闽都创新实验室专利技术

闽都创新实验室共有467项专利

  • 本实用新型涉及一种基于FPGA的信号源,所述信号源包括上位机和FPGA,所述FPGA与上位机之间设有STM32模块,所述STM32模块把从上位机接收到的命令转化成FPGA能接收的方式;所述FPGA生成目标信号传输至AD芯片进行数模转换,...
  • 本发明公开了一种离子凝胶及其制备方法与应用。所述的离子凝胶包括咪唑型离子液体与式Ⅰ所示的二元共聚物;其中,式Ⅰ中x,y,分别代表各单体在共聚物中的摩尔比例,x+y=1,x为0.78
  • 本发明提出基于球冠镀膜球柄注光加热的可调谐微球激光器及方法,激励光源的输出端经第一光纤与光功率分配器的输入端相连;光功率分配器的一个输出端经第二光纤与锥光纤耦合器相接,另一输出端经第三光纤与可变光衰减器相接;可变光衰减器可对第三光纤传输...
  • 本发明公开了一种混合卤素钙钛矿量子点的制备方法与应用。主要合成过程为:将不同配比的卤化铅加入到强极性溶剂溶液中,超声溶解后注入到含有配体和铯盐的弱/非极性溶剂中,得到混合卤素钙钛矿量子点。上述过程设备简单、不需要任何保护气体,操作简便高...
  • 本申请公开了一种锰锌铁氧体复合物及其制备方法和应用,采用化学共沉淀法,将碳纳米管与锰锌铁氧体复合,该方法操作简单,得到的碳纳米管复合锰锌铁氧体呈现典型的核壳结构,这种添加碳纳米管之后的复合材料磁导率和磁饱和强度都得到了很大的提升,在电磁...
  • 本申请公开了一种铁基软磁复合粉体,其特征在于,所述铁基软磁复合粉体包括铁基软磁粉体和铝粉;所述铁基软磁粉体负载在所述铝粉上;可以在减少铁基软磁粉体的添加量的情况下使得复合材料仍任有高的导磁率,从而减轻整个复合材料的重量,拓宽了复合材料的...
  • 本实用新型公开一种辊涂吸波材料的装置,包括驱动部件、辊轴、板状基材、基材固定部件;所述辊轴的部分外表面或全部外表面设有涂覆部;所述驱动部件与辊轴之间采用非刚性连接;所述板状基材水平铺设、固定于所述基材固定部件;所述辊轴与板状基材的待辊涂...
  • 本发明涉及一种通过湿法纺丝制备特种电传感纤维的方法,属于新材料领域。具体实施方案包括:导电高分子的粉末化处理,碳纳米管的酸化处理。干燥处理后加入热塑性聚氨酯N
  • 本发明提供了一种纳米晶喷墨打印墨水、制备方法及应用,特别涉及含有全无机钙钛矿纳米晶的可打印墨水及其制备方法。该墨水包括全无机钙钛矿纳米晶,低、中、高沸点多元溶剂,离子液体稳定剂和光学透明有机聚合物。所述墨水粘度在300
  • 本发明涉及一种超高分辨率Nano
  • 本发明公开一种AlON粉体及其直接氮化法高气压合成方法和应用,属于陶瓷粉体制备领域。所述方法以铝粉和氧化铝粉为原料,通过直接氮化法高气压合成纯相的AlON粉体,粉体颗粒形貌近似于球形,粒径范围在5μm
  • 本发明公开一种放射性医用同位素标记的稀土掺杂纳米材料和PET显像诊疗剂及其制备方法和应用。放射性医用同位素标记的稀土掺杂纳米材料包括内核;所述内核的结构通式为M
  • 本发明涉及一种基于DNN立体匹配模块的双目视觉SLAM稠密建图方法,包括如下步骤:步骤1、利用公开数据集在GPU服务器上进行端到端的立体匹配网络模型的训练;步骤2、对训练好的立体匹配网络模型进行轻量化处理;步骤3、把轻量化处理后的立体匹...
  • 本发明涉及一种抗磁型光隔离器,包括隔离芯管、隔离器内封管、隔离器外封管,所述隔离器内封管内壁镶嵌有磁环,磁环与隔离芯管套接;隔离器外封管两端部均设置有外固定管,两个外固定管内部分别螺纹连接有输入准直塞和输出准直塞,所述输入准直塞和输出准...
  • 本发明提出一种硅片键合后去衬底的湿法刻蚀工艺,包括以下步骤;步骤A、选取晶向为(111)的硅片M和选取晶向为(100)的硅片N,对硅片进行清洗;步骤B、对硅片M和硅片N进行高温键合,形成组合硅片;步骤C、对组合硅片的硅片N的非键合面以高...
  • 本发明涉及一种具有光电信号并行输出功能的发光电化学人工突触,包括从下至上依次设置的基底、底电极、发光活性层和顶电极;所述发光活性层由发光材料、离子传输基质和锂盐组成,当连续电压脉冲输入时,活性层中的发光材料与离子传输基质发生电化学氧化还...
  • 本发明公开了一种多组分空心阵列结构过渡金属硒化物电极材料及制备方法,为了进一步提高混合型过渡金属硒化物电极材料的电化学性能,在生长ZIF
  • 本发明提出一种电场调控型发光三极管器件及其制备方法,其P型氮化镓层和三层N型氮化镓层、量子阱层、沟道层构成的功能层除位于最下层的第三N型氮化镓层外的部分,生长在第三N型氮化镓层上的部分区域,构成中心功能层;漏极金属接触层设置在所述中心功...
  • 本发明提出一种预埋金属电极的垂直型发光三极管器件及其制备方法,其在衬底表面依次沉积缓冲层、发射区N型氮化镓层、基区P型氮化镓层;在基区P型氮化镓层上沉积基区金属接触埋层,并在基区金属接触埋层上沉积绝缘层将其隔离;依次沉积集电区N型氮化镓...
  • 本发明提出一种新型多功能发光三极管器件的制备方法,其在发光三极管器件的外延层生长过程中,采用多次外延生长,每次外延时通过制备介质层和湿法腐蚀的方式控制器件结构;其中,制备介质层用于控制下一次外延生长的有效区域;湿法腐蚀则用于去除介质层。...