一种晶片处理系统和方法，其中具有直径的晶片可在装载锁和处理腔之间移动。输送腔设置用于和装载锁与处理腔有选择地压力连通。该输送腔具有横向范围的构造，从而晶片可通过输送腔在装载锁和处理腔之间沿着晶片输送路径移动，并且该横向构造使得具有晶片直...

公开了用于确定例如半导体晶片的衬底的至少一个光学特性的方法与系统。一旦确定光学特性，那么，为了改善工艺处理，可以控制在工艺处理室中的至少一个参数。例如，在一个实施例中，处于室温或接近于室温时，首先确定衬底中一个面的反射率。由该信息，将可...

本发明公开了一种确定传送机构的旋转轴相对于参考轴的实际位置的方法，该方法用至少一个安装到传送机构的具有至少一个测量轴的倾斜传感器执行。该方法包括在传送机构的第一旋转位置沿至少一个测量轴测量至少一个倾斜传感器的倾斜度，以及在第二旋转位置沿...

作为通过对工件施加受控的热量处理工件（１２２）的系统的一部分，加热装置包括间隔开的加热元件（１０２）阵列，用于与工件保持相对的关系，使得工件承受所产生的直接辐射。辐射罩（２００）包括多个元件（２０７），所述元件被支撑为可以在以下位置之间...

介绍了可定制的室光谱响应，其至少可用于修改室性能，用于晶片加热、晶片冷却、温度测量和散射光。在一个方案中，介绍了一种用于加工处理物体的系统，处理物体具有在处理物体温度下的给定发射光谱，其使处理物体产生处理物体辐射的能量。室以第一方式响应...

一种防护抑制结构使用在Ｏ形圈密封结构中以限制反应性物质与Ｏ形圈接触。该结构支撑在腔通道中以暴露于反应性物质。Ｏ形圈被压缩从而周向地将防护环形结构朝向腔内部进一步偏压入腔通道构造，以限制反应性物质与Ｏ形圈的接触。该通道构造可使用变窄的表面...

作为腔室结构的一部分，窗口装置包括具有内部的腔室。腔室形成具有孔边缘的窗口孔。具有一对相对主表面和在该相对主表面之间延伸的周边侧壁结构的窗口装入带支承抵靠在孔边缘的周边侧壁结构的窗口孔内，因此，周边侧壁结构与孔边缘这样配合，使得大致垂直...

用于外延淀积的系统和方法。反应器包括由加热系统、热绝缘系统和室壁包围的热壁处理腔。处理腔的壁可以由具有与半导体衬底的热膨胀系数基本上相同的材料组成，例如石英和碳化硅，并且可以包括可被加热到１２００℃高温的等温或接近等温的腔。可以通过多个...

工件加工使用和处理室（３２）协同的转移室（１２）。在预热压力下，将该工件（３０）加热到处理温度，之后在处理压力下，暴露于等离子体，该处理压力低于预热压力。处理室压力不超过预热压力，但是在处理室中可诱导快速的压力增长，其由处理压力过渡到预...

提供了一种向基材（３５）上沉积膜的方法。基材（３５）容纳在压力为约０．１－１００毫托的反应器容器（１）内。该方法包括使基材（３５）经受一个包括以下步骤的反应周期：ｉ）向反应器容器（１）提供一种温度为约２０－１５０℃、蒸气压为约０．１－１...

本发明公开了一种化学镀溶液，其用于形成金属合金如钴－钨合金。根据本发明，可以配制所述化学镀溶液，以便不包含任何碱金属。而且，可以不使用四甲基氢氧化铵配制该溶液。在又一个实施方案中，可以在沉积金属合金于基材上之前，在不需要使用催化剂如钯催...

一种处理电子元件（１１）的方法，其中电子元件（１１）暴露在加热溶剂（１５）中，并且随后暴露在臭氧化处理流体中。可选的，通过将电子元件（１１）暴露在加热溶剂的经过层中，使电子元件（１１）暴露在加热的溶剂（１５）中。还提供了一种处理电子元件...

一种加热装置，其使用照射能加热工件的第一主要表面，以致照射能的第一部分直接入射到工件的第一主要表面而照射能的第二部分被指向为至少最初不能抵达第一主要表面。反射器，具有中央开口，该反射器反射照射能的第二部分的至少一些到工件的外周边缘区域用...