本发明的一种光刻套刻标识设计方法，涉及集成电路工艺应用技术领域，包括步骤S01、设计曝光区域内部的套刻标识及其坐标，每个曝光区域内的套刻标识不少于10个，套刻标识的坐标设计均匀涵盖整个曝光区域；S02、设计曝光区域内部的测量坐标方式，通...

本发明公开了倒梯形或T型结构的工艺质量评估方法及系统，设计与目标图层对标的前层衍射套刻结构和目标图层的衍射套刻结构，目标图层的衍射套刻结构沿平行前层衍射套刻结构方向偏移相同的套刻偏移量；光刻和刻蚀获取目标需要的倒梯形结构或T型结构；进行...

本发明的一种基于机器学习确定光刻系统焦面位置的方法，包括以下步骤：S1：选取焦面位置测量标记，于标定的光刻系统中，在已知的不同焦面位置曝光，记录位置，利用光刻空间像传感器采集并记录光刻空间像的二维分布；S2：将有光刻空间像有效结果分为训...