快恢复二极管的制造方法及快恢复二极管技术

本发明专利技术提供了一种快恢复二极管的制造方法及快恢复二极管，其形成了自下至上依次层叠的第二金属电极、第一导电类型膜层、第一导电类型的半导体衬底、第一导电类型的半导体外延层、第二导电类型膜层以及第一金属电极的结构，其中在第一导电类型的半导体衬底的正面上进行了一次外延，且对外延形成的半导体外延层的正面表层进行第二导电类型的离子注入，无需多次氢离子注入，因此可以大大降低了制造成本，同时不容易造成负温度系数，适合大电流并联应用。而且半导体衬底在背面减薄后能用作器件缓冲层，由此改善器件的软恢复性能和反向恢复失效性能。复失效性能。复失效性能。

【技术实现步骤摘要】
快恢复二极管的制造方法及快恢复二极管


[0001]本专利技术涉及半导体器件的制造
，特别涉及一种快恢复二极管的制造方法及快恢复二极管。

技术介绍

[0002]快恢复二极管(Fast Recovery Diode，FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。其内部结构与普通二极管不同，它具有N型材料层和P型材料层之间增加了一个基区I，构成P
‑
I
‑
N结构。
[0003]目前半导体行业内，FRD的制造方法主要有以下两种：（1）在 N+衬底上进行两次外延，先外延N
‑
缓冲层，后外延N
‑
高阻层，并在N
‑
高阻层中进行P型掺杂，以制造基区I和P型掺杂材料层，进而形成FRD。这种方法，成本较高，且容易做成负温度系数，不适合大电流并联应用。
[0004]（2）在N型区熔硅片（Float Zone Wafer）中通过P型离本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种快恢复二极管的制造方法，其特征在于，包括：提供第一导电类型的半导体衬底，并在所述半导体衬底的正面上外延生长第一导电类型的半导体外延层，所述半导体外延层的电阻率高于所述半导体衬底的电阻率；采用第二导电类型的离子对所述半导体外延层的正面表层进行离子注入，以在所述半导体外延层的正面形成为第二导电类型膜层；在所述第二导电类型膜层的正面上沉积第一金属层，以形成与第二导电类型膜层电性连接的第一金属电极；对所述半导体衬底进行背面减薄，剩余的所述半导体衬底作为器件缓冲层；采用第一导电类型的离子对所述器件缓冲层的背面表层进行离子注入，以在所述器件缓冲层的背面形成为第一导电类型膜层；在所述第一导电类型膜层的背面上沉积第二金属层，以形成与第一导电类型膜层电性连接的第二金属电极。2.如权利要求1所述的快恢复二极管的制造方法，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。3.如权利要求1所述的快恢复二极管的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底的电阻率为3Ω*cm~20Ω*cm，所述半导体外延层的电阻率为20Ω*cm~200Ω*cm。4.如权利要求1所述的快恢复二极管的制造方法，其特征在于，对所述半导体衬底进行背面减薄，减薄后剩余的所述半导体衬底的厚度为5μm~30μm。5.如权利要求1
‑
4中任一项所述的快恢复二极管的制造方法，其特征在于，在形成所述半导体外延层之后且在采用第二导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐旭东，陆珏，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：