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本发明提供了一种快恢复二极管的制造方法及快恢复二极管，其形成了自下至上依次层叠的第二金属电极、第一导电类型膜层、第一导电类型的半导体衬底、第一导电类型的半导体外延层、第二导电类型膜层以及第一金属电极的结构，其中在第一导电类型的半导体衬底的正...
该专利属于绍兴中芯集成电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过绍兴中芯集成电路制造股份有限公司授权不得商用。

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