一种硅片键合后去衬底的湿法刻蚀工艺制造技术

本发明专利技术提出一种硅片键合后去衬底的湿法刻蚀工艺，包括以下步骤；步骤A、选取晶向为(111)的硅片M和选取晶向为(100)的硅片N，对硅片进行清洗；步骤B、对硅片M和硅片N进行高温键合，形成组合硅片；步骤C、对组合硅片的硅片N的非键合面以高分子聚合物进行密封保护；步骤D、对组合硅片的硅片M一面进行碱法刻蚀，使该面粗化；步骤E、将粗化处理后的组合硅片放入碱性溶液，油浴恒温至所需温度进行加热刻蚀；步骤F、将完成蚀刻的硅片用去离子水超声清洗，然后用氮气进行吹干，并在热板上进行干燥；本发明专利技术有助于解决Micro

【技术实现步骤摘要】
一种硅片键合后去衬底的湿法刻蚀工艺


[0001]本专利技术涉及化学刻蚀
，尤其是一种硅片键合后去衬底的湿法刻蚀工艺。

技术介绍

[0002]随着显示技术的不断发展，LED的尺寸越来越小直至微米级别，Micro
‑
LED显示相应出现，它相较于其他显示而言具有独特的优势。首先，其微米级的像素间距，使得每一个像素点都能单独控制和驱动，因此，无论是分辨率、亮度、对比度还是功耗等都不亚于OLED。
[0003]其次是在使用寿命上，由于其采用无机材料制作，寿命和稳定性都要比OLED屏幕的有机分子要强得多，在OLED屏幕上容易出现的烧屏老化现象情况也要少得多。此外，Micro
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LED还有一个非常大的优势就是解析度超高，这也是由于采用微米级像素间距，由于微小，所以表现出来的解析力度特别高。但因其尺寸的精细程度，工艺上也存在一些困难，其中巨量转移是很重要的也是卡脖子的一个环节。无论是电视还是手机屏，其像素的数量都是相当巨大的，而像素的尺寸又是那么小，并且显示产品对于像素错误的容忍度也是很低的，没有人愿意去购买本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片键合后去衬底的湿法刻蚀工艺，其特征在于：包括以下步骤；步骤A、选取晶向为(111)的硅片M和选取晶向为(100)的硅片N，对硅片进行清洗；步骤B、对硅片M和硅片N进行高温键合，形成组合硅片；步骤C、对组合硅片的硅片N的非键合面以高分子聚合物进行密封保护；步骤D、对组合硅片的硅片M一面进行碱法刻蚀，使该面粗化；步骤E、将粗化处理后的组合硅片放入碱性溶液，油浴恒温至所需温度进行加热刻蚀；步骤F、将完成蚀刻的硅片用去离子水超声清洗，然后用氮气进行吹干，并在热板上进行干燥。2.根据权利要求1所述的一种硅片键合后去衬底的湿法刻蚀工艺，其特征在于：所述步骤E的加热刻蚀，从组合硅片的硅片M一面开始刻蚀，直至刻透硅片M。3. 根据权利要求1所述的一种硅片键合后去衬底的湿法刻蚀工艺，其特征在于：所述高分子聚合物为PDMS胶或PMMA胶；所述碱性溶液为浓度为30%的KOH溶液；在步骤E中，油浴恒温的所需温度为100 ℃，且需以温度测量工具实时监测温度。4.根据权利要求3所述的一种硅片键合后去衬底的湿法刻蚀工艺，其特征在于：所述硅片M和硅片N均为镀金硅片，尺寸均为20mm
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20mm，厚度范围为20μm
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2000μm。5.根据权利要求1所述的一种硅片键合后去衬底的湿法刻蚀工艺，其特征在于：所述步骤A中清洗硅片具体包括以下步骤：步骤A1、将硅片放入丙酮、乙醇、去离子水的混合溶液中在30℃下超声处理15
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30分钟，再放入去离子水中在30℃下超声5
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10分钟；步骤A2、将处理后的硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙捷，杜佳怡，严群，杨天溪，黄忠航，林畅，张永爱，周雄图，郭太良，
申请(专利权)人：闽都创新实验室，
类型：发明
国别省市：