闽都创新实验室专利技术

闽都创新实验室共有467项专利

  • 本发明涉及一种宽连续谱激光器,包括谐振腔、泵浦激光和激光增益介质,还包括:在激光增益介质与激光输出腔镜之间设置色散元件,所述色散元件位于激光光路上;激光增益介质具有宽增益带宽。本发明通过色散器件改变激光增益介质发出的不同波长的光的光程,...
  • 本申请公开了一种制备高分辨率全彩量子点发光二极管的方法及设备,包括基板、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层等的制备以及设备的封装等步骤,该方法可以大幅提高量子点转移速度和转移精度,也增加了制备过程的稳健性和可重复性,因此,...
  • 本发明提出一种透射电子显微镜快速采集的位置校正方法,用于多角度采集时的透射电子显微镜图像;通过对图像位置(横坐标x,纵坐标y)和聚焦值focus与样品杆倾转角度angle之间关系的数学拟合,有效校正因倾斜引起的位置误差和聚焦变化,从而提...
  • 本发明公开了一种基于机器视觉的无接触电致发光检测探针倾角调整装置及方法,其中装置包括:用于搭载检测探针的探针调整机构,探针调整机构包括控制检测探针在X轴和/或Y轴方向进行旋转的垂直旋转轴和用于控制检测探针在Z轴方向进行旋转的水平旋转轴;...
  • 本发明公开了一种基于光刻技术的全彩多功能Micro‑LED显示装置及方法、光源器件,通过光刻技术集成了红、绿、近红外量子点像素阵列,不仅实现了高分辨、高色域、高对比度、低能耗的显示效果,而且还具备了面部识别和多参数生理监测的附加功能。该...
  • 本发明公开了一种全彩多功能Micro‑LED显示装置及制备方法、光源器件,该装置通过喷墨打印技术集成了红、绿、近红外量子点像素阵列,不仅实现了高分辨、高色域、高对比度、低能耗的显示效果,而且还具备了面部识别和多参数生理监测的附加功能。所...
  • 本申请公开了一种二维材料及其制备方法和应用。所述制备方法通过添加助熔剂的方式在密封的石英管中实现BiCuOX单晶颗粒的生长,以BiCuOX单晶颗粒作为蒸发源沉积BiCuOX纳米薄片。上述制备方法解决了现有多元二维材料的制备过程中由于组成...
  • 本申请公开了一种二维碲化铜纳米片及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤:在载气的流通方向上,将碲源、铜源和衬底依次置于化学气相沉积系统的上游、中间和下游,通过程序升温进行反应,得到二维碲化铜纳米片;明通过调控不同的生长温度,可以调...
  • 本申请公开了一种四嗪含能材料及其制备方法与应用,属于激光起爆点火技术领域。所述含能材料,包括MC<subgt;2</subgt;H<subgt;x</subgt;N<subgt;10</subgt;O...
  • 本发明属于光电半导体材料技术领域,公开了一种大尺寸多孔单晶氧化铁半导体材料,含有尺寸为5 nm~1500 nm且均匀分布的蠕状结构的孔;所述大尺寸多孔单晶氧化铁半导体材料在三维空间具有刚性的自支撑结构且无需模版支撑;所述大尺寸多孔单晶氧...
  • 本申请公开了一种螺旋副进给式采样管,包括外管、与所述外管楔接的锥形头、以及与所述外管相嵌套的内管,所述外管的内壁设置有螺旋滑轨,该采样管外形美观简约而隐蔽,与众常随身携带指长工具、饰品无明显视觉差异,螺旋副旋转动作驱动长短伸缩,长短可计...
  • 本发明涉及一种窄线宽大功率垂直腔面发射激光器及制备方法,激光器包括外延层,外延层上设置有若干第一沟槽,第一沟槽贯穿P型欧姆接触层、P‑DBR层、氧化限制层和有源区,并进入N‑DBR层;相邻的第一沟槽之间的区域和最内侧的第一沟槽围合的区域...
  • 本发明涉及一种双波长脉冲激光可控交替输出的方法,包括以下步骤:将具有第一偏振方向的线偏振激光依次通过偏振调制设备、I类倍频晶体和双波长偏振分光器后输出;具有第一偏振方向的线偏振激光被设置为与能够被I类倍频晶体倍频的光的偏振方向垂直;双波...
  • 本发明属于半导体材料技术领域,公开了一种具有自支撑结构的多孔单晶氧化锌半导体材料及其制备方法与应用,利用含锌硫族化合物单晶衬底作为前驱体母晶,单晶衬底在中高温条件下由外部晶格向内部晶格进行固体‑固体相变,非锌原子逃逸;逃逸后剩余锌原子和...
  • 本发明涉及一种Micro‑LED键合、全彩化方法及系统,其中键合方法包括以下步骤:对Micro‑LED芯片的电极交替沉积顺磁性金属薄膜和铁磁性金属薄膜;对TFT基板的电极沉积单层铁磁性金属薄膜;并在TFT基板的表面对应像素点设置金属凸点...
  • 本发明公开一种氮化镓晶体管及其制备方法,氮化镓晶体管包括衬底基板、多层半导体层、栅电极和底电极;栅电极位于多层半导体层远离衬底基板的一侧,底电极的至少部分位于多层半导体层远离栅电极的一侧;底电极与栅电极在衬底基板所在平面的正投影相互交叠...
  • 本发明公开一种高功率密度的氮化镓晶体管芯片结构及其制备方法,该方法包括:对[hk0]晶向的镓酸锂厚膜进行刻蚀,形成衬底结构和至少一个立面结构;立面结构至少包括[001]晶向的立面侧壁,立面侧壁与衬底结构的衬底面相互垂直;对衬底结构及立面...
  • 本发明涉及一种备多层复合结构的平面转移印章及制备方法,平面转移印章包括基板和设置在基板上的吸附层,吸附层可吸附LED芯片,基板和吸附层之间设置有形变层,形变层在受力时可发生形变;基板和形变层之间还设置有粘附层,粘附层可粘附基板和形变层;...
  • 本发明公开了一种基于多焦点消色差超透镜的近眼显示系统,涉及近眼显示领域,包括:像源、偏振调制单元、多焦点消色差超透镜;像源为透明微纳显示屏阵列,并通过准直结构形成平行光束供多焦点消色差超透镜聚焦;偏振调制单元,对像源发出的原始光线进行偏...
  • 本发明公开了一种基于直视微纳显示屏阵列的仿生近眼显示系统,包括:仿生近眼显示系统包括:视力矫正光学镜片,视力矫正光学镜片上设置有透明微纳显示屏阵列,透明微纳显示屏阵列包括M个微纳显示屏,微纳显示屏的像素阵列为m×n;用于采集用户数据和环...