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本发明公开了一种高压快恢复二极管结构及制造方法，克服了现有技术中工艺精度及退火时间控制难度大，参数一致性差等缺点。本发明所述制造方法，在PN结底部注入并退火形成间隔的P+区域，屏蔽了加反向电压时主结的电场，在P+的间隔区域上方交替刻蚀阳极的...
该专利属于龙腾半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过龙腾半导体股份有限公司授权不得商用。

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