南方科技大学专利技术

南方科技大学共有6374项专利

  • 本发明提供了一种电流密度检测复合板,包括:检测板,检测板包括板体、检测单元、第一绝缘件以及电路板或第一导线;检测单元包括两个相互间隔设置的导电片,以及两端一一对应连接于两导电片的标准电阻;流场板,流场板一侧与板体一侧贴合连接并与其中一导...
  • 本发明公开了一种利用赤泥合成方沸石的工艺方法,所述晶体类型为方沸石,形貌为球状。所述方沸石的合成方法为按照一定物料配比将含有铝源和部分硅源的赤泥、无机碱、外加硅源和水混合均匀后得到混合凝胶,然后进行陈化、晶化处理,最后经洗涤和干燥后得到...
  • 本发明提供了一种背包,包括用于装载重物的背包本体、用于支撑于人体背部的背包支架、与背包支架相连的背带、支撑并固定背包本体的移动支架、引导移动支架于背包支架上上下移动的直线滑动组件、连接背包支架与移动支架并起到阻尼缓冲作用的弹性元件以及用...
  • 本发明涉及一种基于金属微纳米网络的柔性防伪层、其制备方法和用途。所述金属微纳米网络中的金属元素包括过渡金属元素。本发明所述的防伪层是一种柔性透明可拉伸的金属微纳网络,可见光下不易被肉眼看见,然而,在红外光区的反射率较大,易于被红外相机识...
  • 本申请涉及一种生物检测预警方法、系统、装置、计算机设备和存储介质。方法包括:获取多张生物图像;多张生物图像为待测水体样本中不同层次的生物图像;对各生物图像进行分割,得到各生物图像的多个子图像;将各子图像输入生物识别模型,得到对应的输出子...
  • 本发明实施例公开了一种基于指令集的数字信号控制系统、FPGA模块及方法。该系统包括数字输入输出电路DIO控制模块和先入先出FIFO模块;DIO控制模块包括至少两个DIO通道接口,DIO通道接口分别与对应的DIO通道相连,DIO控制模块的...
  • 本发明公开了一种波导型液晶的激光扫描控制方法,包括以下步骤:(1)在液晶层上方设置电极驱动层,在所述电极驱动层上设置若干独立控制的电极,所述电极一端设置激光角度控制部,所述激光角度控制部包括入射边和出射边,使所述入射边和出射边均为直边且...
  • 本发明提供了一种介电层、离子电容式柔性触觉传感器及其制备方法和应用,所述介电层的表面设置有至少两个不同微米尺寸的凸起结构,所述介电层的表面还设置有凹槽结构,所述凹槽结构用于承接压力作用下压入的凸起结构;介电层通过分级自填充微结构的设置,...
  • 本发明提供一种电致变色化合物及其制备方法和应用,所述电致变色化合物具有如式I或式II所示结构,为含有端炔基的紫精类化合物,通过取代基的特殊设计显著提升了其电致变色性能。所述电致变色化合物应用于电致变色器件的电致变色层材料,能够有效改善电...
  • 本发明属于金属3D打印领域,公开了一种金属材料的3D打印(增材制造)方法。该方法以金属粉末、有机溶剂、粘结剂、分散剂、悬浮剂和除气剂制备出的稳定金属粉浆料或悬浮液、分散液、配合物、胶体这类固液混合体作为成形材料,采用一种新型的选择性激光...
  • 本发明公开了一种光调控嗜中性粒细胞在治疗癌症的药物中的应用,其中,所述光调控嗜中性粒细胞在光照条件下表达用于招募并扩增免疫细胞的细胞因子。本发明利用嗜中性粒细胞自身可以被肿瘤招募的能力,通过在嗜中性粒细胞中表达光调控细胞因子系统,在体外...
  • 本申请公开了一种提升N型Bi‑Sb‑Te‑Se基热电材料性能的制造方法。提升N型Bi‑Sb‑Te‑Se基热电材料性能的制造方法包括:按化学式Bi
  • 一种羟基内酰胺的制备方法,
  • 本发明涉及电化学催化技术领域,具体涉及一种钙掺杂的钌酸钇及其制备方法和在电化学装置中的应用。所述钙掺杂的钌酸钇具有如下的分子式:Y
  • 本发明提供了一种金属保护膜及其制备方法。所述金属保护膜包括层叠的至少一层编织纤维,含浸所述编织纤维的基体树脂,以及分散在所述基体树脂中的石墨。所述金属保护膜是通过在金属基体上依次交替铺设编织纤维/树脂复合膜和涂布石墨分散液,然后抽真空、...
  • 本发明提供了一种离子交换膜及其制备方法和应用,所述离子交换膜包括磷酸锆和纳米纤维素纤维。在本发明中,通过磷酸锆和纳米纤维素纤维共同使用,纳米纤维素纤维相互搭接构成三维网格状结构,磷酸锆填充在网格状结构中,构成了离子交换膜。本发明提供的离...
  • 本发明属于催化剂技术领域,尤其涉及一种单原子催化剂的制备方法,该制备方法包括:获取第一载体和贵金属前驱体溶液,第一载体包括衬底和负载于衬底表面的金属氧化物和/或金属氧化物的热分解前体,金属氧化物的热分解前体包括金属碱式碳酸盐和/或金属氢...
  • 本发明实施例公开了一种半导体外延结构、制备方法结构及半导体器件,该半导体外延结构的制备方法包括:提供衬底;在衬底的上方形成沟道层;在沟道层的上方形成第一势垒层,第一势垒层包括栅极区和位于栅极区两侧的生长区;在第一势垒层包括的栅极区的上方...
  • 本发明涉及一种纳米图形及其制备方法、纳米结构的制备方法。该纳米图形的制备方法,包括以下步骤:在衬底上旋涂电子束抗蚀剂,得到电子束抗蚀剂层;其中,电子束抗蚀剂层的厚度为50nm~110nm;及电子束抗蚀剂层进行电子束曝光,得到纳米图形,其...
  • 本发明涉及一种纳米结构的制作方法。该方法包括如下步骤:绘制版图,版图设有曝光区域和非曝光区域,在非曝光区域中设置辅助曝光区;使用正性电子抗蚀剂在衬底上形成抗蚀层;根据版图对抗蚀层进行曝光处理,然后进行显影处理,得到具有图案的抗蚀层,其中...