石墨烯/氧化石墨烯二极管及其形成方法技术

本发明专利技术提供了用于形成二极管的方法，所述方法包括在第一基底上提供第一石墨烯层结构；在第二基底上提供第二石墨烯层结构；用氧化剂对第一石墨烯层结构进行处理以在其上形成氧化石墨烯表面；以及将第二石墨烯层结构相对第一石墨烯层结构的氧化石墨烯表面对准。一石墨烯层结构的氧化石墨烯表面对准。一石墨烯层结构的氧化石墨烯表面对准。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】石墨烯/氧化石墨烯二极管及其形成方法
[0001]本专利技术涉及石墨烯二极管以及用于形成该石墨烯二极管的方法。特别地，包括石墨烯和氧化石墨烯层的石墨烯二极管。石墨烯二极管由彼此接触从而形成具有垂直配置的二极管的石墨烯和氧化石墨烯层形成。
[0002]由石墨烯的理论上的优异特性所驱使，该材料是具有大量拟议应用的公知材料。这样的特性和应用的良好实例详述于A.K.Geim和K.S.Novoselev的“The Rise of Graphene”,Nature Materials,第6卷,183
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191,2007年3月中以及Nature Nanotechnology,第9卷,第10期,2014年10月的焦点问题中。
[0003]WO 2017/029470(其内容通过引用并入本文)公开了用于生产二维材料的方法。具体地，WO 2017/029470公开了生产二维材料(例如石墨烯)的方法，所述方法包括：将保持在反应室内的基底加热至在前体的分解范围内并且允许由分解的前体所释放的物质形成石墨烯的温度；建立远离基底表面朝向前体的入口延伸的大的温度梯度(优选&a本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于形成二极管的方法，所述方法包括：在第一基底上提供第一石墨烯层结构；在第二基底上提供第二石墨烯层结构；用氧化剂对所述第一石墨烯层结构进行处理以在所述第一石墨烯层结构上形成氧化石墨烯表面；以及将所述第二石墨烯层结构相对所述第一石墨烯层结构的所述氧化石墨烯表面对准。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一石墨烯层结构和所述第二石墨烯层结构以机械方式和/或用中间粘合剂保持在一起。3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述第一石墨烯层结构和所述第一基底中的至少一者，以及所述第二石墨烯层结构和所述第二基底中的至少一者设置有用于将所述二极管连接至电路的一个或更多个电接触部...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗伯特，
申请(专利权)人：帕拉格拉夫有限公司，
类型：发明
国别省市：