本发明提供一种能够形成高分辨率、遮光性优异、反射率高的固化膜的负型感光性组合物。一种负型感光性组合物，包含具有特定结构的碱溶性树脂、反射率调节剂、聚合引发剂和溶剂。聚合引发剂和溶剂。

本发明涉及一种在基材上方制造偏析层的方法。本发明还涉及制造光致抗蚀剂层、光致抗蚀图案、经加工的基材和器件的方法。经加工的基材和器件的方法。

本发明涉及包含式(H1)化合物和式(H2)化合物的组合物。本发明还涉及包含含有式(H1)化合物和式(H2)化合物的组合物以及溶剂的制剂。最后，本发明涉及包含这种组合物的电子器件。本发明涉及包含这种组合物的电子器件。

本发明涉及含有包含电子传输主体材料和空穴传输主体材料的混合物的有机电致发光器件，以及含有所述主体材料的混合物的制剂和含有所述主体材料的混合物。所述电子传输主体材料对应于来自含有被二苯并呋喃或二苯并噻吩取代的吡啶、嘧啶或三嗪单元的化合物类...

本发明涉及一种具有二氮杂二苯并呋喃或二氮杂二苯并噻吩结构的化合物。具体地，本发明涉及特别是用于电子器件中的被咔唑、芴、菲、苯并呋喃和/或苯并噻吩基团取代的二氮杂二苯并呋喃或二氮杂二苯并噻吩衍生物。本发明还涉及制备根据本发明的化合物的方法...

本发明涉及一种白光发射组合物及包含所述组合物的制剂和器件。具体地，本发明涉及组合物、包含所述组合物的器件和所述器件的应用，所述组合物包含共轭聚合物和小分子。所述组合物包含共轭聚合物和小分子。所述组合物包含共轭聚合物和小分子。

本发明涉及式(1)的化合物和电子器件，所述式(1)的化合物适用于电子器件，特别是有机电致发光器件。电致发光器件。电致发光器件。

本发明涉及包含含有电子传输主体材料和空穴传输主体材料的混合物的有机电致发光器件，并且涉及包含所述主体材料的混合物的制剂和包含所述主体材料的混合物。所述电子传输主体材料对应于来自含有被取代的吡啶、嘧啶或三嗪单元和被取代的另外的二苯并呋喃或...

本发明涉及化合物在电子器件中的用途。本发明还涉及新型化合物，特别是用于电子器件中的新型化合物，以及包含这些化合物的电子器件。件。

本申请涉及式(IV)至(VII)的杂环化合物、所述化合物在电子器件中的用途以及制造所述化合物的方法。化合物的方法。化合物的方法。

本发明涉及一种具有二氮杂二苯并呋喃或二氮杂二苯并噻吩结构的化合物。具体地，本发明涉及特别是用于电子器件中的被咔唑、芴、菲、苯并呋喃和/或苯并噻吩基团取代的二氮杂二苯并呋喃或二氮杂二苯并噻吩衍生物。本发明还涉及制备根据本发明的化合物的方法...

本发明涉及一种具有二氮杂二苯并呋喃或二氮杂二苯并噻吩结构的化合物。具体地，本发明涉及特别是用于电子器件中的被咔唑、芴、菲、苯并呋喃和/或苯并噻吩基团取代的二氮杂二苯并呋喃或二氮杂二苯并噻吩衍生物。本发明还涉及制备根据本发明的化合物的方法...

本发明涉及杂环化合物在电子器件中的用途。本发明还涉及新型杂环化合物，特别是用于电子器件中的新型杂环化合物，以及包含这些化合物的电子器件。合物的电子器件。

本发明涉及被缺电子杂芳基基团取代的二苯并呋喃衍生物，以及包含所述化合物作为三重态基质材料的电子器件，特别是有机电致发光器件。件。

本发明涉及水合结晶多核金属配合物。本发明的这些水合结晶金属配合物可吸收分析物客体化合物以形成晶体结构分析样品。可以使用由水合结晶多核金属配合物获得的晶体结构分析样品通过X射线晶体学来确定分析物客体化合物的分子结构。的分子结构。的分子结构。

本发明涉及适合用于电子器件中的苯并咪唑衍生物，以及包含这些化合物的电子器件，特别是有机电致发光器件。别是有机电致发光器件。

提供了形成含金属膜的方法。这些方法包括例如在第一基材表面上通过第一沉积工艺形成阻挡层及例如在第二基材表面上通过第二沉积工艺形成该含金属膜。工艺形成该含金属膜。工艺形成该含金属膜。

本申请涉及一种胺化合物，所述化合物适合用于电子器件、特别是有机电致发光器件(OLED)中。此外，它涉及包含该化合物的电子器件，特别是OLED。此外，它涉及上述胺化合物的合成方法。它涉及上述胺化合物的合成方法。

提供了通过原子层沉积和/或化学气相沉积形成含钌膜的方法。该方法包括在基材表面上形成第一膜的第一步骤和在该第一膜的至少一部分上形成该含钌膜的第二步骤。该第一步骤包括将钛前体和第一含氮共反应物递送到该基材并将第一钌前体和第二含氮共反应物递送...

本发明涉及适用于电子器件中的化合物，并且涉及含有所述化合物的电子器件、特别是有机电致发光器件。电致发光器件。