本发明提供了用于晶片温度测量和温度测量器件校准的方法和装置，它们可基于对半导体晶片中层的吸收的确定而实现。所述吸收的确定可通过朝晶片引导光并测量从光所入射的表面下被晶片反射的光而实现。校准晶片和测量系统可布置和构造成使得以相对晶片表面预...

本发明提供了用于晶片温度测量和温度测量器件校准的方法和装置，它 们可基于对半导体晶片中层的吸收的确定而实现。所述吸收的确定可通过朝 晶片引导光并测量从光所入射的表面下被晶片反射的光而实现。校准晶片和 测量系统可布置和构造成使得以相对晶片...

公开一种可靠地确定基板的透射系数的系统和方法。通过例如确定校准基板的透射系数，温度测量装置能够得以校准。该方法和系统特别好地适合用于其中半导体晶片被制造以得到集成的电路芯片的热处理腔室中。

本发明描述了一种用于在加工工序中处理工件的装置和方法。多晶片室限定出室内部，室内部包括在室内部内的至少两个处理站使得处理站共用室内部。每个处理站包括等离子体源和工件基座，每个处理站被构造用于将工件之一暴露于使用各自的等离子体源的加工工序...

本发明公开了一种用于装卸半导体晶片的末端执行器，包括：具有近端和远端的基座构件；多个位于所述基座构件上的支撑构件，用于接触和支撑置于该末端执行器上的半导体晶片，这些支撑构件在它们之间限定出晶片接收区域；以及多个应急销，这些应急销在所述基...

本发明公开一种用于装卸半导体晶片的末端执行器，包括：具有近端和远端的基座构件；多个位于所述基座构件上的支撑构件，用于接触和支撑置于该末端执行器上的半导体晶片，这些支撑构件在它们之间限定出晶片接收区域；送光通道，包括与光导管连通的光源和角...

用ＵＶ－激发气体（如氯或氮）预处理于半导体底物上形成的氧氮化物或氧化物层，以改善层表面的状况和增加用于继后的四氮化三硅沉积的核化点的密度。这种预处理显示减少了较薄的四氮化三硅膜（物理厚度低于３６，或甚至低于２０）的均方根表面糙度，该...

本发明提供一种在诸如半导体片等基材上沉积高介电常数介质膜的方法。在一个实施方案中，该方法涉及在基材上形成氮化物层。在可供选择的实施方案中，本发明涉及在半导体晶片（ｗａｆｅｒ）上形成金属氧化物或硅酸盐。当形成金属氧化物或硅酸盐时，首先在基...

提供了一种用于在衬底（１４）如半导体晶片上沉积高ｋ介电涂层的方法。对衬底进行一次或多次反应循环。例如，在典型的反应循环中，将衬底加热到一定的沉积温度。之后，在一个实施例中，将一种或多种用于反应的有机金属气体先质供应到反应容器（１２）中。...

在快速热处理系统中，一排加热灯可发出用于将半导体基片例如半导体晶片加热到选定温度或设定温度的辐射热，且同时灯被固定在一个封闭的腔内。一个或多个透光罩单独或成组地环绕加热灯，从而将加热灯与腔内环境和位于腔内的一个或多个晶片隔离开。透光罩可...

一种在微电子结构中将铜引入金属化层内的镶嵌工艺包括在电化学淀积铜金属化之前，使用ＰＶＤ、ＣＶＤ或电化学淀积在阻挡层上形成如铜合金或Ｃｏ－Ｗ－Ｐ的金属合金的增强层。增强层具有从１０＊到１００＊的厚度，保形地覆盖阻挡层中的不连续之处、缝和晶...

本发明提供一种在诸如半导体片等基材上沉积高介电常数介质膜的方法。在一个实施方案中，该方法涉及在基材上形成氮化物层。在可供选择的实施方案中，本发明涉及在半导体晶片（ｗａｆｅｒ）上形成金属氧化物或硅酸盐。当形成金属氧化物或硅酸盐时，首先在基...

公开了一种在基座上用于加热处理室中半导体基板的工艺和系统。根据本发明，公开了基座。根据本发明，基座包括一将晶片悬在基座上方的支撑结构，该支撑结构由具有较低导热率的材料制成。该支撑结构具有特定高度，禁止或者防止高温处理期间在晶片中形成径向...

当使半导体基片暴露于Ｏ↓［２］与Ｎ↓［２］、Ｎ↓［２］Ｏ、Ｈ↓［２］和ＮＨ↓［３］中的一种或多种的气氛下时，通过使该基片经受ＵＶ辐射而在半导体基片上形成氧氮化物层或氧化层。此后，根据已知的四步栅叠介电处理技术形成氮化硅层。或者，使用三步...

公开了一种在热处理室中校准温度测量装置（１０）如高温计的方法和系统。根据本发明，该系统包括将光能（２３）发射到容纳在热处理室（１４）中的衬底上的校准光源。而后，光探测器（４２）探测透过该衬底的光线数量。然后，将探测的光能量用于校准在该系...

在本发明中公开了在用于微电子工艺的无电镀敷中的温度控制的顺序。这个顺序改善了沉积物的均匀性、增加了镀敷槽的寿命和成本效率。镀敷槽在镀敷室外面的设备中加热至某一温度，这个温度低于最低沉积温度。再将溶液引入镀敷室，无沉积发生。在充满室之后，...

公开了一种用于从处理对象上去除工艺材料外壳、诸如离子注入光阻剂的方法。利用与氧气结合的烃气体产生没有卤素的等离子体，从而使所述外壳遭受等离子体。可使用甲烷作为烃气体。该等离子体可用来去除下层未改性的光阻剂和离子注入相关残余物。该等离子体...

公开了一种用于在热处理室中加热半导体晶片的方法和设备。该设备包括非接触测温系统，该非接触测温系统利用诸如高温计的辐射探测装置在处理期间判决晶片的温度。该辐射探测装置通过监视晶片在特定波长处发射的辐射量判决晶片的温度。根据本发明，该设备中...

实现一种更加均匀的等离子体工艺用于利用具有均匀间隔槽的静电屏使用在处理表面上产生非对称等离子体密度图案的感耦等离子体源处理处理对象。有槽的静电屏按照补偿非对称等离子体密度图案从而在处理表面提供调整的等离子体密度图案的方式调整。介绍一种更...

本发明公开了多种用于装卸半导体晶片的末端执行器设计。例如，公开了一种用于装卸处于相对较低温度的晶片的末端执行器和一种用于装卸处于相对较高温度的晶片的末端执行器。两种末端执行器均包括独特设计的支撑构件，这些支撑构件被构造成仅在晶片的边缘处...