本发明涉及可见光无线通信或是光子集成芯片领域，具体涉及用于

本发明涉及版图修正技术领域，具体涉及一种基于规则的版图修正方法，包括基于修正规则对图形边、图形角和图形线端进行修正，得到最终修正后的图形，将最终修正后的图形写入版图完成版图修正，用户设置版图输入输出文件、层信息、修正规则、是否执行等信息...

本发明涉及数据处理技术领域，具体涉及一种版图设计规则检查方法，包括设计规则检查的关键函数，得到设计规则检查脚本；执行所述设计规则检查脚本；通过解释器解析执行的所述设计规则检查脚本的语句，得到检查函数；根据所述检查函数调用版图图形处理库进...

本发明涉及数据处理技术领域，具体涉及一种显示光刻仿真结果的方法，包括开发处理光刻仿真的核心模块；使用所述核心模块对信息进行仿真，得到仿真结果；提取界面参数绘制界面；根据所述界面的筛选条件对所述仿真结果进行筛选，得到画图数据；将所述画图数...

本发明涉及电子数据处理技术领域，具体涉及一种电子扫描显微镜图像的图形尺寸自动测量方法，对电子扫描显微镜图像进行预处理，得到待测图像；利用OCR文字识别所述待测图像，得到识别数据；基于所述识别数据计算所述待测图像的像素尺寸；对所述待测图像...

本发明涉及光刻工艺开发技术领域，具体涉及一种绘制光刻工艺窗口的方法，获取特定特征尺寸图形在不同离焦量和不同曝光剂量下的曝光结果及约束条件；基于所述曝光结果和所述约束条件绘制两条泊松曲线；判断两条所述泊松曲线和所述泊松曲线的首尾点构成闭合...

本发明涉及半导体光刻技术领域，具体涉及一种高精度套刻补偿方法，包括，使用泽尼克多项式对晶圆进行全局套刻误差计算，得到逐场补偿模型参数；基于逐场补偿模型参数使用补偿公式进行计算，得到实际晶圆套刻补偿参数；对实际晶圆套刻补偿参数和实际晶圆逐...

本发明涉及光学检测技术领域，具体涉及一种套刻误差补偿精度的测量方法，包括在制作的第一掩模上放置参考层套刻标识，第二掩模上放置目标层套刻标识；使用带有套刻标识的第一掩模对晶圆进行光刻后刻蚀，得到套刻图形，将刻有套刻图形的晶圆转移至衬底表面...

本发明涉及微电子加工技术领域，具体涉及一种刻蚀仿真模型中反射通量求解方法，包括构造衬底轮廓线并提取衬底轮廓；基于衬底轮廓求解衬底表面的离子直接刻蚀速率和离子刻蚀反射通量；将离子直接刻蚀速率和离子刻蚀反射通量相加，得到位点刻蚀速率；配合求...

本发明涉及光学系统技术领域，具体涉及一种筛选光学系统像差敏感度的方法，通过基于光刻曝光系统针对的图层特征设计测试图形和设定光刻曝光的工艺条件并建立包含光刻曝光质量特征的评价函数，并对光刻曝光质量变化进行评估，得到评估结果；基于评估结果改...

本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种判断通孔开路缺陷的方法；包括：定义金属轮廓台阶长度，并微分化金属轮廓得到金属轮廓面积；对通孔轮廓面积进行计算，并将通孔轮廓替换成和通孔轮廓面积相等的正方形；计算所述正方形与所述金属轮廓的重叠面积；...

本发明公开了一种应对应力影响套刻误差的方法和系统，通过光刻机在实施曝光之前获得晶圆表面的形貌数据，并进行套刻误差量测；对晶圆表面的形貌数据和套刻误差量测数据相关性进行判断；对相关性阈值大小进行相关的补值计算；以相关性数值对应的百分比例反...

本发明公开了一种对准系统的监控和数据的筛选方法，通过对单片晶圆进行标记，并进行量测，得到第一量测数据；依据得到的第一量测数据进行平均值和标准差值的计算；利用第一量测数据利用得到的平均值和标准差值进行范围界定，并将超出平均值+多倍标准差值...

本发明公开了一种用于掩模制造和激光直写光刻的双重直写方法，根据内拐点将原始版图拆分成多个矩形后，按照第一扩展路径，将相邻的相同走向的矩形进行相反方向的扩展，将相邻的不同走向的矩形进行不同方向的扩展，完成第一次直写，然后按照第一次直写扩展...

本发明公开了一种基于模型仿真的激光直写光学邻近效应校正方法，首先将原始gds文件数字化处理，并利用建立的光学模型进行仿真，然后利用邻近区域能量求和法得到对应的能量分布图；接着利用阈值法将所述能量分布图转化为二值图后，根据所述二值图上的角...

本发明公开了一种提高后段金属线通孔的工艺窗口的方法，利用自对准双重成像结构或者大马士革结构在衬底上制造金属线沟槽，并进行沉积光刻后，利用光刻工艺曝光自对准通孔，并蚀刻所述第一硬掩膜；以设定倾角对所述第一硬掩膜的侧壁在关键方向注入硼离子，...

本发明公开了一种先进节点后段金属通孔的制造方法，通过自对准双重成像或者大马士革工艺制造第一金属层后，依次在所述衬底上沉积盖层、蚀刻停止层和低k电介质层，然后再次通过所述自对准双重成像或者所述大马士革工艺制造第二金属沟道，将多个通孔合并成...

本发明公开了一种先进光刻胶工艺质量评估方法及系统，所述先进光刻胶工艺质量评估系统包括图像获取模块、轮廓提取模块、粗糙度计算模块、拟合模块、特征分析模块和质量评估模块，所述图像获取模块、所述轮廓提取模块、所述粗糙度计算模块、所述拟合模块、...

本发明公开了一种光刻工艺质量评估方法及反馈控制系统，包括电子束显微图像模块、边界提取模块、功率谱密度模块、拟合模块、特征值分布模块和强度模块，利用电子束显微成像对光刻后的晶圆进行测量，得到电子束显微图像；然后利用边界提取算法提取被测结构...

本发明的一种基于迁移学习确定EUV掩膜版缺陷尺寸的方法，包括以下步骤，S1：针对两种缺陷，在已知的、不同的缺陷尺寸的情况下，通过光刻机投影得到空间像分布，分别收集大量bump样本和少量pit样本；S2：整理两种样本数据，分别分出名为训练...