一种高压快恢复二极管结构及制造方法技术

本发明专利技术公开了一种高压快恢复二极管结构及制造方法，克服了现有技术中工艺精度及退火时间控制难度大，参数一致性差等缺点。本发明专利技术所述制造方法，在PN结底部注入并退火形成间隔的P+区域，屏蔽了加反向电压时主结的电场，在P+的间隔区域上方交替刻蚀阳极的接触孔，进一步减小了正向导通过程中少子的注入效率。本发明专利技术由于不需要电子辐照和铂扩散等调整少子寿命的工艺，器件的缺陷密度相对较低，高温漏电远小于常规高压快恢复二极管，能有效降低二极管的反向恢复时间及反向恢复电荷。管的反向恢复时间及反向恢复电荷。管的反向恢复时间及反向恢复电荷。

【技术实现步骤摘要】
一种高压快恢复二极管结构及制造方法


[0001]本专利技术属于半导体分立器件
，涉及一种高压快恢复二极管结构及制造方法。

技术介绍

[0002]二极管的反向恢复特性是二极管的重要特性，尤其是当二极管工作在开关频率较高的应用环境下，对系统效率的影响将变得尤为重要。目前优化反向恢复特性的主要方式是降低少子寿命，有采用电子辐照或铂扩散工艺等，这类工艺虽然能有效降低反向恢复时间，但存在着工艺精度及退火时间控制难度大，参数一致性差等缺点；同时采用电子辐照或铂扩散来调节少子寿命方式制成的器件都存在着高温漏电流大，可靠性考核难通过的问题。

技术实现思路

[0003]基于现有技术中存在的上述问题，本专利技术具体提供了一种高压快恢复二极管结构及制造方法。
[0004]一种高压快恢复二极管结构的制造方法，具体包括以下步骤：步骤1. 在N+衬底上生长一层外延层N
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；步骤2. 通过光刻及离子注入P型杂质硼，形成分离的P+区域。
[0005]步骤3. 在步骤2的基础上继续生长一层薄外延层Nr/>‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压快恢复二极管结构的制造方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤1. 在N+衬底上生长一层外延层N
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（1）；步骤2. 通过光刻及离子注入P型杂质硼（2），形成分离的P+区域；步骤3. 在步骤2的基础上继续生长一层薄外延层N
‑
，与步骤一外延层参数保持一致；步骤4. 在表面再次注入P型杂质，并退火形成器件的阳极区域（3），同时步骤2注入的P型杂质硼（2）退火后形成了分立的P+区域；步骤5.表面进行第三次P型杂质注入以形成欧姆接触，通过光刻刻蚀出器件的接触孔，保证刻蚀的接触孔（4）与P+区域形成交替分布；步骤6. 淀积金属形成器件的正面金属化（5）。2...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖晓军，胡丹丹，
申请(专利权)人：龙腾半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：