导电层构成，在导电衬底与表面透明导电层之间的半导体晶体颗粒间隙处用绝缘材料将导电衬底与表面透明导电层隔离开；所述的半导体晶体颗粒为P型或N型半导体，并用扩散的方法得到内部为P型表面为N型；或者内部为N型，表面为P型的包裹结构，并在颗粒的最外面形成一层绝缘的氧化和氮化层；所述的绝缘材料是有机绝缘树脂或无机材料；所述的导电衬底由涂有导电层的玻璃、铜箔、铝箔或其它导电材料构成；所述的表面透明导电层是氧化锌、氧化锡、氧化铟锡或其它透明导电材料构成。2.按照权利要求1所述的晶体颗粒太阳电池，其特征在于所述的半导体晶体颗粒是硅材料、锗材料或其它半导体材料构成。3.按照权利要求2所述的晶体颗粒太阳电池，其特征在于所述的硅材料是由掺硼的P型硅材料构成，在颗粒的表面扩散磷元素，形成内部为P型，外部为N型的包裹结构，或者由掺磷的N型硅材料构成，在颗粒的表面扩散硼元素，形成内部为N型，外部为P型的包裹结构，并在颗粒内形成PN结。4.按照权利要求1所述的晶体颗粒太阳电池，其特征在于所述的半导体晶体颗粒是由单晶硅或多晶硅材料经粉碎筛选得到，颗粒尺寸在1毫米至0.05毫米之间。5.权利要求1所述的晶体颗粒太阳电池的制备方法，其特征在于它包括下述步骤将扩散好的半导体晶体颗粒密实均匀平铺在一个平面上，用涂有防水胶的柔性材料将平铺的晶体颗粒粘在柔性材料上，使半导体晶体颗粒有一半被防水胶覆盖，另一半裸露；用腐蚀液将裸露的半导体晶体颗粒表面层腐蚀掉...
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