提供了一种石墨烯基板，该石墨烯基板包括：石墨烯层结构，其直接在金属氧化物层上，所述金属氧化物层直接在支承层上；其中，该金属氧化物层具有小于5nm的厚度并且选自由Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3&l...

提供了一种电光调制器，包括：基板，其中嵌入有波导材料的第一通道，基板和波导材料一起提供基本上平坦的上表面；第一绝缘层，其位于上表面上并跨上表面；以及石墨烯层，其布置在第一绝缘层上并且在波导材料的第一通道的至少第一部分上方；第二绝缘层，其...

提供了一种光电探测器，该光电探测器包括：基板，其中嵌入有波导材料的第一通道，基板和波导材料一起提供基本平坦的上表面；在上表面上并跨上表面的第一绝缘层；在第一绝缘层上并在波导材料的第一通道上方布置的石墨烯层；以及至少两个欧姆接触件，其各自...

用于

一种生产电子器件前体(200)、特别地用于形成霍尔传感器或晶体管的方法，包括：(i)在设置在基板(205)上的石墨烯层(210)上对抗等离子体电介质(215)进行图案化；对石墨烯层的至少一个未覆盖区域进行等离子体蚀刻，以形成具有暴露的边...

本发明公开了一种用于在低温(低于120K)下操作的石墨烯霍尔传感器(10)，该石墨烯霍尔传感器包括：设置在形成于基板(18)上的石墨烯片上的电介质层(12)，优选的是氧化铝或二氧化硅；位于(十字)图案化电介质层/石墨烯片结构的连续外边缘...

提供了一种对负载下的单元进行场映射的方法。该方法包括以下步骤：提供单元；提供霍尔效应传感器，该霍尔效应传感器包括用于测量磁场的石墨烯导体；将霍尔效应传感器定位在邻近单元的表面的第一位置处；向单元施加负载；以及测量霍尔效应传感器的输出。及...

本发明提供了用于形成二极管的方法，所述方法包括在第一基底上提供第一石墨烯层结构；在第二基底上提供第二石墨烯层结构；用氧化剂对第一石墨烯层结构进行处理以在其上形成氧化石墨烯表面；以及将第二石墨烯层结构相对第一石墨烯层结构的氧化石墨烯表面对...

本发明提供了制造石墨烯晶体管101的方法，所述方法包括：(a)提供具有基本平坦的表面的基底，其中所述表面包括绝缘区域110和相邻半导体区域105；(b)在所述表面上形成石墨烯层结构115，其中石墨烯层结构设置在绝缘区域和相邻半导体区域二...

本发明提供了用于生产聚合物包覆的石墨烯层结构的方法，该方法包括：提供在反应室中的经加热的衬托器上的基底，该室具有复数个经冷却的入口，该复数个经冷却的入口被布置成使得在使用中入口跨基底分布并且与基底具有恒定的间隔；使包括前体化合物的流通过...

本发明提供了一种发电机，该发电机包括一个或更多个石墨烯片，每个石墨烯片包括第一电接触部和第二电接触部并且具有在第一电接触部与第二电接触部之间延伸的表面，该表面被布置成接触含离子流体的流，其中，每个表面设置有厚度小于100nm的聚合物涂层...

提供了一种石墨烯片的阵列，被配置成从含离子流体的流中发电，其中，阵列包括复数个石墨烯片，每个石墨烯片包括第一电接触部和第二电接触部，具有用于接触含离子流体的流的在第一电接触部与第二电接触部之间延伸的表面，以及其中，每个石墨烯片与至少另外...

本发明提供了用于生产光敏电子装置或发光电子装置的方法，所述方法包括：在MOCVD反应室中通过MOCVD形成光敏装置或发光装置；在MOCVD反应室中在光敏装置或发光装置上形成石墨烯层结构；其中所述石墨烯层结构包括2个至10个石墨烯层，优选...

本发明提供了化学掺杂的石墨烯晶体管，其包括复数个石墨烯层并且具有通过第三掺杂区而相对第二掺杂区分开的第一掺杂区，其中第一掺杂区和第二掺杂区相对于第三掺杂区具有相反的掺杂类型，以及其中第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区中的每一者各自包括独...

本发明提供了用于生产具有1至100个石墨烯层的石墨烯层结构的方法，所述方法包括：将热阻等于或大于蓝宝石的热阻的基底设置在反应室中的加热的衬托器上，所述室具有复数个冷却的入口，所述复数个冷却的入口布置成使得在使用时入口跨基底分布并且相对基...

本发明提供了用于生产石墨烯层结构的方法，所述方法包括：将基底设置在反应室中的经加热的衬托器上，所述室具有复数个经冷却的入口，所述复数个经冷却的入口被布置成使得在使用时所述入口跨越所述基底分布并且与所述基底具有恒定的间距；使所述经加热的衬...

一种制备石墨烯或其他二维材料(如石墨烯)的方法，包括将保持在反应室内的衬底加热到其温度处于前体分解温度范围内并且允许由从分解的前体释放出的物质形成二维晶体材料；建立朝前体入口并远离衬底表面延伸的陡峭的温度梯度(优选大于1000℃/米)并...